Содержание
Введение…………………………………………………………………….………………………5
1 Расчёт структурной схемы усилителя……………………………………………………….6
1.1 Определение числа каскадов………………………………………………………………..6
1.2 Распределение искажений по каскадам………………………………………………….6
2 Расчёт оконечного каскада……………………………………………………………….……8
2.1 Выбор транзистора………………………………………………………………………8
2.2 Расчёт требуемого режима транзистора………………………………………………..8
2.3 Расчёт эквивалентных параметров транзистора………………………………..……. .9
2.4 Расчёт цепей питания и термостабилизации……………………………… …….…..10
2.5 Расчёт основных характеристик выходного каскада в области ВЧ………………….12
3 Расчёт предварительных каскадов………………………………………………………….14
3.1 Расчёт промежуточного каскада с общим коллектором……………………………..14
3.1.1 Расчёт требуемого режима транзистора ………………………………………..14
3.1.2 Расчёт эквивалентных параметров транзистора………………………………..15
3.1.3 Расчёт цепей питания и термостабилизации…………………………………….15
3.1.4 Расчёт основных характеристик каскада в области ВЧ………………………..17
3.2 Расчёт промежуточного каскада с общим эмиттером………………………………..19
3.2.1 Выбор транзистора……………………………………………………………….19
3.2.2 Расчёт требуемого режима транзистора ………………………………………..19
3.2.3 Расчёт эквивалентных параметров транзистора………………………….……..20
3.2.4 Расчёт цепей питания и термостабилизации……………………………………..21
3.2.5 Расчёт основных характеристик каскада в области ВЧ…………………………22
3.3 Расчёт входного каскада……………………………………………………………….24
3.3.1 Выбор транзистора……………………………………………………………….24
3.3.2 Расчёт требуемого режима транзистора ………………………………………..24
3.3.3 Расчёт эквивалентных параметров транзистора……………………….……….25
3.3.4 Расчёт цепей питания и термостабилизации……………………………………26
3.3.5 Расчёт основных характеристик каскада в области ВЧ…………………………28
4 Расчёт усилителя в области НЧ………………………………………………………………30
4.1 Расчёт ёмкостей разделительных конденсаторов………………………………………………..30
4.2 Расчёт ёмкостей блокировочных конденсаторов………………………………………………..31
5 Оценка нелинейных искажений……………………………………………………………..33
5.1 Нелинейных искажений входного каскада…………………………………………………………33
5.2 Нелинейных искажений каскада с общим эмиттером……………………………..……….33
5.3 Нелинейных искажений каскада с общим коллектором……………………………………..34
5.4 Нелинейных искажений оконечного каскада……………………………………………………..34
6 Расчёт регулировок усиления……………………………………………………………………………………36
7 Расчёт результирующих характеристик……………………………………………………38 Заключение……………………………………………………………………………………………..39
Список использованных источников………………………………………………………………40
Приложение А Переходная характеристика…………….……..…………………………….41
Приложение Б Справочные данные о транзисторе Е1 –28……………………………………………..42
Приложение В Справочные данные о транзисторе 2N5837.. ..………………………………43
Приложение Г Справочные данные о транзисторе 2N5837…………………………..……44
Приложение Д Справочные данные о транзисторе 2N4251………………………..………45
Приложение Е Соответствие позиционных обозначений резисторов и конденсаторов каскадов УУ …………………………………………………………………………………..46
Схема электрическая принципиальная Д.2602.1.68.00.012.Э3
Перечень элементов Д.2602.1.68.00.012.ПЭ
Выдержка из текста
Целью данной курсового проекта является разработка импульсного усилителя предназначенного для работы в 50 – ти омном тракте передачи, с диапазоном рабочих частот от 15 кГц до 25 МГц и уровнем положительного выходного сигнала 5 В.
В ходе выполнения данного проекта требуется определить число каскадов УУ и распределить искажения по этим каскадам. При необходимости ввести дополнительные каскады. Для каждого каскада выбрать подходящий транзистор, рассчитать эквивалентные параметры для этого транзистора. Рассчитать цепи питания и термостабилизации, оценить нелинейные искажения. Так же необходимо рассчитать УУ в области нижних частот (больших времен) и рассчитать регулировки усиления. Построить переходную характеристику усилительного устройства и составить схему наилучшим образом удовлетворяющую поставленным требованиям технического задания.
Список использованной литературы
1 Красько А.С. Аналоговые электронные устройства: Методические указания по курсовому проектированию. – Томск: ТУСУР, 2000.-42с.: ил.
2 Красько А.С. Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие. – Томск: ТУСУР, 2000.-196с.: ил.
3 Нефедов А.В., Аксенов А.И. Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. – М.: СОЛОН-Пресс, 2006.-600с.:ил.
4 Алексеева И.Н. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109. – М.: Патриот, 1991.-80с.
5 Справочник полупроводниковых приборов / Под ред. Н.Н.Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1985.
6 Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К.М.Брежнева, Е.И.Гантман, Т.И.Давыдова и др. Под ред. Перельмана – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.
7 Транзисторы: Справочник / О.П.Григорьев, В.Я.Замятин, Б.В.Кондратьев, С.Л.Пожидаев. – М.: Радио и связь, 1989. – 272 с.
8 Справочник по полупроводниковым приборам / Е.А.Москатов. – Таганрог, 2008. – 219 с.
9 Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Б.А.Бородин, В.М.Ломакин, В.В.Мокряков и др.; Под ред. А.В.Голомедова. – М.: Радио и связь, 1985. – 560 с.