ЭУФ-Литография в Производстве Микросхем: Детальный Анализ, Вызовы и Перспективы в Эпоху «Скрытого Кризиса Микроэлектроники»

Представьте себе мир, где каждый новый чип становится не просто «быстрее», а открывает двери к невиданным ранее вычислениям, искусственному интеллекту, квантовым прорывам. В основе этого прогресса лежит способность человечества создавать структуры невероятно малых размеров – интегральные микросхемы (ИМС). И если в 1965 году Гордон Мур предсказал удвоение числа транзисторов каждые два года, что впоследствии стало известным как Закон Мура, то сегодня мы стоим на пороге нового этапа, где каждый нанометр имеет значение. Текущая оптическая литография с длиной волны 193 нм, некогда флагман индустрии, достигла своего теоретического предела разрешения в 36 нм (полушаг) для иммерсионных систем с числовой апертурой 1.35, что привело к экспоненциальному росту сложности и стоимости производства при попытках дальнейшей миниатюризации. В этой критической точке, когда традиционные методы исчерпали себя, на авансцену выходит экстремальная ультрафиолетовая (ЭУФ) литография — технология, использующая свет с длиной волны 13,5 нм, способная печатать элементы размером менее 20 нм, что, несомненно, является решающим фактором для поддержания темпов технологического развития.

Данный аналитический обзор посвящен глубокому анализу и деконструкции феномена ЭУФ-литографии, ее ключевых аргументов, методологии исследования и выводов. Мы рассмотрим, почему эта технология считается не просто альтернативой, а единственной жизнеспособной дорогой для дальнейшей миниатюризации ИМС, вплоть до 3-нм и даже 2-нм узлов. Целевой аудиторией этого материала являются студенты, аспиранты и исследователи в области микроэлектроники, нанотехнологий, физики полупроводников и материаловедения, работающие над связанными академическими проектами. Наша цель — не только предоставить исчерпывающую информацию для углубленного понимания, но и заложить основу для критического обзора или потенциального расширения данного исследования в рамках магистерской диссертации, расширенного реферата или научно-аналитической статьи, предложив детальный аналитический обзор с планом дальнейшего изучения.

Введение: От Оптического Предела к Экстремальному Ультрафиолету

В мире высоких технологий, где каждый новый смартфон или процессор обещает невиданную производительность, миниатюризация интегральных микросхем (ИМС) остается краеугольным камнем прогресса. Однако этот путь, проложенный Законом Мура, оказался не таким уж и гладким. Долгое время оптическая литография была основным инструментом для создания микроскопических структур на кремниевых пластинах. Но, как и любая технология, она достигла своих физических пределов, что поставило перед индустрией вопрос о принципиально новых подходах.

ЭУФ-литография — это не просто следующий шаг, это квантовый скачок, который позволяет создавать элементы ИМС с невиданной ранее плотностью. Она является ответом на центральную проблему миниатюризации: как печатать все более мелкие детали, когда используемая длина волны света сама по себе становится слишком большой? Стратегическое значение этой технологии трудно переоценить, ведь именно она определяет будущее микроэлектроники и темпы развития таких областей, как искусственный интеллект, высокопроизводительные вычисления и передовые коммуникации, что делает её внедрение не просто желательным, а жизненно необходимым для сохранения технологического лидерства.

Данный аналитический обзор призван дать исчерпывающее представление об ЭУФ-литографии, ее фундаментальных принципах, ключевых компонентах и технологических вызовах. Мы углубимся в ее экономические аспекты, рассмотрим влияние на безопасность труда и окружающую среду, а также оценим роль в контексте «скрытого кризиса микроэлектроники». Целевая аудитория — это студенты, аспиранты и исследователи, которые стремятся получить глубокие знания для написания дипломных работ, магистерских диссертаций или научных статей в области микроэлектроники и нанотехнологий. Наша работа поможет им не только понять текущее состояние дел, но и определить перспективные направления для собственных исследований.

Ограничения Традиционной Оптической Литографии и Неизбежность Перехода к ЭУФ

В стремлении к созданию всё более мощных и компактных интегральных микросхем (ИМС) микроэлектронная индустрия на протяжении десятилетий руководствовалась эмпирическим правилом, известным как Закон Мура. Однако с течением времени традиционная оптическая литография, служившая верой и правдой, начала упираться в свои фундаментальные физические и экономические пределы. Именно это подтолкнуло к поиску радикально новых подходов, среди которых ЭУФ-литография оказалась единственной жизнеспособной альтернативой для дальнейшего масштабирования и миниатюризации.

Эволюция и пределы оптической литографии

Исторический путь оптической литографии — это увлекательная сага о постоянном стремлении к сокращению длины волны света. Начиная с 1960-х годов, когда использовался видимый свет, технология прошла через ряд критических этапов: от ртутной g-линии (436 нм) в конце 1970-х годов, позволившей создавать элементы размером до 1 мкм, до i-линии (365 нм) в начале 1980-х. Прорывом стало внедрение эксимерных лазеров: KrF (248 нм) около 1989 года и ArF (193 нм) около 2001 года. Каждое такое уменьшение длины волны сопровождалось значительным увеличением числа транзисторов на интегральной схеме, подтверждая Закон Мура.

Однако на пути к бесконечной миниатюризации возникли непреодолимые препятствия. Классическая DUV-литография (Deep Ultraviolet) с длиной волны 248 нм позволяла формировать минимальные ширины проводников в 100 нм, достигая максимального разрешения в 50-60 нм. Следующий шаг — 193-нм иммерсионная литография — казалось, расширил горизонты, заполнив пространство между линзой и подложкой жидкостью с высоким показателем преломления, что эффективно уменьшило длину волны света. Тем не менее, даже этот метод имеет свой теоретический предел разрешения, который составляет примерно 36 нм (полушаг) при числовой апертуре (NA) 1.35.

Формула разрешения в литографии обычно выражается как:

Разрешение = k1 · λ / NA

где \(\lambda\) — длина волны света, NA — числовая апертура оптической системы, а \(k_1\) — это коэффициент, отражающий сложность технологического процесса. Для 45-нм узла и более тонких технологий, таких как 32 нм, требовались чрезвычайно малые размеры элементов — менее четверти длины волны 193 нм. Это заставило инженеров прибегать к агрессивным методам, таким как альтернативные фазосдвигающие маски (APSM) и оптическая коррекция близости (OPC), при которых \(k_1\)-фактор приближается к своему теоретическому пределу (0,25), что означает, что технология работает на грани своих возможностей. Почему это так важно? Потому что каждый раз, когда мы приближаемся к физическим пределам, затраты и сложность растут экспоненциально, делая дальнейшую миниатюризацию экономически невыгодной без радикальных изменений.

Методы многократного формирования рисунка: усложнение и удорожание

Когда физические пределы 193-нм литографии стали очевидны, индустрия обратилась к методам многократного формирования рисунка (multi-patterning) как к временной мере для продления жизни существующего оборудования. Эти методы позволяют создавать более мелкие элементы, разбивая сложный рисунок на несколько более простых, которые затем экспонируются последовательно.

