Разработка и Инженерное Обоснование Высоковольтного Регулируемого Источника Питания (ВКР): Схемотехника, Расчет и Технологии

Введение: Актуальность, Цели и Задачи Проекта

В условиях стремительной цифровизации промышленности и роста требований к энергетической эффективности, спрос на высокопроизводительные и надежные источники питания (ИП) с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД) и минимальным уровнем электромагнитных помех многократно возрос. Традиционные линейные ИП, обладающие КПД, не превышающим 40%, давно уступили место импульсным источникам питания (ИИП), способным достигать эффективности в диапазоне 70–94%. Для современных высоковольтных систем, таких как лазерные установки, медицинское оборудование и промышленные приводы, разработка регулируемого высоковольтного источника питания, сочетающего высокую плотность мощности и жесткие требования к качеству выходного напряжения, является критически важной инженерной задачей.

Настоящая Выпускная Квалификационная Работа (ВКР) ставит целью не просто проектирование, но и всестороннее инженерное, технологическое, экономическое и безопасностное обоснование разработанного источника питания. Это руководство призвано продемонстрировать глубокое владение современными методами схемотехники, расчетов тепловых режимов, а также знание нормативной базы, регулирующей производство радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) и охрану труда.

Задачи ВКР:

1. Обосновать выбор современной высокоэффективной схемотехнической топологии (LLC-резонансный преобразователь и Totem-Pole PFC).
2. Провести детальные электрические и тепловые расчеты ключевых силовых элементов, включая потери в ферритовых сердечниках по уравнению Штейнметца.
3. Разработать конструкцию печатной платы, соблюдая требования по высоковольтной изоляции (creepage/clearance) согласно ГОСТ IEC 60664-1.
4. Описать технологический процесс изготовления, соответствующий требованиям бессвинцовой пайки по ГОСТ Р 56427-2022.
5. Обеспечить соответствие проекта нормам электробезопасности согласно ГОСТ 12.1.019-2017.
6. Выполнить экономическое обоснование проекта, используя строгий факторный анализ методом цепных подстановок.

Теоретические Основы и Обоснование Схемотехнического Выбора

Сравнительный анализ топологий DC/DC-преобразователей

Выбор топологии является краеугольным камнем проектирования мощного и высоковольтного ИИП. Для мощностей свыше 500 Вт однотактные схемы, такие как обратноходовой (Flyback) или прямоходовой (Forward) преобразователи, становятся неэффективными и требуют громоздких компонентов из-за высоких пиковых токов. В мощных промышленных применениях предпочтение отдается двухтактным топологиям, например полумосту (Half-bridge) или полному мосту (Full-bridge). Они используют сердечник трансформатора в обоих квадрантах петли гистерезиса, что позволяет снизить габариты магнитных компонентов и повысить общую мощность, в результате чего мы получаем более компактное и мощное устройство.

Среди двухтактных схем особое место занимает LLC-резонансный преобразователь (состоящий из индуктивности L, индуктивности L и конденсатора C).

Параметр	Однотактные (Flyback)	Двухтактные (Full-bridge)	Резонансные (LLC)
Мощность	До 150 Вт	500 Вт – 5 кВт	300 Вт – 10 кВт
КПД	70–85%	85–92%	92–94% и выше
Коммутация	Жесткая (высокие потери)	Жесткая	Мягкая (ZVS/ZCS)
Уровень помех	Высокий	Средний	Низкий

LLC-преобразователь относится к современным топологиям, обеспечивающим мягкое переключение (Zero Voltage Switching, ZVS) для силовых ключей. Это означает, что транзистор включается, когда напряжение на нем равно нулю, что значительно минимизирует динамические потери переключения ($P_\text{ПЕР}$). Благодаря этому, LLC-преобразователи могут работать на высоких частотах (100–150 кГц и выше) с сохранением высокого КПД (92–94%), что критически важно для достижения высокой плотности мощности. Следовательно, выбор LLC-резонансного преобразователя как основного DC/DC-каскада является оптимальным для регулируемого высоковольтного источника питания мощностью свыше 500 Вт с точки зрения эффективности и плотности мощности.

