Электроника вариант 41 ИжГСХа

Содержание

8. Расчет сопротивления резистора ООС:

R э

R' H

K u

103.0

1.43

= 72.0 = = Ом

Примем R э 62 = Ом

9. Расчет напряжения источника питания:

E n U КЭП I kn R K R э +

( )

⋅ + 5 0.0139 3.3 10 2 ⋅ 62 +

( )

⋅ + = 10.4 = =

примем E n 11 = В

10. Производим выбор транзистора:

с учетом того что E n 11 В ⋅ =

I kn 0.014 А ⋅ =

I kn E n ⋅ 0.153 Вт ⋅ =

КТ375Б

Выберем тип транзистора —

с параметрами :

Предельно допустимое напряжение коллектор — эмиттер — U кэ.max 30 В ⋅ =

Максимальный постоянный ток эмиттера — I k.max 0.1 А ⋅ =

Допустимая мощность рассеивания на коллекторе — P k.max 0.4 Вт ⋅ =

Обратный ток коллекторного перехода — I k0 1 10

6 −

× А ⋅ =

Максимальная температура перехода — T n.max 125 = С°

Ток базы покоя транзистора

Выдержка из текста

нетребуется

Список использованной литературы

1. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учеб. для вузов / Под ред. О.П. Глудкина.- М.: Горячая Линия- телеком, 2005.

2. Прянишников В.А. Электроника. Курс лекций. – М.: Радио и связь, 1998.

3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.- М.: Лаб. баз. знаний, 2001.

4. Кучумов А.И. Электроника и схемотехника. – М .: «Гелиос АРВ», 2002.

5. Горбачев Г.И., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, 1988 г.

б) дополнительная литература

1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для ВУЗов. М.: Высшая шко-ла, 1982.

2. Основы промышленной электроники: Учебник для неэлектрических ВУЗов. Под ред. В.Г. Герасимова 3 – е изд. Переработанное и дополненное. М.: Высшая школа, 1986.

3. Токхайм Р. Микропроцессоры. Теория и упражнения. М.: Энергоатомиздат, 1988.

4. Арестов К.А. Основы электроники и микропроцессорной техники. 2001.

Похожие записи