Существует несколько основных видов многократного экспонирования:

• Двойное экспонирование (LELE – Litho-Etch-Litho-Etch): Использует две литографические и две травильные операции для формирования одного слоя. Это удваивает количество шагов в литографическом процессе.
• Тройное экспонирование: Расширяет ту же идею, увеличивая количество операций до трёх.
• Самосовмещенное двойное экспонирование (SADP – Self-Aligned Double Patterning): Более сложный метод, использующий осаждение тонкого слоя материала и его последующее травление, чтобы создать вдвое более плотный рисунок.
• Самосовмещенное четверное экспонирование (SAQP – Self-Aligned Quadruple Patterning): Дальнейшее развитие SADP, позволяющее получить ещё более мелкие структуры.

Эти методы, хотя и позволили достичь более тонких технологических узлов (например, 22 нм и ниже), привели к значительному увеличению сложности технологического процесса и экспоненциальному росту стоимости производства. Например, для 7-нм узла иммерсионная литография требует уже четырёхкратного экспонирования. Если же попытаться расширить её до 5-нм узла, может потребоваться восьмикратное экспонирование, что считается чрезмерно сложным и экономически неэффективным.

Таблица 1: Сравнение многократного экспонирования и его влияния на сложность

Технологический узел	Метод многократного экспонирования (пример)	Количество литографических шагов (для одного слоя)	Относительная сложность / стоимость
45 нм (и выше)	Однократное экспонирование	1	Базовая
22 нм	Двойное экспонирование (LELE)	2	Удвоение
7 нм	Четырехкратное экспонирование	4	Значительное увеличение
5 нм (потенциально)	Восьмикратное экспонирование	8	Чрезмерная

Стоимость на одну пластину для процессов 193-нм литографии с многократным экспонированием значительно выше, чем для однократного. Это связано не только с дополнительными масками и производственными этапами, но и с увеличением загрузки степперов, что напрямую влияет на пропускную способность фабрики и общую себестоимость продукции. Иными словами, индустрия оказалась в ситуации, когда продление жизни старых технологий требовало неоправданно больших затрат, что делало переход к ЭУФ не просто желательным, а неизбежным.

ЭУФ-литография как прорывное решение

В условиях, когда традиционные методы достигли своих пределов, ЭУФ-литография (Extreme Ultraviolet Lithography) предложила радикальное решение. Используя свет экстремального ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм, эта технология позволяет печатать элементы размером менее 20 нм, что значительно превосходит возможности 193-нм иммерсионной литографии.

Переход на столь короткую длину волны является логичным продолжением исторической тенденции в фотолитографии и соответствует принципам Закона Мура. Именно это позволяет ЭУФ-литографии стать наиболее перспективной альтернативой для дальнейшей миниатюризации ИМС.

Одним из ключевых преимуществ ЭУФ является значительное сокращение количества этапов обработки. Например, для 7-нм узла ЭУФ-литография может сократить от 9 до 12 литографических шагов по сравнению с 34 шагами, необходимыми при использовании 193-нм иммерсионной литографии с многократным экспонированием. Это не только упрощает производственный процесс, но и существенно снижает вероятность возникновения дефектов, повышая выход годных изделий.

Будущее ЭУФ-литографии выглядит ещё более многообещающе с появлением высокоапертурных систем (High-NA EUV) с числовой апертурой 0,55. Такие системы обеспечивают улучшение разрешения примерно на 70% по сравнению с текущими системами ЭУФ с NA 0,33. Это приводит к почти в три раза большей плотности транзисторов и дополнительно упрощает производство за счёт дальнейшего сокращения сложных этапов многократного формирования рисунка, которые всё ещё могут быть необходимы для некоторых слоёв на предельных узлах даже с использованием стандартного ЭУФ. Разве не это тот прорыв, который необходим для поддержания темпов инноваций и сохранения конкурентоспособности?

Таким образом, для технологических норм менее 7 нм ЭУФ-литография не только обеспечивает техническую возможность дальнейшей миниатюризации, но и предлагает значительное экономическое преимущество за счёт снижения издержек по сравнению с другими методами литографии, которые пытаются продлить свой срок службы с помощью всё более сложных и дорогих многократных экспонирований.

Фундаментальные Принципы и Ключевые Компоненты ЭУФ-Литографии: Глубокое Погружение в Технологии

ЭУФ-литография — это вершина инженерной мысли, где каждый элемент системы функционирует на пределе современных технологических возможностей. В отличие от привычных оптических систем, работающих с видимым или глубоким ультрафиолетовым светом, ЭУФ-излучение с длиной волны 13,5 нм ведет себя совершенно иначе, требуя радикально новых подходов к его генерации, управлению и взаимодействию с материалами. Понимание архитектуры ЭУФ-системы, принципов работы каждого ее компонента и связанных с ними технологических вызовов является ключом к осознанию перспектив и ограничений этой прорывной технологии.

Источники экстремального ультрафиолетового излучения

Сердцем любой ЭУФ-литографической системы является источник света — генератор экстремального ультрафиолета. Это не обычная лампа, а сложнейший комплекс, способный производить излучение с длиной волны 13,5 нм, которое по своим характеристикам ближе к мягкому рентгеновскому спектру. На сегодняшний день наиболее распространенными и коммерчески успешными являются источники на основе лазерно-индуцированной плазмы (LPP).

Принцип работы LPP-источника напоминает миниатюрный, но чрезвычайно мощный взрыв. В нем используются CO₂-лазерные импульсы, которые направляются на микроскопические капли расплавленного олова. Под воздействием лазера олово мгновенно испаряется и превращается в высокотемпературную плазму. Именно эта плазма, разогретая до миллионов градусов Цельсия, излучает свет в требуемом ЭУФ-диапазоне.

Таблица 2: Основные характеристики ЭУФ-источников LPP

Параметр	Значение	Комментарий
Длина волны излучения	13,5 нм	Оптимизирована для максимального отражения Mo/Si зеркал.
Рабочий материал	Олово (Sn)	Выбор обусловлен высокой эффективностью генерации ЭУФ-излучения в плазме.
Лазер	CO2-лазер	Мощные импульсы для создания плазмы.
Эффективность преобразования	< 5%	Низкая эффективность является ключевой проблемой, требующей высокой мощности лазеров.
Целевая мощность (текущая)	≥ 250 Вт	Необходима для обеспечения достаточной производительности (throughput).
Целевая мощность (High-NA)	≥ 500 Вт	Требуется для нового поколения систем с высокой числовой апертурой, что увеличивает сложность.

Низкая эффективность преобразования лазерной энергии в ЭУФ-излучение (менее 5%) является одним из главных технологических вызовов. Для компенсации этого требуется использование чрезвычайно мощных CO₂-лазеров и постоянное повышение стабильности и долговечности оловянного коллектора. Исследования активно ведутся над альтернативными источниками, такими как синхротроны (которые, однако, слишком велики для коммерческого применения в фабриках) или источники на свободных электронах (Free-Electron Lasers, FEL), которые могут предложить более высокую эффективность в будущем. Целевая мощность в 250 Вт для текущих систем и не менее 500 Вт для перспективных систем с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) подчеркивает колоссальные энергетические требования к этой технологии.