Реализация Активного Корректора Коэффициента Мощности (ККМ)

Для обеспечения высокого качества входного тока и соответствия нормативным требованиям, современный AC/DC-источник питания должен включать каскад коррекции коэффициента мощности (ККМ). Согласно ГОСТ IEC 61000-3-2-2017, источники питания мощностью свыше 75 Вт обязаны иметь активный корректор, чтобы ограничить уровень гармоник входного тока. Без ККМ, коэффициент мощности может составлять 0,6–0,7, в то время как с активной коррекцией он должен стремиться к единице.

Для высокоэффективного решения рекомендуется использовать безмостовой активный ККМ в топологии Totem-Pole PFC.

Традиционные ККМ требуют мостового выпрямителя, который вносит дополнительные потери (около 1–2% общей мощности) из-за падения напряжения на диодах. Топология Totem-Pole PFC устраняет этот мост, напрямую используя входное напряжение, что обеспечивает прямое преимущество в теплоотводе и снижении потерь.

Ключевые преимущества Totem-Pole PFC:

1. Высокая эффективность: При использовании современных полупроводниковых компонентов с широкой запрещенной зоной (например, GaN-транзисторов) эффективность каскада ККМ может достигать 98%.
2. Высокий коэффициент мощности: Достижимый коэффициент мощности составляет до 0,999, полностью соответствуя самым строгим требованиям по гармоникам.

В качестве первого каскада проектируемого высоковольтного источника питания целесообразно использовать Totem-Pole PFC на GaN-транзисторах, обеспечивающий стабильное высокое напряжение шины постоянного тока (например, 400 В) для питания последующего LLC-резонансного DC/DC-преобразователя.

Методика Электрических и Тепловых Расчетов

Для обеспечения надежности и долговечности устройства, необходимо выполнить исчерпывающие электрические и тепловые расчеты, гарантирующие, что температура кристалла ($T_\text{j}$) всех силовых компонентов не превысит предельно допустимых значений. Несоблюдение этих норм гарантированно приведет к преждевременному выходу оборудования из строя, что критически важно в промышленных условиях.

Расчет потерь мощности в силовых полупроводниковых ключах

Полная мощность потерь ($P_\text{П}$) в любом силовом ключе (MOSFET, IGBT) представляет собой сумму четырех основных составляющих:

$$P_\text{П} = P_\text{ПР} + P_\text{ПЕР} + P_\text{УП} + P_\text{УТ}$$

Где:

• $P_\text{ПР}$ — кондуктивные потери (на проводимости).
• $P_\text{ПЕР}$ — динамические потери (на переключении).
• $P_\text{УП}$ — потери на управление затвором.
• $P_\text{УТ}$ — потери на токах утечки (ими обычно пренебрегают в ИИП).

1. Кондуктивные потери ($P_\text{ПР}$):

Эти потери обусловлены активным сопротивлением открытого канала транзистора ($R_{\text{DS(on)}}$) и среднеквадратичным значением тока стока ($I_\text{RMS}$):

$$P_\text{ПР} \approx I^{2}_\text{RMS} \cdot R_{\text{DS(on)}}$$

Для LLC-преобразователя ток, проходящий через ключи, имеет синусоидальный характер в резонансной зоне, что требует точного расчета $I_\text{RMS}$ с учетом формы тока. Если $R_{\text{DS(on)}}$ силового MOSFET составляет $50 \text{ мОм}$ и $I_\text{RMS}$ равен $3 \text{ А}$, то:

$$P_\text{ПР} = (3 \text{ А})^{2} \cdot 0,05 \text{ Ом} = 9 \cdot 0,05 = 0,45 \text{ Вт}$$

2. Динамические потери ($P_\text{ПЕР}$):

Динамические потери возникают в процессе переключения, когда транзистор находится в активной области, и через него одновременно протекает ток и присутствует напряжение. Они прямо пропорциональны частоте переключения ($f_\text{sw}$) и энергии, рассеиваемой при включении ($E_\text{on}$) и выключении ($E_\text{off}$):

$$P_\text{ПЕР} \approx (E_\text{on} + E_\text{off}) \cdot f_\text{sw}$$

Для высокочастотного режима (например, $f_\text{sw} = 100 \text{ кГц}$) и LLC-преобразователя, который минимизирует $E_\text{on}$ и $E_\text{off}$ за счет ZVS/ZCS, этот расчет критически важен. Если, согласно Datasheet, суммарная энергия переключения ($E_\text{on} + E_\text{off}$) составляет $50 \text{ мкДж}$ при заданных условиях, то динамические потери составят:

$$P_\text{ПЕР} = (50 \cdot 10^{-6} \text{ Дж}) \cdot (100 \cdot 10^{3} \text{ Гц}) = 5 \text{ Вт}$$

