Содержание

№ вари-анта Состав структурной схемы Значение коэффициентов усиления каскадов Характе-ристика усилителя

5 3 КПУ, ПОК, ОК ККПУ1= 100; ККПУ2= 10;

ККПУ3=10; КПОК= 5; КОК=2 ПХ

Выдержка из текста

Решение:

2.1. Из таблицы 15 для транзисторов средней мощности приложения 2

выбираю биполярный транзистор марки КТ630В с параметрами:

Iк.макс = 1 А; Pк.макс = 0,8 Вт; h11Э = 40…120; Uкбо = 150 В; Iк.и.макс = 2 А; Iкбо = 1 мкА; fгр = 50 МГц.

Расшифровка маркировки: К – кремний и соединения – материал изготовления; Т — биполярный транзистор;

6 — средней мощности, средней частоты;

30 — № технологической разработки;

В – разновидность по параметрам.

2.2. Схема включения с общей базой в динамическом режиме отсечки приведена на рисунке 2.1. В режиме отсечки к эмиттерному и коллекторному переходам подаётся обратное напряжение.

Рисунок 2.1 – Схема включения БТ структуры n-р-n с ОБ

Схема включения с ОБ:

В этой схеме эмиттер является входным электродом, коллектор выходным, а база общим, поэтому Iвх = Iэ; Iвых = Iк; Uвх = Uэб;. Uвых = Ukб.

Учитывая, что Iэ — прямой ток и Iк ~ Iэ; Uэб — прямое напряжение: Uкб — обратное напряжение, можно получить:

коэффициент передачи тока α = < 1 ~ 0,95…0,99;

коэффициент передачи по напряжению К = ~ сотни раз;

коэффициент передачи по мощности КМ ≈ К ~ сотни раз;

входное сопротивление Rвх = ~ единицы — десятки Ом;

выходное сопротивление ~ десятки — сотни кОм Вывод.

Схема с ОБ не дает усиления по току, имеет низкое входное и высокое выходное сопротивления, не меняет фазу входного напряжения.

2.3. Из таблицы 21 приложение 2.2 выбираем полевой транзистор с

управляющим p-n-переходом и каналом «р» Рс.макс=7 мВт типа КП103Е.

Расшифровка маркировки:

К – кремний и его соединения — материал изготовления;

П — полевой транзистор;

1 – малой мощности, нижней частоты;

03 — № технологической разработки;

Е – разновидность по параметрам.

2.4. Полевой транзистор (ПТ) с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении (рисунок 2.2). Подавая на затвор «+» от входного источника питания Ез, p-n-переход смещается в обратном направлении. Чтобы основные носители (в данном случае дырки (для канала р) двигались к стоку, к нему (к стоку) следует приложить отрицательный полюс источника Ес (рисунок 2.2).

Список использованной литературы

Список используемых источников:

1. Ушакова Л.В. Электронная техника. Учебное пособие.- М.: 2008.

2. Методические указания по изучению дисциплины «Электронной технике» и контрольные задания для студентов – заочников. – М.: 2012.

Похожие записи