Содержание
8. Расчет сопротивления резистора ООС:
R э
R' H
K u
103.0
1.43
= 72.0 = = Ом
Примем R э 62 = Ом
9. Расчет напряжения источника питания:
E n U КЭП I kn R K R э +
( )
⋅ + 5 0.0139 3.3 10 2 ⋅ 62 +
( )
⋅ + = 10.4 = =
примем E n 11 = В
10. Производим выбор транзистора:
с учетом того что E n 11 В ⋅ =
I kn 0.014 А ⋅ =
I kn E n ⋅ 0.153 Вт ⋅ =
КТ375Б
Выберем тип транзистора —
с параметрами :
Предельно допустимое напряжение коллектор — эмиттер — U кэ.max 30 В ⋅ =
Максимальный постоянный ток эмиттера — I k.max 0.1 А ⋅ =
Допустимая мощность рассеивания на коллекторе — P k.max 0.4 Вт ⋅ =
Обратный ток коллекторного перехода — I k0 1 10
6 −
× А ⋅ =
Максимальная температура перехода — T n.max 125 = С°
Ток базы покоя транзистора
Выдержка из текста
нетребуется
Список использованной литературы
1. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учеб. для вузов / Под ред. О.П. Глудкина.- М.: Горячая Линия- телеком, 2005.
2. Прянишников В.А. Электроника. Курс лекций. – М.: Радио и связь, 1998.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.- М.: Лаб. баз. знаний, 2001.
4. Кучумов А.И. Электроника и схемотехника. – М .: «Гелиос АРВ», 2002.
5. Горбачев Г.И., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, 1988 г.
б) дополнительная литература
1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для ВУЗов. М.: Высшая шко-ла, 1982.
2. Основы промышленной электроники: Учебник для неэлектрических ВУЗов. Под ред. В.Г. Герасимова 3 – е изд. Переработанное и дополненное. М.: Высшая школа, 1986.
3. Токхайм Р. Микропроцессоры. Теория и упражнения. М.: Энергоатомиздат, 1988.
4. Арестов К.А. Основы электроники и микропроцессорной техники. 2001.