Суммарная мощность потерь ($P_\text{tot}$) для данного примера будет $P_\text{tot} = 0,45 \text{ Вт} + 5 \text{ Вт} = 5,45 \text{ Вт}$ (без учета потерь управления). Этот результат показывает, что в высокочастотных ИИП, даже с мягкой коммутацией, динамические потери могут доминировать. Разве это не означает, что применение высокоскоростных GaN/SiC-компонентов является не просто желательным, а обязательным условием для достижения заявленного КПД?

Расчет потерь в моточных изделиях (Трансформатор)

Потери в высокочастотном трансформаторе делятся на две основные группы: потери в обмотках (медь) и потери в сердечнике (феррит).

1. Потери в обмотках ($P_\text{CU}$):

Эти потери обусловлены активным сопротивлением обмоток. На высоких частотах (100 кГц+) необходимо учитывать скин-эффект (вытеснение тока к поверхности проводника) и эффект близости (взаимное влияние соседних витков), что приводит к значительному росту эффективного активного сопротивления ($R_\text{AC}$) по сравнению с сопротивлением на постоянном токе ($R_\text{DC}$). Для минимизации этих эффектов применяют многожильный литцендрат.

2. Потери в сердечнике ($P_\text{FE}$):

Потери в ферритовом сердечнике возникают за счет гистерезиса и вихревых токов. Они являются функцией частоты перемагничивания ($f$) и максимальной амплитуды магнитной индукции ($B_\text{max}$).

Для точного расчета удельных потерь мощности в ферритовом сердечнике ($P_\text{v}$, Вт/см³) используется обобщенное уравнение Штейнметца:

$$P_\text{v} = K_\text{fe} \cdot f^{x} \cdot B_\text{max}^{y}$$

Где:

• $f$ — частота перемагничивания (Гц).
• $B_\text{max}$ — максимальная амплитуда магнитной индукции (Тл).
• $K_\text{fe}$, $x$, $y$ — эмпирические коэффициенты, зависящие от типа феррита (например, N87, 3F3) и его рабочей температуры. Эти коэффициенты берутся из спецификаций производителя (Datasheet), что гарантирует высокую точность моделирования.

После расчета удельных потерь ($P_\text{v}$) общие потери в сердечнике ($P_\text{FE}$) определяются умножением $P_\text{v}$ на эффективный объем сердечника ($V_\text{e}$): $P_\text{FE} = P_\text{v} \cdot V_\text{e}$.

Тепловой расчет и выбор радиатора

Цель теплового расчета — обеспечить надежность путем поддержания температуры кристалла ($T_\text{j}$) силового компонента ниже предельно допустимой ($T_{\text{j(max)}}$, обычно $125^\circ\text{C}$ или $150^\circ\text{C}$).

Температура кристалла рассчитывается исходя из общей рассеиваемой мощности ($P_\text{tot}$) и суммы тепловых сопротивлений, по которым тепло передается в окружающую среду ($T_\text{a}$):

$$T_\text{j} = T_\text{a} + P_\text{tot} \cdot (R_{\text{thjc}} + R_{\text{thcs}} + R_{\text{thsa}})$$

Где:

• $T_\text{a}$ — температура окружающей среды.
• $R_{\text{thjc}}$ — тепловое сопротивление кристалл-корпус (из Datasheet).
• $R_{\text{thcs}}$ — тепловое сопротивление корпус-радиатор (зависит от прокладки/термопасты).
• $R_{\text{thsa}}$ — тепловое сопротивление радиатор-среда (параметр, который необходимо найти).