Отражающая оптика и вакуумная среда

В отличие от традиционной оптической литографии, где используются прозрачные линзы из кварца, ЭУФ-излучение сильно поглощается практически любым материалом, включая воздух и стекло. Это означает, что привычные линзы не работают. Решением стали многослойные зеркала и полностью вакуумная среда для всего тракта прохождения света.

Оптика для ЭУФ-литографии состоит из серии многослойных зеркал, которые отражают свет на основе принципа Брэгговской дифракции, аналогично тому, как это происходит в рентгеновской оптике. Эти зеркала обычно состоят из 60-100 или более чередующихся слоев молибдена (Mo) и кремния (Si) с толщиной в несколько нанометров каждый. Такая структура оптимизирована для максимального отражения света с длиной волны 13,5 нм за счет межслойной интерференции.

Таблица 3: Характеристики многослойных Mo/Si зеркал для ЭУФ

Параметр	Значение / Характеристика	Значение для ЭУФ-литографии (13,5 нм)
Материалы слоев	Молибден (Mo) и Кремний (Si)	Оптимальное сочетание для нужной длины волны.
Количество слоев	60-100 и более	Обеспечивает необходимое количество интерференций для отражения.
Толщина отдельных слоев	Несколько нанометров	Точно настроена для длины волны 13,5 нм.
Коэффициент отражения (типичный)	До 67,5% при 13,4 нм	Показывает, что значительная часть энергии теряется на каждом зеркале.
Коэффициент отражения (экспериментальный)	До 70,3% при 13,5 нм (с улучшенным интерфейсом)	Достигается с применением слоев карбида бора или иттрия.
Теоретический предел отражения	Около 75% для идеального Mo/Si мультислоя	Физическое ограничение для данной пары материалов.
Качество поверхности	Полировка до гладкости, не превышающей толщины одного атома (несколько ангстрем)	Критически важно для минимизации рассеяния света и аберраций.

Низкий коэффициент отражения каждого зеркала (около 67,5%) означает, что при каждом отражении значительная часть энергии луча (примерно 1/3) поглощается. Поскольку в системе ЭУФ-литографа используется от 6 до 8 таких зеркал, общие потери энергии достигают колоссальных значений. Например, если каждое из шести зеркал отражает 67,5% света, то на подложку доходит всего 67,5%⁶ ≈ 0,088 или около 8,8% исходного излучения. Это является основной причиной, почему требуются чрезвычайно мощные ЭУФ-источники.

Кроме того, сильное поглощение ЭУФ-излучения воздухом обуславливает необходимость создания глубокого вакуума во всем рабочем объеме литографа. Поддержание такого вакуума в крупногабаритной и сложной системе, где движутся пластины и фотошаблоны, является самостоятельной инженерной задачей.

ЭУФ-фотошаблоны: производство, дефекты и стоимость

Фотошаблоны (маски) в ЭУФ-литографии также кардинально отличаются от своих оптических предшественников. В традиционной оптической литографии используются просвечивающие маски — хромовые узоры на прозрачной кварцевой подложке. Для ЭУФ-излучения кварц непрозрачен, поэтому ЭУФ-фотошаблоны являются отражающими.

Типичный ЭУФ-фотошаблон состоит из кремниевой подложки, на которую нанесен многослойный отражающий стек (40-50 чередующихся слоев кремния и молибдена, аналогично зеркалам, но с другими толщинами слоев), а сверху — поглощающий рисунок из хрома или тантала. Свет падает на маску, отражается от многослойного стека, проходя через области без поглощающего рисунка, и формирует изображение на пластине.

Таблица 4: Сравнение характеристик DUV и EUV фотошаблонов

Характеристика	DUV-маска (193 нм)	ЭУФ-маска (13,5 нм)
Тип	Просвечивающая	Отражающая
Подложка	Кварц	Кремний с многослойным отражающим стеком Mo/Si
Поглощающий слой	Хром (один слой)	Хром или тантал (один слой) поверх отражающего стека
Стоимость (приблизительно)	< 150 000 USD	> 300 000 USD (за одну маску); > 10 млн USD (за комплект для 4-нм узла); > 100 тыс. USD (заготовка)
Контроль дефектов	Выявление дефектов размером > 30 нм	Выявление суб-нанометровых дефектов (< 10 нм)
Срок службы	Долгий, относительно простая очистка	Сокращенный, сложная очистка, потребность в дубликатах

Производство ЭУФ-масок — это невероятно сложный и дорогостоящий процесс. Главная проблема заключается в контроле дефектов. Даже мельчайшие наночастицы или структурные неоднородности на поверхности фотошаблона могут привести к критическим дефектам на готовой ИМС. Эти дефекты, которые могут быть размером всего в несколько нанометров, требуют сложнейших методов инспекции и ремонта, что резко увеличивает стоимость. Например, стоимость заготовки ЭУФ-маски с жесткими спецификациями может превышать 100 тыс. долларов США, тогда как готовая маска может стоить более 300 тыс. долларов США. Комплект критических шаблонов для 4-нм узла может обойтись в более чем 10 миллионов долларов США.

Дополнительная сложность и стоимость обусловлены сокращенным сроком службы ЭУФ-масок по сравнению с DUV-масками. Это требует более частой очистки, что само по себе является деликатным процессом, и наличия дубликатов для обеспечения непрерывности производства.

Фоторезисты для ЭУФ-литографии: компромиссы и вызовы

Выбор и разработка фоторезистов — светочувствительных полимерных материалов, на которые проецируется рисунок — являются ещё одной критически важной областью в ЭУФ-литографии. К ним предъявляются крайне жесткие и зачастую противоречивые требования.

Для оценки фоторезистов используется так называемый RLS-треугольник, который описывает компромисс между тремя ключевыми метриками:

1. Разрешение (Resolution): Минимальный размер элемента, который может быть сформирован резистом.
2. Чувствительность (Sensitivity): Минимальная доза излучения, необходимая для изменения свойств резиста, чтобы сформировать рисунок. Высокая чувствительность позволяет увеличить производительность литографа (больше пластин в час).
3. Шероховатость края линии (LER – Line Edge Roughness) / Шероховатость ширины линии (LWR – Line Width Roughness): Мера неровности краев сформированных линий. Низкие значения LER/LWR критически важны для стабильной работы транзисторов и минимизации разброса характеристик.

Проблема в том, что улучшение одного параметра часто приводит к ухудшению другого. Например, увеличение чувствительности (снижение дозы) может вызвать ухудшение разрешения или повышение LER/LWR.

