Пример готовой дипломной работы по предмету: Электроника
Введение 6
1 Технологии и оборудование для производства ИМС 9
1.1 Исторические тенденции и прогноз развития ИМС. Скрытый кризис микроэлектроники 9
1.2 Особенности технологического процесса изготовления ИМС 16
1.3 Анализ возможностей повышения интеграции ИМС с помощью перехода к новым методам фотолитографии 28
2 ЭУФ литография как альтернатива обеспечения дальнейшего прогресса микроэлектроники 33
2.1 Перспективы создания и применения ЭУФ нанолитографа 33
2.2 Принцип работы ЭУФ литографической системы. Преимущества и недостатки ЭУФ литографии 37
3 Формирование наноструктур на стенде ЭУФ- литографа. Первые результаты 52
4 Безопасность и экологичность проекта 58
4.1 Анализ опасных и вредных факторов 58
4.2 Обеспечение безопасности труда (мероприятия, рекомендации, общие и индивидуальные средства защиты) 60
4.3 Охрана окружающей среды (отходы, загрязнение окружающей среды) 61
4.4 Предупреждение и ликвидация ЧС 62
5 Оценка экономической эффективности создания экспериментального ЭУФ нанолитографа, разработанного в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН 63
Заключение 73
Список использованных источников 75
Приложение А. Презентация 80
Содержание
Выдержка из текста
• ЭУФ позволит обеспечить большую производительность, чем другие альтернативные технологии, вследствие отсутствия стохастического кулоновского взаимодействия, которое связывает производительность литографической системы и ее разрешение.
Сегодняшним требованиям к качеству стали с более низким содержанием примесей, а также требованиям к более экономной выплавке стали отвечает установка печь-ковш, как дополнение к современной технологии выплавки стали.
2. По сравнению со стреловыми кранами они имеют большее подстреловое пространство, могут быть размещены в непосредственной близости от возводимого здания, ограниченной только габаритами основания крана, позволяют обслуживать здания, имеющие значительные размеры по высоте и ширине.
Совершенствование маркетинговой деятельности с целью улучшения финансовых результатов предприятия (на примере торгово-промышленной компании «БАУЭР»)
В процессе рациональной организации труда окончательно определяется результат работы предприятия, направленный на расширение объемов деятельности и улучшение ее финансовых результатов. Финансовые результаты деятельности организации являются одним из важнейших объектов экономического анализа. При этом конечными финансовыми результатами может быть прибыль или убытки. Прибыль по своему экономическому содержанию представляет собой часть стоимости прибавочного продукта, созданного сферой материального производства. Она относится к группе объектов, отражающих источники собственных средств организации, как основной базы производственного и социального развития трудового коллектива организации. Однако в росте суммы прибыли заинтересовано не только организация, но и государство, так как налог на прибыль служит важнейшим источником формирования государственного бюджета
Теоретической значимостью работы является проведение теоретической оценки исследований и методических рекомендаций по процедуре проведению анализа финансового состояния субъекта хозяйствования. Выявлены и систематизированы основные показатели проведения оценки финансовой устойчивости.
- выявлены изменения давления и скорости движения воздуха в разных точках по сечениям входных и выходных патрубков циклонов исследуемых форм при различных отношениях диаметра выхлопного патрубка к диаметру всего аппарата при разной производительности;
Цель дипломного проектирования – совершенствование системы подготовки нефти на Азинском месторождении с целью повышения качества нефти. Даны физико-химические свойства нефти, газа и воды.
При создании благоприятных условий в условиях 5 световой зоны, к которой относится Республика Бурятия можно получать урожайность зеленцов до 20-25 кг/м 2 с более длительным периодом плодоношения. При этом себестоимость товарной продукции уменьшится в два раза.
Теоретическая и практическая значимость исследования заключена в возможности использования полученных в работе результатов при дальнейшем совершенствовании действующего законодательства с целью устранения выявленных противоречий, а также при разработке правовых актов по страховому праву, при проведении детальных научных исследований, связанных с вопросами международной унификации правовых норм в сфере страхования. Полученные в ходе исследования выводы могут быть использованы для совершенствования внутренних нормативных актов страховых компаний.