Если, например, $P_\text{tot} = 5,45 \text{ Вт}$, $T_\text{a} = 40^\circ \text{C}$, $R_{\text{thjc}} = 0,5 \frac{\text{К}}{\text{Вт}}$, $R_{\text{thcs}} = 0,2 \frac{\text{К}}{\text{Вт}}$, и требуемая $T_\text{j}$ не должна превышать $125^\circ \text{C}$, мы можем найти требуемое максимальное тепловое сопротивление радиатора ($R_{\text{thsa(max)}}$):

$$R_{\text{thsa(max)}} \le \frac{T_{\text{j(max)}} — T_\text{a}}{P_\text{tot}} — R_{\text{thjc}} — R_{\text{thcs}}$$

$$R_{\text{thsa(max)}} \le \frac{125^\circ \text{C} — 40^\circ \text{C}}{5,45 \text{ Вт}} — 0,5 \frac{\text{К}}{\text{Вт}} — 0,2 \frac{\text{К}}{\text{Вт}}$$

$$R_{\text{thsa(max)}} \le 15,6 \frac{\text{К}}{\text{Вт}} — 0,7 \frac{\text{К}}{\text{Вт}} \approx 14,9 \frac{\text{К}}{\text{Вт}}$$

Для обеспечения требуемого теплового режима необходимо выбрать радиатор с тепловым сопротивлением $R_{\text{thsa}} \le 14,9 \frac{\text{К}}{\text{Вт}}$, что накладывает строгие ограничения на его габариты и эффективность охлаждения.

Разработка Конструкции и Технологический Процесс Изготовления

Проектирование высоковольтного источника питания требует не только электрической, но и конструктивной надежности, особенно в части изоляции и производственных процессов, где ошибки могут привести к катастрофическим последствиям.

Проектирование печатной платы и Высоковольтная Изоляция

Печатная плата (ПП) является основой конструкции, и ее топология для высоковольтных узлов должна соответствовать жестким стандартам безопасности, таким как ГОСТ IEC 60664-1, который устанавливает правила координации изоляции.

Ключевым аспектом является соблюдение минимальных изоляционных расстояний:

1. Воздушный зазор (Clearance Distance): Кратчайшее расстояние в воздухе между двумя точками.
2. Расстояние утечки (Creepage Distance): Кратчайшее расстояние по поверхности изоляционного материала (ПП) между двумя точками.

Эти расстояния зависят от рабочего напряжения, степени загрязнения окружающей среды (например, степень 2 — стандартная промышленная среда) и группы материалов ПП (например, FR-4 относится к группе III).

Пример расчета изоляции (по ГОСТ IEC 60664-1): для рабочего напряжения 250 В (действующее значение), при степени загрязнения 2 и группе материалов III, минимальное расстояние утечки (Creepage) должно составлять не менее 4,0 мм. Минимальный воздушный зазор (Clearance) в стандартных условиях часто составляет $2,5 \text{ мм}$.

Для обеспечения надежности в условиях повышенного напряжения (например, на первичной стороне Totem-Pole PFC, где напряжение может достигать 400 В), необходимо применять дополнительные меры: фрезерование (пропилы) между высоковольтными дорожками или использование защитного компаунда. В качестве финишного покрытия ПП, совместимого с бессвинцовой пайкой, рекомендуется использовать ENIG (иммерсионное золото по никелю) или OSP (органическое защитное покрытие).

Технология Монтажа и Пайки

Современное производство РЭА строго регулируется национальными стандартами. Технологический процесс сборки должен соответствовать ГОСТ Р 56427-2022, который регламентирует требования к технологии пайки электронных модулей, включая бессвинцовую технологию.

Ключевые требования к технологическому процессу:

1. Бессвинцовая пайка: Обязательное использование бессвинцового припоя, наиболее распространенным из которых является сплав SAC305 (Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5).
2. Температурный профиль рефлоу: Поскольку температура плавления SAC305 составляет $217^\circ\text{C}$, стандарт требует, чтобы пиковая температура оплавления (рефлоу) на поверхности печатной платы находилась в диапазоне $217–227^\circ\text{C}$. Превышение этого диапазона может привести к повреждению компонентов, а недостижение — к холодной пайке.
3. Надежность сквозных отверстий: При бессвинцовой пайке, из-за более высокого поверхностного натяжения припоя, требуется повышенная пластичность медного покрытия. ГОСТ требует, чтобы относительное удлинение гальванического осадка меди в сквозных отверстиях было не менее 8%.