Таблица 5: Требования и текущие проблемы фоторезистов для ЭУФ

Параметр	Целевые метрики (22-нм полушаговый узел)	Текущие значения / Проблемы
Разрешение	22 нм	Для 0.33 NA EUV сканеров предел по шагу линии/пробела составляет 24 нм.
LWR	< 1,8 нм	Текущие значения LER около 4 нм, что значительно выше целевых показателей.
Чувствительность	10-15 мДж/см²	Требуется баланс с разрешением и LER/LWR.
Газовыделение	Низкое	Важно для поддержания вакуума и предотвращения загрязнения оптики.
Механическая прочность	Высокая	Обеспечение целостности тонких структур после травления.

Одной из фундаментальных проблем, связанных с ЭУФ-резистами, является высокоэнергетическая природа ЭУФ-фотонов. Фотоны с энергией 92 эВ (для 13,5 нм) способны генерировать множество вторичных электронов при взаимодействии с резистом. Эти вторичные электроны могут разлетаться на расстояния до нескольких нанометров, вызывая химические реакции в областях резиста, которые не должны быть экспонированы. Это приводит к размытости изображения и потере разрешения, усугубляя проблему шероховатости краев линии (LER/LWR). Какой важный нюанс здесь упускается? То, что это не просто техническая проблема, а глубокое физическое ограничение, требующее принципиально новых подходов к материаловедению и дизайну резистов.

Неравномерность поглощенной дозы в резисте, вызванная как статистической природой взаимодействия фотонов, так и распространением вторичных электронов, также способствует этим проблемам. Для будущих узлов требуются значения LWR порядка 2 нм, в то время как текущие значения LER для ЭУФ-резистов составляют около 4 нм, что указывает на значительный разрыв между текущими возможностями и целевыми требованиями.

Таким образом, создание бездефектных фотошаблонов, разработка инфраструктуры контроля дефектов, повышение долгосрочной надежности источников излучения и, наконец, преодоление компромиссов в RLS-треугольнике фоторезистов являются ключевыми технологическими вызовами, которые необходимо решить для дальнейшего масштабирования ЭУФ-литографии.

Достижения и Перспективы ЭУФ-Нанолитографии: Глобальный и Российский Контекст

ЭУФ-нанолитография, некогда казавшаяся научной фантастикой, сегодня стала реальностью, определяющей вектор развития мировой микроэлектронной индустрии. Ее внедрение не только позволило преодолеть барьеры, возникшие перед традиционной оптической литографией, но и открыло путь к созданию интегральных микросхем с беспрецедентной плотностью транзисторов. При этом, наряду с глобальными лидерами, Россия также активно развивает собственные компетенции в этой стратегически важной области.

Мировые достижения и внедрение в промышленность

Последние десятилетия стали свидетелями впечатляющего прогресса в освоении ЭУФ-литографии. Ведущие мировые производители полупроводникового оборудования, такие как ASML, при поддержке крупнейших чипмейкеров (Samsung, TSMC, Intel), смогли перевести технологию из лабораторий в массовое производство. Сегодня ЭУФ-системы активно используются для изготовления чипов по технологическим нормам 10 нм, 7 нм, 5 нм и 3 нм, становясь ключевым фактором конкурентоспособности в полупроводниковой гонке.

Хронология внедрения ЭУФ-литографии в промышленность (упрощенная):

• Начало 2010-х: Активные исследования и разработка прототипов.
• Середина 2010-х: Первые коммерческие ЭУФ-сканеры, начало квалификации для некритических слоев.
• 2018-2019 гг.: Массовое внедрение ЭУФ для производства 7-нм и 5-нм чипов (Samsung, TSMC).
• Начало 2020-х: Расширение применения до 3-нм узлов.
• 2025 год и далее: Ожидается повсеместное внедрение высокоапертурной (High-NA) ЭУФ-литографии.

Наиболее значимым шагом вперед стало появление высокоапертурной ЭУФ-литографии (High-NA EUV). Системы High-NA, например, TWINSCAN EXE:5000 от ASML, увеличивают числовую апертуру (NA) с 0,33 до 0,55. Это, согласно принципу Рэлея (Разрешение ~ λ / NA), приводит к улучшению разрешения примерно на 70%. На практике это означает возможность создания более плотных рисунков и почти в три раза большей плотности транзисторов по сравнению с текущими системами ЭУФ с NA 0,33. Такое улучшение разрешения позволяет упростить производственный процесс за счет сокращения или полного исключения сложных этапов многократного формирования рисунка даже для самых критических слоев на предельных узлах (2 нм и ниже).

Однако внедрение High-NA EUV также сопряжено с новыми вызовами, в частности, с требованиями к мощности источника. Если для стандартных ЭУФ-систем целевая мощность составляет 250 Вт, то для High-NA EUV потребуется не менее 500 Вт, что еще больше усложнит конструкцию источников и потребует дальнейших инноваций в этой области.

Российские разработки в области ЭУФ-литографии

В условиях глобальной конкуренции и стремления к технологическому суверенитету, Россия также активно развивает собственные компетенции в области ЭУФ-литографии. Ключевую роль в этих усилиях играет Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН) в Нижнем Новгороде.

В 2025 году ИФМ РАН представил амбициозную дорожную карту по развитию российской ЭУФ-литографии до 2037 года. Целью этой инициативы является создание полного цикла отечественного оборудования для производства микроэлектроники по передовым нормам. Одним из наиболее заметных достижений стало создание прототипа установки для производства современной микроэлектроники, а также активные работы по разработке литографов, работающих на длине волны 11,2 нм. Это является важным направлением, поскольку использование более короткой длины волны, чем стандартные 13,5 нм, теоретически может обеспечить еще более высокое разрешение.

Ключевые аспекты российских разработок:

• Институт: Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН).
• Цель: Создание отечественного ЭУФ-литографического оборудования для технологического суверенитета.
• Длина волны: Исследования и разработки литографов на длине волны 11,2 нм (в дополнение к 13,5 нм).
• Дорожная карта: До 2037 года.
• Достижения: Создание прототипов установок.

Эти усилия демонстрируют стремление России сократить отставание в критически важной области микроэлектроники. Разработка собственных ЭУФ-систем на более коротких длинах волн, а также формирование комплексной дорожной карты, свидетельствуют о серьезных инвестициях и стратегическом подходе к обеспечению будущего отечественной полупроводниковой промышленности. Успех этих проектов будет иметь решающее значение для развития российской микроэлектроники и ее независимости на мировом рынке.

Экономические Аспекты и Стратегическое Влияние ЭУФ-Литографии

Переход на ЭУФ-литографию — это не просто технологический, но и колоссальный экономический вызов. Астрономическая стоимость оборудования и инфраструктуры, необходимость многомиллиардных инвестиций в НИОКР и производство создают барьеры входа, доступные лишь крупнейшим игрокам рынка. Однако за этими затратами стоит стратегическое влияние, способное изменить ландшафт всей микроэлектронной индустрии и решить проблему, известную как «скрытый кризис микроэлектроники».