Важное значение имеют развитие маркетинговых приемов и методов по стимулированию.Целью выпускной квалификационной работы является разработка мероприятий по совершенствованию элементов комплекса маркетинговых коммуникаций в соответствии с эстетической концепцией маркетинга.Исходя из поставленной цели дипломной работы, основными задачами являются следующие:
Список источников информации
Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 2 – Process Integration.– Lattice Press: Sunset Beach, CA, USA, 1990.– 752 p.
2. Ning T.H. CMOS in the New Millennium. – Semiconductor Fabtech. – 13th Edition, ICG Publishing Ltd., London, UK, 2001, p. 287– 295.
3. The International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 ed.– Semiconductor Industry Association, San Jose, CA.
4. The National Technology Roadmap for Semiconductors, 1997 ed.–Semiconductor Industry Association, San Jose, CA.
5. The International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 ed.– Semiconductor Industry Association, San Jose, CA.
6. The National Technology Roadmap for Semiconductors, 1997 ed.–Semiconductor Industry Association, San Jose, CA.
7. The International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 ed.– Semiconductor Industry Association, San Jose, CA.
8. Solid State Technology, April, 2001, p.20.
9. S.M.Sze. VLSI technology Owerviews and Trends. In: Proc. of the 14_th Conf. on Solid State Devices, Tokyo,1982; Jap. J. of Appl. Phys., V.22 (1983) Suppl.22_1, pp.3_10
10. Kawamato E., KimuraK., Nakazato J. et al. Yhe Outlook for Semiconductor Processes and Manufacturing Technologies in the 0.1-mm Age.–Hitachi Review, 1999, v.48, N6, p.334– 339.
11. Microlithogaphy: Science and Technology/edited by J.R.Sheats and B.W.Smith. Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 1998.– 780 p.
12. Sytsma A., Loan H., Moers M. et al. Improved Imaging Metrology Needed for Advanced Lithogaphy.– Semiconductor International, April, 2001,90.
13. Derbyshire K. Next-Generation Lithography: Beyond 100 nm. – Semiconductor Magazine, Sept., 2001, p.43– 45.
14. Microlithogaphy: Science and Technology/edited by J.R.Sheats and B.W.Smith. Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 1998.– 780 p.
15. Microlithogaphy: Science and Technology/edited by J.R.Sheats and B.W.Smith. Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 1998.– 780 p.
16. Sharan A., Ballingall J. Speeding the Transition to Sub-wavelength Silicon –Semiconductor Magazine, July, 2001, p.87– 98.
17. Derbyshire K. Next-Generation Lithography: Beyond 100 nm. –Semiconductor Magazine, Sept., 2001, p.43– 45.
18. Seidel P., Canning J., Mackay S. et al. Next Generation Advanced Lithography –Semiconductor Fabtech– 7-th Edition.– ICG Publishing Ltd., London, UK, 1998, p.147– 171.
19. Ware P. Next Generation Lithography: What’s Really Next?– New Direction in Lithography, 1999.– FSI International, Inc., p.16– 22.
20. Haavind R. Economic will dictate the Future.– Solid State Technology, Aug., 2001, p.14.
21. Seidel P., Canning J., Mackay S. et al. Next Generation Advanced Lithography –Semiconductor Fabtech– 7-th Edition.– ICG Publishing Ltd., London, UK, 1998, p.147– 171.
22. Ware P. Next Generation Lithography: What’s Really Next– New Direction in Lithography, 1999.– FSI International, Inc., p.16– 22.
23. Haavind R. Economic will dictate the Future.– Solid State Technology, Aug., 2001, p.14
24. Next-generation litho Progress, Innovative Technologies at MRS. – Solid State Technology, Feb., 2001, p.32.
25. Roush W. EUV Edging Out Revals as Next Generation IC Fab Tool.– IEEE Spectrum, June, 2001, p.25– 26.
26. Colburn M., Bailey T., Choi B.J. et al. Development and Advanteges of Step-and-Flash Lithography.–Solid State Technology, July, 2001, p.67– 68.
27. Braun A. Semiconductor International, 2.11.2009
28. http://www. intel.com.
29. Deffree S. Electronic News, 10.27.2008, www.smics.com.
30. Wilson R. Samsung intros 32Gbyte card using 30nm NAND chips.http:// www.electronicsweekly.com .
31. http://www.edn.com.
32. http://www.electronicsweekly.com.
33. http://www.globalspec.com/FeaturedProducts
34.
35. Гапонов С.В. Работы в области проекционной EUV- литографии в рамках российской программы. // С.В.Гапонов Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 2005. – Нижний Новгород: ИФМ РАН , 2005, Т. 10.