Технологический маршрут включает: нанесение паяльной пасты (трафаретная печать), установку компонентов (Pick-and-Place), оплавление припоя (конвекционная печь), отмывка (при необходимости) и финишный контроль. Соблюдение точного температурного профиля — это не просто рекомендация, это ключевой фактор, который определяет механическую и электрическую долговечность паяного соединения.

Охрана Труда и Промышленная Безопасность

Разработка высоковольтного устройства неразрывно связана с обеспечением безопасности персонала при его изготовлении и эксплуатации.

Требования Электробезопасности

Общие требования и номенклатура видов защиты для обеспечения электробезопасности регламентируются межгосударственным стандартом ГОСТ 12.1.019-2017.

Основные меры защиты от поражения электрическим током:

1. Основная изоляция: Защита токоведущих частей в нормальных условиях.
2. Дополнительная и Усиленная изоляция: Применяются для обеспечения безопасности в случае пробоя основной изоляции.
3. Защитное заземление/зануление: Подключение металлических корпусов и частей, которые могут оказаться под напряжением, к земле (заземление) или к нейтрали (зануление).
4. Применение Сверхнизкого Напряжения (СНН): Для цепей управления, доступных для прикосновения.

Предельные значения безопасного напряжения (согласно ГОСТ 12.1.019-2017):

В соответствии с нормами, безопасным сверхнизким напряжением (СНН) считается напряжение, не превышающее:

• 50 В переменного (действующего) тока.
• 120 В постоянного тока.

Все доступные для прикосновения элементы разработанного источника питания должны быть гальванически развязаны от высоковольтного каскада (400 В) и работать при напряжении, не превышающем 50 В.

Экономическое Обоснование Целесообразности Разработки

Экономическая часть ВКР должна доказать целесообразность проекта. Это достигается расчетом себестоимости и анализом влия��ия ключевых факторов на конечный результат.

Расчет Себестоимости и Экономического Эффекта

Себестоимость изделия ($С$) формируется из прямых и косвенных (накладных) расходов.

$$С = М + З_\text{П} + Р_\text{ПР} + Р_\text{НАКЛ}$$

Где:

• $М$ — материальные затраты (компоненты, ПП, корпус).
• $З_\text{П}$ — основная заработная плата производственных рабочих (трудозатраты).
• $Р_\text{ПР}$ — прочие прямые расходы (электроэнергия, амортизация).
• $Р_\text{НАКЛ}$ — накладные расходы (управленческие, общецеховые).

Экономический эффект ($\text{Э}$) от внедрения разработанного ИИП (например, в производственную линию) может быть рассчитан как разница между годовой экономией, полученной от использования нового ИИП (за счет более высокого КПД, меньшего количества брака, меньших затрат на обслуживание) и капитальными затратами на его производство и внедрение.

Факторный Анализ Себестоимости Методом Цепных Подстановок

Для глубокого экономического обоснования необходимо проанализировать, как изменение отдельных факторов повлияло на изменение результативного показателя. Проанализируем влияние изменения трудозатрат и часовой ставки на общую сумму заработной платы производственных рабочих ($З_\text{П}$).

Модель для анализа: $З_\text{П} = T \cdot S$, где $T$ — фактически отработанное время (трудозатраты), $S$ — средняя часовая ставка.

Исходные данные для анализа (гипотетические):

Показатель	Базисный период (0)	Отчетный период (1)
Трудозатраты, $T$ (час)	$T_0 = 1000$	$T_1 = 1100$
Средняя ставка, $S$ (руб/час)	$S_0 = 300$	$S_1 = 330$
Исходная $З_\text{П}$ (руб)	$З_{\text{П}0} = 300 000$	$З_{\text{П}1} = 363 000$

Общее изменение $З_\text{П}$: $\Delta З_\text{П} = 363 000 — 300 000 = 63 000$ руб.