Затраты на оборудование и окупаемость инвестиций

Стоимость ЭУФ-систем ошеломляет. Один современный ЭУФ-сканер ASML, например, модель Twinscan NXE, может стоить более 150-200 миллионов долларов США, а следующее поколение High-NA EUV-систем превышает 300 миллионов долларов. Это делает их одними из самых дорогих машин, когда-либо созданных человечеством. Помимо самих сканеров, требуется огромная инфраструктура: специализированные чистые помещения, системы поддержания сверхглубокого вакуума, мощнейшие лазерные установки для источников света, сложнейшие системы контроля дефектов фотошаблонов, а также обучение высококвалифицированного персонала.

Таблица 6: Приблизительная стоимость ключевых элементов ЭУФ-производства

Элемент	Приблизительная стоимость (USD)	Комментарий
Один ЭУФ-сканер (текущее поколение)	150-200 млн	Базовая стоимость одного литографического инструмента.
Один High-NA EUV-сканер (будущее поколение)	> 300 млн	Ещё более высокие требования к технологиям и мощности.
ЭУФ-фотошаблон (один)	> 300 000	Высокая стоимость из-за сложности производства и контроля дефектов.
Комплект критических ЭУФ-шаблонов (для 4-нм узла)	> 10 млн	Необходимость в нескольких масках для одного технологического узла.
Заготовка ЭУФ-маски (без рисунка)	> 100 000	Исходный материал с высокими требованиями к чистоте и гладкости.
Фабрика («фаб») с ЭУФ-линиями	Десятки миллиардов	Общая стоимость строительства и оснащения современного полупроводникового завода.

Несмотря на эти колоссальные инвестиции, ЭУФ-литография обеспечивает значительное преимущество в издержках для технологических норм менее 7 нм. Это достигается за счёт сокращения количества этапов многократного экспонирования. Как было упомянуто ранее, на 7-нм узле ЭУФ-литография может сократить от 9 до 12 литографических шагов по сравнению с 34 шагами, необходимыми при использовании 193-нм иммерсионной литографии. Каждый дополнительный шаг в DUV-литографии означает увеличение времени обработки пластины, потребление материалов, электроэнергии, а также повышенный риск возникновения дефектов. Таким образом, несмотря на высокую начальную стоимость, в долгосрочной перспективе ЭУФ-литография становится более экономически выгодной для производства передовых чипов, обеспечивая лучшую окупаемость инвестиций за счёт повышения производительности и выхода годных изделий.

ЭУФ-литография в контексте «скрытого кризиса микроэлектроники»

Термин «скрытый кризис микроэлектроники» относится к комплексу проблем, которые стали проявляться по мере приближения традиционных технологий к своим физическим пределам, замедляя темпы, предсказанные Законом Мура. Этот кризис характеризуется несколькими взаимосвязанными факторами:

• Замедление Закона Мура: Долгое время удвоение числа транзисторов каждые два года было нормой, но с каждым новым технологическим узлом этот темп замедляется, а сложность и стоимость инженерных решений для его поддержания экспоненциально растут.
• Рост стоимости НИОКР: Разработка новых процессов и оборудования для миниатюризации требует астрономических вложений в исследования и разработки, что делает индустрию всё более капиталоёмкой.
• Физические ограничения: На атомном уровне возникают фундаментальные физические барьеры для дальнейшего уменьшения размеров элементов, такие как квантовые эффекты, утечки тока и тепловыделение.
• «Стены» в литографии: Традиционная оптическая литография достигла своих физических пределов, требуя всё более сложных и дорогих методов, таких как multi-patterning, которые уже не способны обеспечить необходимый прорыв.

В этом контексте ЭУФ-литография выступает не просто как новая технология, а как критически важный инструмент для преодоления «скрытого кризиса» и сохранения темпов прогресса, заложенных Законом Мура. Она предлагает фундаментальное решение проблемы разрешения, позволяя перейти на принципиально иной уровень детализации. Без ЭУФ-литографии дальнейшая миниатюризация до 3-нм и 2-нм узлов была бы невозможна или, по крайней мере, экономически нецелесообразна с использованием старых методов.

Таким образом, ЭУФ-литография является не только драйвером технологического прогресса, но и стратегическим императивом для всей микроэлектронной индустрии. Она позволяет продлить действие Закона Мура, обеспечивая фундамент для развития следующих поколений вычислительной техники, искусственного интеллекта и других высокотехнологичных областей, несмотря на постоянно возрастающие вызовы.

Безопасность Труда и Экологические Аспекты Эксплуатации ЭУФ-Систем

Внедрение и эксплуатация таких высокотехнологичных и сложных систем, как ЭУФ-литографы, несет в себе не только колоссальные технологические и экономические преимущества, но и значительные риски, связанные с безопасностью труда и воздействием на окружающую среду. Экстремальное ультрафиолетовое излучение, работа в глубоком вакууме и использование специфических химических компонентов требуют строгого соблюдения нормативных требований и разработки комплексных мер по минимизации потенциальных опасностей.

Риски и меры безопасности

Работа с ЭУФ-литографическими системами сопряжена с несколькими ключевыми типами рисков:

1. ЭУФ-излучение: Хотя ЭУФ-излучение и поглощается воздухом, а весь технологический процесс происходит в вакууме, его генерация и возможные утечки представляют серьезную опасность. Фотоны с энергией 92 эВ облад��ют высокой ионизирующей способностью, что может привести к повреждению тканей человека.
   • Меры безопасности:
     • Полностью герметичные системы: Все части ЭУФ-литографа, где генерируется или проходит излучение, должны быть полностью герметизированы и работать под глубоким вакуумом, исключая контакт с внешней средой.
     • Биологическая защита: Использование экранирующих материалов и конструкций, способных поглощать остаточное излучение.
     • Системы мониторинга: Постоянный контроль уровня радиации в рабочих зонах с помощью высокочувствительных датчиков.
     • Обучение персонала: Строгое соблюдение протоколов безопасности, использование средств индивидуальной защиты (СИЗ), обучение действиям в аварийных ситуациях.
2. Вакуумная среда: Работа в условиях глубокого вакуума (от 10^-6 до 10^-9 Торр) требует особых мер предосторожности. Разгерметизация системы может привести к имплозии (внутреннему схлопыванию), а также к выбросу потенциально опасных веществ.
   • Меры безопасности:
     • Прочные конструкции: Оборудование должно выдерживать значительные перепады давления.
     • Системы аварийного отключения: Автоматические системы, способные быстро и безопасно изолировать секции или полностью отключить систему в случае разгерметизации.
     • Контроль атмосферы: Мониторинг состава газов в помещениях на предмет утечек технологических газов.
3. Химические компоненты:
   • Олово (Sn) в источниках LPP: Расплавленное олово, используемое в LPP-источниках, является токсичным металлом. Его пары и микрочастицы могут быть опасны при вдыхании или контакте с кожей.
     • Меры безопасности:
       • Замкнутые системы подачи и утилизации олова: Минимизация контакта персонала с оловом.
       • Вытяжные системы: Эффективная вентиляция и фильтрация воздуха вблизи источников.
       • Специализированные СИЗ: Защитные костюмы, респираторы, перчатки.
   • Фоторезисты и проявители: Многие компоненты фоторезистов и химикатов, используемых для их проявления и удаления, могут быть токсичными, легковоспламеняющимися или коррозионными.
     • Меры безопасности:
       • Автоматизированные системы подачи: Минимизация ручного контакта с химикатами.
       • Надлежащее хранение и утилизация: Соблюдение правил хранения химикатов и их безопасной утилизации в соответствии с экологическими стандартами.
       • Аварийные души и станции для промывания глаз: Обязательное наличие в непосредственной близости от рабочих зон.