36. Chkhalo N.I. et al. Manufacturing and investigation of objective lens for ultrahigh resolution lithography facilities. – Proc.SPIE, 2008, v.7025. 11.
37. Bibishkin, M. S. et al. Multilayer Zr/Si filters for EUV lithography and for radiation source metrology. – Proc. SPIE, 2008, v.7025.
38. Chkhalo, N. I. et al. Correction of the EUV mirror substrate shape by ion beam. – Proc. SPIE, 2008, v.7025. 13.
39. Салащенко Н.Н. Коротковолновая проекционная литография.– Вестник РАН 2008, т.78, № 5.
40. Клюенков Е.Б. Работы по созданию и аттестации рентгенооптических элементов и систем сверхвысоко- го разрешения в ИФМ РАН. // Е.Б.Клюенков Изв.РАН . Сер. физическая. 2009. Т.1.
41. Аверкин С.Т. Разработка низкотемпературных плазмохимических процессов и серии плазменных установок для микро- и нанотехнологий. // С.Т.Аверкин. Труды ФТИАН «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника», 2005, Т. 18.
42. Сейсян Р. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете (Обзор).
// Р.Сейсян. Журнал технической физики, 2005, Т. 75.
43. Kim D., Cha D., Lee S. // Jap. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. 2728.
44. Салащенко Н.Н. Работы в области микроэлектроники. // Н.Н.Салащенко. Материалы Всероссийского совещания «Рентгеновская отпика». Нижний Новгород, 1998. С. 53– 57.
45. http://www.asml.com
46. O’Sullivan G., Dunne P. // Proc. EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
47. The Proceedings of EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
48. Борисов В.М. Работы в области нанотехнологий. // В.М. Борисов. Материалы Всероссийского совещания „Рентгеновская отпика“. Нижний Новгород, 2003. С. 124– 130
49. The Proceedings of EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
50. O’Sullivan G., Dunne P. // Proc. EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
51. The Proceedings of EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
52. Tichenor D.A., Cubiak G.D., Malinovski M.E., Stulen R.H. et al. // Proc. SPIE, Development of a Laboratory ExtremeUltraviolet Lithography Tool. Vol. 2194. P. 95– 105.
53. Horiike Y. Доклад о новой Японской программе работ по EUVL, Международный симпозиум по нанотехнологиям. СПб.: ФТИ, 2002.
54. Dinger U., Eisert F., Lasser H. et al. // SPIE PRO. 2000. Vol 4.0.
55. Bjorkholm J.E. // Intel Technology Journal. Q3’ 98. P. 1– 8.
56. Horiike Y. Доклад о новой Японской программе работ по EUVL, Международный симпозиум по нанотехнологиям. СПб.: ФТИ, 2002.
57. Dinger U., Eisert F., Lasser H. et al. // SPIE PRO. 2000. Vol 4.0.]
58. Ulrich W., Beiersdorfer S., Mann H.-J. // SPIE UC. 2000. Vol. 4.1.
59. Bjorkholm J.E. // Intel Technology Journal. Q3’ 98. P. 1– 8.
60. Matsuzawa N., Irie S., Yano E., Okazaki S., Ishitani A. // Theoretical Calculations of Photoabsorption of Polymers in the EUV (Extreme Ultraviolet) Region. SPIE Proc. 2001. Vol. 4343. P. 278– 284.
61. Бараш Е.Г., Кабин А.Ю., Любин В.М., Сейсян Р.П. // ЖТФ. 1992. Т.
62. Вып. 3. С. 106– 113.
62. Wagner Ch, Harned N Nature Photon. 4 24 (2010)
63. Wood O et al. Proc. SPIE 7271 727104 (2009) 97. Tawarayama K et al. Jpn. J. Appl. Phys. 48 06FA02 (2009)
64. Wood O et al. Proc. SPIE 7271 727104 (2009)
65. http://www.electroiq.com/articles /photolithography-microsteppers.html
66. Волгунов Д.Г. и др. Изв. РАН. Cep. физ. 75 54(2011)
67. Зуев С Ю И Др. Изв. РАН. Сер. физ. 75 61 (2011)
68. Tsarfati T ет а 1. Thin Solid Films 518 1365 (2009) 461 (2009)
69. ASML Images, Spring Edition 2008, p.8-9
список литературы