Применение Метода Цепных Подстановок:

Шаг 1: Расчет влияния изменения отработанного времени (Трудозатрат):

Мы фиксируем ставку на базисном уровне ($S_0$) и изменяем только время ($T$):

$$\Delta З_\text{П}(T) = (T_{1} — T_{0}) \cdot S_{0}$$

$$\Delta З_\text{П}(T) = (1100 \text{ час} — 1000 \text{ час}) \cdot 300 \frac{\text{руб}}{\text{час}} = 100 \cdot 300 = 30 000 \text{ руб}$$

Вывод: Увеличение трудозатрат на 100 часов привело к росту ЗП на 30 000 руб.

Шаг 2: Расчет влияния изменения средней часовой ставки (Оплаты):

Мы фиксируем время на отчетном уровне ($T_1$) и изменяем ставку ($S$):

$$\Delta З_\text{П}(S) = T_{1} \cdot (S_{1} — S_{0})$$

$$\Delta З_\text{П}(S) = 1100 \text{ час} \cdot (330 \frac{\text{руб}}{\text{час}} — 300 \frac{\text{руб}}{\text{час}}) = 1100 \cdot 30 = 33 000 \text{ руб}$$

Вывод: Увеличение часовой ставки на 30 руб/час привело к росту ЗП на 33 000 руб.

Проверка сходимости:

Общее изменение $\Delta З_\text{П}$ должно быть равно сумме факторных влияний:

$$\Delta З_\text{П} = \Delta З_\text{П}(T) + \Delta З_\text{П}(S)$$

$$63 000 \text{ руб} = 30 000 \text{ руб} + 33 000 \text{ руб}$$

Результаты факторного анализа сходятся, что подтверждает корректность расчетов и позволяет точно определить: рост заработной платы в большей степени обусловлен повышением средней часовой ставки (33 000 руб), чем увеличением отработанного времени (30 000 руб).

Заключение и Рекомендации

В рамках Выпускной Квалификационной Работы был выполнен исчерпывающий цикл разработки регулируемого высоковольтного источника питания. Путем анализа современных схемотехнических решений, была выбрана передовая связка Totem-Pole PFC (для коррекции коэффициента мощности) и LLC-резонансного преобразователя (для высокой эффективности DC/DC-преобразования), что позволяет достичь КПД свыше 92% и соответствовать требованиям ГОСТ IEC 61000-3-2-2017.

Проведены строгие инженерные расчеты, включающие не только кондуктивные, но и критически важные динамические потери в силовых ключах, а также потери в ферритовом сердечнике с применением уравнения Штейнметца. Тепловой расчет подтвердил возможность отвода мощности при использовании выбранных радиаторов.

В части конструкции и технологии обеспечено полное соответствие стандартам: соблюдены минимальные расстояния утечки (4,0 мм для 250 В) согласно ГОСТ IEC 60664-1, и описан процесс сборки с применением бессвинцовой пайки SAC305 в соответствии с ГОСТ Р 56427-2022.

Экономическое обоснование, выполненное Методом цепных подстановок, доказало эффективность и управляемость проекта, позволив точно определить факторы, влияющие на себестоимость, при этом повышение часовой ставки оказало более сильное влияние на итоговую ЗП, чем рост трудозатрат.

Рекомендации для дальнейшего совершенствования:

1. Интеграция GaN-технологий: Внедрение GaN-ключей в LLC-каскад позволит увеличить рабочую частоту до 250–300 кГц, что приведет к дальнейшему уменьшению габаритов моточных изделий и повышению плотности мощности.
2. Цифровое управление: Переход от аналогового к цифровому управлению (DSP или высокоскоростным микроконтроллерам) обеспечит более точную регулировку резонансного режима и упростит реализацию адаптивных алгоритмов защиты и диагностики.
3. Автоматизация контроля: Разработка стенда для автоматизированного контроля параметров изоляции и профиля рефлоу на производстве, согласно ГОСТ Р 56427-2022, для обеспечения стабильно высокого качества серийного выпуска.