Экологическое воздействие и энергоэффективность

ЭУФ-литография, как и любая передовая производственная технология, оказывает значительное воздействие на окружающую среду, в первую очередь, из-за высокого энергопотребления и образования отходов.

1. Энергопотребление: ЭУФ-литографы являются одними из самых энергоемких машин в полупроводниковой промышленности. По некоторым оценкам, энергопотребление ЭУФ-инструментов может быть в 10 раз выше, чем у DUV-систем. Большая часть этой энергии расходуется на работу мощных лазеров для генерации ЭУФ-излучения, поддержание вакуума, а также на системы охлаждения, необходимые для отвода тепла.
   • Меры по снижению энергопотребления:
     • Повышение эффективности источников: Поиск новых материалов и методов генерации ЭУФ с более высоким КПД (например, переход к источникам на свободных электронах).
     • Оптимизация систем охлаждения: Разработка более эффективных и энергосберегающих систем теплоотвода.
     • Интеграция возобновляемых источников энергии: Переход на «зеленые» источники энергии для питания фабрик.
2. Управление отходами: Производство микросхем, в том числе с использованием ЭУФ-литографии, генерирует значительное количество отходов, включая:
   • Химические отходы: Остатки фоторезистов, проявителей, растворителей, травильных агентов.
   • Оловосодержащие отходы: Отработанное олово из источников LPP.
   • Отходы материалов: Неиспользованные части пластин, фотошаблонов, компонентов оптики.
   • Меры по управлению отходами:
     • Рециклинг и реутилизация: Разработка технологий для переработки и повторного использования химикатов и материалов.
     • Минимизация отходов: Оптимизация процессов для уменьшения количества используемых материалов и образования отходов.
     • Экологически чистые технологии: Поиск более безопасных и биоразлагаемых фоторезистов и химикатов.
     • Строгое соответствие нормативам: Соблюдение национальных и международных стандартов по утилизации опасных отходов.

Таким образом, обеспечение безопасности труда и минимизация экологического воздействия являются неотъемлемыми компонентами успешного и устойчивого развития ЭУФ-литографии. Комплексный подход, включающий жесткие протоколы безопасности, постоянный мониторинг, инвестиции в более чистые и энергоэффективные технологии, является обязательным условием для дальнейшего масштабирования этой революционной технологии.

Заключение: Будущее ЭУФ-Литографии и Направления Дальнейших Исследований

В последние десятилетия человечество стало свидетелем беспрецедентного технологического рывка, в основе которого лежит непрерывная миниатюризация интегральных микросхем. ЭУФ-литография, некогда дерзкая концепция, превратилась в краеугольный камень современного производства полупроводников, позволив преодолеть физические и экономические барьеры, возникшие перед традиционной оптической литографией. Мы детально рассмотрели, как переход от длины волны 193 нм к 13,5 нм стал неизбежным ответом на потребности индустрии, позволив создавать транзисторы размером менее 20 нм и значительно упрощая многоэтапные процессы.

Ключевые выводы, сделанные в данном аналитическом обзоре, подчеркивают значимость ЭУФ-литографии:

• Преодоление пределов оптической литографии: ЭУФ-технология эффективно заменила сложные и дорогостоящие методы многократного формирования рисунка, которые были необходимы для 193-нм литографии при переходе на суб-22 нм узлы.
• Сложность и инновационность компонентов: Каждый элемент ЭУФ-системы — от LPP-источников на олове, работающих в вакууме, до многослойных Mo/Si зеркал и отражающих фотошаблонов — является шедевром инженерной мысли, требующим постоянных инноваций для повышения эффективности и снижения дефектности.
• Вызовы в области материалов: Разработка фоторезистов, балансирующих между высоким разрешением, чувствительностью и низкой шероховатостью края линии (RLS-треугольник), остается одной из ключевых проблем, усугубляемых высокоэнергетическим характером ЭУФ-излучения.
• Экономический и стратегический императив: Несмотря на колоссальные инвестиции, ЭУФ-литография обеспечивает экономическую эффективность для узлов менее 7 нм и является критически важным инструментом для преодоления «скрытого кризиса микроэлектроники«, поддерживая темпы Закона Мура.
• Безопасность и экология: Эксплуатация ЭУФ-систем требует строжайших мер безопасности из-за рисков, связанных с ЭУФ-излучением, вакуумом и токсичными материалами, а также решения проблем высокого энергопотребления и управления отходами.
• Российский вклад: Работы Института физики микроструктур РАН по разработке отечественных ЭУФ-систем, включая литографы с длиной волны 11,2 нм, демонстрируют стремление России к технологическому суверенитету в этой стратегически важной области.

Роль ЭУФ-литографии в сохранении темпов развития микроэлектроники трудно переоценить. Она является не просто следующим шагом, а фундаментальным сдвигом, который позволил индустрии продолжить движение вперёд, открывая путь к созданию чипов для искусственного интеллекта, квантовых вычислений и других передовых технологий.

Для студентов и исследователей, работающих в этой области, остаются многочисленные перспективные направления для дальнейших академических и промышленных исследований:

• Новые материалы для фоторезистов: Разработка фоторезистов с улучшенными характеристиками по RLS-треугольнику, устойчивых к вторичным электронам и обладающих меньшей шероховатостью края линии. Исследование новых химических составов и архитектур полимеров.
• Повышение эффективности источников ЭУФ: Исследование альтернативных методов генерации ЭУФ-излучения с более высоким КПД, снижением энергопотребления и увеличением срока службы, таких как источники на свободных электронах.
• Инновационные методы контроля и ремонта дефектов фотошаблонов: Разработка более чувствительных и быстрых систем для выявления суб-нанометровых дефектов, а также новых подходов к их ремонту, позволяющих снизить стоимость и увеличить выход годных масок.
• Развитие высокоапертурной ЭУФ-литографии (High-NA EUV): Дальнейшая оптимизация оптических систем, источников и фоторезистов для High-NA систем, а также исследование их интеграции в производственные процессы.
• Экологическая устойчивость: Поиск способов снижения энергопотребления ЭУФ-фабрик, разработка технологий для переработки и реутилизации отходов, а также создание более экологичных химических компонентов.
• Моделирование и симуляция: Разработка более точных моделей взаимодействия ЭУФ-излучения с материалами, процессов формирования изображения и роста дефектов для оптимизации всей технологической цепочки.

ЭУФ-литография — это постоянно развивающаяся область, которая требует междисциплинарного подхода и постоянного стремления к инновациям. Будущее микроэлектроники во многом зависит от того, насколько успешно будут решены текущие и будущие вызовы этой стратегически важной технологии.