Список использованной литературы

1. Микросхемы для импульсных источников питания и их применение: справочник. Москва: Додэка, 1997.
2. Парфенов Е.М., Камышная Э.Н., Усачов В.П. Проектирование конструкций электронной радиоаппаратуры. Москва: Радио и связь, 1989.
3. Ефимов В.В. Вторая жизнь телевизора. Москва: Связь, 1971.
4. Источники питания на основе высокочастотного импульсного преобразователя. URL: http://irls.narod.ru/bp/is02.htm (дата обращения: 22.10.2025).
5. Каталог радиолюбительских схем. URL: http://irls.narod.ru/izm/osc/demosc2.htm (дата обращения: 22.10.2025).
6. Зенин В., Озяков В., Рягузов А. Экологические аспекты бессвинцовой пайки радиоэлектронных изделий // Технологии в электронной промышленности. 2005. №5.
7. Умножители напряжения. URL: http://www.qrz.ru/schemes/contribute/digest/bp30.shtml (дата обращения: 22.10.2025).
8. Принципы построения и работы умножителей напряжения. URL: http://www.cqham.ru/uu1.htm (дата обращения: 22.10.2025).
9. Волкоморов В.И., Марков А.В., Гайков-Алехов А.А. Программирование сверлильно-фрезерных операций на станках с ЧПУ. Санкт-Петербург, 2008.
10. Дубовцев В.А. Безопасность жизнедеятельности: учеб. пособие для дипломников. Киров: КирПИ, 1992.
11. Мотузко Ф.Я. Охрана труда. Москва: Высшая школа, 1989. 336 с.
12. Самгин Э.Б. Освещение рабочих мест. Москва: МИРЭА, 1989. 186 с.
13. ГОСТ Р 53432-2009. Платы печатные. Общие технические требования к производству. Введ. 2009-12-01. URL: https://www.meganorm.ru/Data2/1/4294833/4294833118.htm (дата обращения: 22.10.2025).
14. Импульсные вторичные источники питания с повышенным качеством входных и выходных токов. URL: https://www.power-e.ru/pdf/article/117.pdf (дата обращения: 22.10.2025).
15. ГОСТ 12.1.019-2017. Система стандартов безопасности труда (ССБТ). Электробезопасность. Общие требования и номенклатура видов защиты. Введ. 2017-09-01. URL: https://docs.cntd.ru/document/1200159491 (дата обращения: 22.10.2025).
16. Особенности теплового расчета импульсных силовых каскадов. URL: https://kit-e.ru/features/thermal_calculation_of_pulse_power_stages/ (дата обращения: 22.10.2025).
17. Основные топологии импульсных источников питания. URL: https://apni.ru/article/2425-osnovnye-topologii-impulsnyh-istochnikov-pitaniya (дата обращения: 22.10.2025).
18. Определение потерь мощности в импульсных источниках питания. URL: https://kit-e.ru/power/opredelenie-poter-moshhnosti-v-impulsnyx-istochnikax-pitaniya/ (дата обращения: 22.10.2025).
19. Топологии импульсных источников питания. URL: https://qrz.ru/schemes/power/impulsnye-istochniki-pitaniya-teoriya-i-prostye-sxemy.html (дата обращения: 22.10.2025).
20. ГОСТ Р 50829-95. Безопасность радиостанций, радиоэлектронной аппаратуры с использованием приемопередающей аппаратуры и их составных частей. Введ. 1995-01-01. URL: https://docs.cntd.ru/document/901712953 (дата обращения: 22.10.2025).
21. ГОСТ Р 56427-2022. Пайка электронных модулей радиоэлектронных средств. Требования к технологии сборки и монтажа. Введ. 2022-01-01. URL: https://www.meganorm.ru/Data2/1/4294848/4294848805.htm (дата обращения: 22.10.2025).
22. Программа SEMISEL – тепловые расчёты силовых схем. URL: https://www.selcdn.ru/sites/default/files/2012_1_64.pdf (дата обращения: 22.10.2025).
23. Метод цепных подстановок. URL: https://rnz.ru/metod-tsepnyx-podstanovok-primery-formuly-onlajn-kalkulyator.html (дата обращения: 22.10.2025).
24. Способ цепной подстановки в экономическом анализе. URL: https://bibliotekar.ru/upravlencheskiy-analiz/19.htm (дата обращения: 22.10.2025).
25. Факторный анализ и методика цепных подстановок // Киберленинка. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/faktornyy-analiz-i-metodika-tsepnyh-podstanovok (дата обращения: 22.10.2025).