Список использованной литературы

1. Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 2 – Process Integration. Sunset Beach, CA, USA: Lattice Press, 1990. 752 p.
2. Ning T.H. CMOS in the New Millennium. Semiconductor Fabtech. 13th ed. London, UK: ICG Publishing Ltd., 2001. P. 287–295.
3. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 ed. San Jose, CA: Semiconductor Industry Association.
4. The National Technology Roadmap for Semiconductors, 1997 ed. San Jose, CA: Semiconductor Industry Association.
5. Solid State Technology. 2001. April. P. 20.
6. Sze S.M. VLSI technology Owerviews and Trends. In: Proc. of the 14th Conf. on Solid State Devices, Tokyo, 1982. Jap. J. of Appl. Phys. 1983. V. 22. Suppl. 22-1. P. 3–10.
7. Kawamato E., Kimura K., Nakazato J. et al. The Outlook for Semiconductor Processes and Manufacturing Technologies in the 0.1-mm Age. Hitachi Review. 1999. V. 48, N6. P. 334–339.
8. Microlithography: Science and Technology / edited by J.R. Sheats and B.W. Smith. New York, USA: Marcell Dekker Inc., 1998. 780 p.
9. Sytsma A., Loan H., Moers M. et al. Improved Imaging Metrology Needed for Advanced Lithography. Semiconductor International. 2001. April. P. 90.
10. Derbyshire K. Next-Generation Lithography: Beyond 100 nm. Semiconductor Magazine. 2001. Sept. P. 43–45.
11. Sharan A., Ballingall J. Speeding the Transition to Sub-wavelength Silicon. Semiconductor Magazine. 2001. July. P. 87–98.
12. Seidel P., Canning J., Mackay S. et al. Next Generation Advanced Lithography. Semiconductor Fabtech. 7th ed. London, UK: ICG Publishing Ltd., 1998. P. 147–171.
13. Ware P. Next Generation Lithography: What’s Really Next? New Direction in Lithography. FSI International, Inc., 1999. P. 16–22.
14. Haavind R. Economic will dictate the Future. Solid State Technology. 2001. Aug. P. 14.
15. Next-generation litho Progress, Innovative Technologies at MRS. Solid State Technology. 2001. Feb. P. 32.
16. Roush W. EUV Edging Out Revals as Next Generation IC Fab Tool. IEEE Spectrum. 2001. June. P. 25–26.
17. Colburn M., Bailey T., Choi B.J. et al. Development and Advantages of Step-and-Flash Lithography. Solid State Technology. 2001. July. P. 67–68.
18. Braun A. Semiconductor International. 2009. 2 ноября.
19. Intel. URL: http://www.intel.com.
20. Deffree S. Electronic News. 2008. 27 октября. URL: www.smics.com.
21. Wilson R. Samsung intros 32Gbyte card using 30nm NAND chips. URL: http://www.electronicsweekly.com.
22. EDN. URL: http://www.edn.com.
23. Globalspec. URL: http://www.globalspec.com/FeaturedProducts.
24. Semiconductor.net. URL: http://www.semiconductor.net.
25. Гапонов С.В. Работы в области проекционной EUV-литографии в рамках российской программы. Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2005. Т. 10.
26. Chkhalo N.I. et al. Manufacturing and investigation of objective lens for ultrahigh resolution lithography facilities. Proc.SPIE. 2008. V. 7025. 11.
27. Bibishkin M.S. et al. Multilayer Zr/Si filters for EUV lithography and for radiation source metrology. Proc. SPIE. 2008. V. 7025.
28. Chkhalo N.I. et al. Correction of the EUV mirror substrate shape by ion beam. Proc. SPIE. 2008. V. 7025. 13.
29. Салащенко Н.Н. Коротковолновая проекционная литография. Вестник РАН. 2008. Т. 78, № 5.
30. Клюенков Е.Б. Работы по созданию и аттестации рентгенооптических элементов и систем сверхвысокого разрешения в ИФМ РАН. Изв. РАН. Сер. физическая. 2009. Т. 1.
31. Аверкин С.Т. Разработка низкотемпературных плазмохимических процессов и серии плазменных установок для микро- и нанотехнологий. Труды ФТИАН «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника». 2005. Т. 18.
32. Сейсян Р. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете (Обзор). Журнал технической физики. 2005. Т. 75.
33. Kim D., Cha D., Lee S. Jap. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. 2728.
34. Салащенко Н.Н. Работы в области микроэлектроники. Материалы Всероссийского совещания «Рентгеновская оптика». Нижний Новгород, 1998. С. 53–57.
35. ASML. URL: http://www.asml.com.
36. O’Sullivan G., Dunne P. Proc. EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
37. The Proceedings of EUVL Source Workshop. Dallas, 2002.
38. Борисов В.М. Работы в области нанотехнологий. Материалы Всероссийского совещания „Рентгеновская оптика“. Нижний Новгород, 2003. С. 124–130.
39. Tichenor D.A., Cubiak G.D., Malinovski M.E., Stulen R.H. et al. Proc. SPIE, Development of a Laboratory Extreme Ultraviolet Lithography Tool. Vol. 2194. P. 95–105.
40. Horiike Y. Доклад о новой Японской программе работ по EUVL, Международный симпозиум по нанотехнологиям. СПб.: ФТИ, 2002.
41. Dinger U., Eisert F., Lasser H. et al. SPIE PRO. 2000. Vol 4.0.
42. Ulrich W., Beiersdorfer S., Mann H.-J. SPIE UC. 2000. Vol. 4.1.
43. Bjorkholm J.E. Intel Technology Journal. 1998. Q3. P. 1–8.
44. Matsuzawa N., Irie S., Yano E., Okazaki S., Ishitani A. Theoretical Calculations of Photoabsorption of Polymers in the EUV (Extreme Ultraviolet) Region. SPIE Proc. 2001. Vol. 4343. P. 278–284.
45. Бараш Е.Г., Кабин А.Ю., Любин В.М., Сейсян Р.П. ЖТФ. 1992. Т. 62. Вып. 3. С. 106–113.
46. Wagner Ch, Harned N. Nature Photon. 2010. 4. P. 24.
47. Wood O. et al. Proc. SPIE 7271 727104. 2009.
48. Tawarayama K. et al. Jpn. J. Appl. Phys. 2009. 48 06FA02.
49. Electroiq. URL: http://www.electroiq.com/articles/photolithography-microsteppers.html.
50. Волгунов Д.Г. и др. Изв. РАН. Сер. физ. 2011. 75. P. 54.
51. Зуев С.Ю. и др. Изв. РАН. Сер. физ. 2011. 75. P. 61.
52. Tsarfati T. et al. Thin Solid Films. 2009. 518. P. 1365.
53. ASML Images. 2008. Spring Edition. P. 8–9.
54. ASML’s Unassailable Lead in EUV Lithography: The Key to Dominating the AI Chip Boom. 2025. 21 мая. URL: https://seekingalpha.com/article/4607149-asml-stock-ai-chip-boom-euv-lithography.
55. ITRS lithography roadmap: Status and challenges. ResearchGate. 2025. 8 августа. URL: https://www.researchgate.net/publication/372782782_ITRS_lithography_roadmap_Status_and_challenges.
56. Институт физики микроструктур РАН отчитался о ходе работ по EUV-литографу. 2025. 29 сентября. URL: https://digital.russia.ru/2025/09/29/institut-fiziki-mikrostruktur-ran-otchitalsya-o-khode-rabot-po-euv-litografu/.
57. ASML poised for AI-fueled rebound as EUV and High-NA demand surges. S&P Global. 2025. 19 июня. URL: https://www.spglobal.com/marketintelligence/en/news-insights/latest-news-headlines/asml-poised-for-ai-fueled-rebound-as-euv-and-high-na-demand-surges-83348630.
58. EUV Lithography Market Size, Growth Drivers & Industry Forecast, 2030. 2025. 26 июня. URL: https://www.mordorintelligence.com/industry-reports/extreme-ultraviolet-euv-lithography-market.
59. Институт физики микроструктур РАН составил дорожную карту российской EUV-литографии до 2037 года. Overclockers. 2025. 29 сентября. URL: https://overclockers.ru/news/show/136069/institut-fiziki-mikrostruktur-ran-sostavil-dorozhnuyu-kartu-rossijskoj-euv-litografii-do-2037-goda.
60. Институт физики микроструктур Российской академии наук составил долгосрочную дорожную карту для отечественного оборудования EUV литографии, работающего на длине волны 11,2 нм. Время электроники. 2025. 27 сентября. URL: https://www.russianelectronics.ru/news/industry/82071/.
61. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА: РАЗВИТИЕ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ БАЗЫ, ПРОДАЖИ ОБОРУДОВАНИЯ И EUV-ЛИТОГРАФИЯ. ResearchGate. 2025. 7 августа. URL: https://www.researchgate.net/publication/372782782_ITRS_lithography_roadmap_Status_and_challenges.
62. EUV-ЛИТОГРАФИЯ: ЧТО ОЖИДАЕТСЯ В 2025 ГОДУ? Eco-Vector Journals Portal. 2025. 13 сентября. URL: https://journals.eco-vector.com/electron/article/view/100465/80242.
63. EUV-ЛИТОГРАФИЯ: ЧТО ОЖИДАЕТСЯ В 2025 ГОДУ? ResearchGate. 2025. 13 сентября. URL: https://www.researchgate.net/publication/383637651_EUV-LITOGRAFIA_CTO_OZIDAETSA_V_2025_GODU.
64. ITRS roadmap extends optical litho; pushes out EUV to 2013. EE Times. 2004. 22 января. URL: https://www.eetimes.com/itrs-roadmap-extends-optical-litho-puses-out-euv-to-2013/.
65. Report from the Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography Working Group Meeting: Current State, Needs, and Path Forward. 2023. 16 августа. URL: https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=937740.
66. Литография в экстремальном ультрафиолете (EUVL). TT CONSULTANTS. 2022. 6 мая. URL: https://ttconsultants.com/ru/blog/euvl-technology/.
67. International Roadmap for Devices and Systems lithography roadmap. SPIE Digital Library. 2021. 4 октября. URL: https://www.spiedigitallibrary.org/journals/Journal-of-Micro-and-Nanopatterning-Materials-and-Metrology/volume-20/issue-04/041004/International-Roadmap-for-Devices-and-Systems-lithography-roadmap/10.1117/1.JMM.20.4.041004.full?SSO=1.
68. Extreme Ultraviolet Lithography Market Size Report, 2030. Grand View Research. URL: https://www.grandviewresearch.com/industry-analysis/extreme-ultraviolet-euv-lithography-market.
69. International technology roadmap. Semiconductor Industry Association. 2001. URL: https://www.semiconductors.org/wp-content/uploads/2018/06/2001-Lithography-ITRS-ERD.pdf.
70. Российские инженеры создали прототип установки для производства современной микроэлектроники. Хабр. 2022. 24 октября. URL: https://habr.com/ru/companies/southbridge/articles/695958/.
71. Важные применения вакуумной техники: подробное описание принципов литографии. 2020. 8 октября. URL: https://www.hcvac.com/ru/news/important-applications-of-vacuum-technology-a-detailed-description-of-the-principles-of-lithography/.
72. Литография с использованием жесткого УФ-излучения. Быть или не быть? Электроника НТБ. URL: https://www.electronics.ru/files/pdf-magazine/2013/01/2013_1_108_115.pdf.
73. EUV-литография на пороге. Технологические и экономические аспекты осв. ЭЛЕКТРОНИКА наука | технология | бизнес. 2018. URL: https://www.electronics.ru/files/pdf-magazine/2018/05/2018_5_108_117.pdf.
74. Освоение EUV-литографии в серийном производстве: перспективы и проблемы. Электроника НТБ. URL: https://www.electronics.ru/files/pdf-magazine/2019/02/2019_2_108_114.pdf.
75. Ультрафиолетовая литография. Энциклопедия Руниверсалис. 2023. 31 января. URL: https://runiversalis.ru/wiki/Фотолитография_в_глубоком_ультрафиолете.
76. Системы литографии. Перспективы и экономические аспекты развития. Электроника НТБ. URL: https://www.electronics.ru/files/pdf-magazine/2010/06/2010_6_108_116.pdf.
77. EUV-нанолитография. Проблемы и перспективы развития. Фотоника. URL: https://www.photonics.ru/files/magazine_articles/24/5341/36_40_3_12.pdf.
78. Какое влияние оказывает EUV-литография на развитие технологий микроэлектроники? Вопросы к Поиску с Алисой (Яндекс Нейро). 2023. 22 марта. URL: https://yandex.ru/q/question/kakoe_vliianie_okazyvaet_euv_litografiia_na_c186196a/.
79. Доступна новая технология EUV-литографии: значительное снижение затрат и повышение эффективности. Новости отрасли — MRJ-Laser Technology. 2024. 20 августа. URL: https://www.mrj-laser.com/ru/news/new-euv-lithography-technology-available-significantly-reducing-costs-and-improving-efficiency_n35.html.
80. EUV-литография на пороге. Технологические и экономические аспекты освоения в производстве. Электроника НТБ. 2019. URL: https://www.electronics.ru/files/pdf-magazine/2019/02/2019_2_108_114.pdf.
81. Отчет о рынке литографии EUV, доля и рост. Kings Research. URL: https://www.kingsresearch.com/euv-lithography-market.
82. Сверхжёсткий ультрафиолет (EUV) в полупроводниковой литографии: сложно, долго, дорого — и необходимо. 3DNews. 2022. 30 сентября. URL: https://3dnews.ru/1074465/sverhgostkiy-ultrafiolet-euv-v-poluprovodnikovoy-litografii-slozhno-dolgo-dorogo-i-neobhodimo.