Пример готовой курсовой работы по предмету: Электроника, электротехника, радиотехника
Содержание
Содержание.
Введение. 3
Задание. 5
Анализ задания. 7
Расчетная часть. 8
Расчет порогового напряжения МОП транзисторов. 8
Расчет выходных характеристик управляющего транзистора. 11
МОП транзисторы в качестве нагрузочного элемента. 13
Передаточная характеристика инвертора. 17
Время переключения инвертора. 19
Вывод. 25
Библиографический список. 26
Выдержка из текста
Введение.
Интегральные устройства – это конструктивно законченные микро-электронные изделия, выполняющие определенные функции преобразования информации, содержащие некоторое количество электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и т.д.), изготовленных в едином технологическом цикле. Интегральные устройства изготавливают групповым методом по материалосберигающей технологии, тиражирую одновременно в одной партии от нескольких десятков до нескольких десятков тысяч микросхем. По конструктивно–технологическому принципу они делятся на три группы: полупроводниковые, пленочные и гибридные.
В полупроводниковой интегральной микросхеме все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки.
В пленочной интегральной микросхеме все элементы и соединения между ними выполняются в виде пленок. В настоящее время методом пленочной технологии изготавливают только пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и индуктивности. В зависимости от толщины пленки и способа создания элементов пленочные микросхемы делят на тонко– и толстопленочные. К первому типу относятся микросхемы толщина пленки, в которых не превышает 1 мкм, а толщина пленки в толстопленочной микросхеме составляет 10…
7. мкм.
В гибридных интегральных схемах в качестве активных элементов ис-пользуются навесные дискретные полупроводниковые приборы или полу-проводниковые интегральные микросхемы, а в качестве пассивных элемен-тов используют пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности и со-единяющие их пленочные проводники.
По функциональному назначению микросхемы подразделяются на аналоговые и цифровые. Если микросхема предназначена для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретных функций, то она называется цифровой (логической).
К аналоговым устройствам относятся микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В частном случае аналоговые микросхемы для преобразования и обработки сигналов, изменяющегося линейно, называют линейными.
По степени интеграции микросхемы делятся на:
малые интегральные схемы (МИС) – это схемы 1… 2 степени интегра-ции, в состав которых входят или несколько крупных зарубежных фирм, их печатную рекламу на протяжении века), скачать">один или несколько видов функциональных аналоговых или логических элементов (логические элементы И, ИЛИ, НЕ, триггеры, усилители, фильтры и т.д.);
средние интегральные схемы (СИС) – схемы 2… 3 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько одинаковых функциональных узлов электронных устройств (регистр, дешифратор, счетчик, постоянно запоминающие устройство);
большие интегральные схемы (БИС) схемы 3… 4 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько функциональных устройств (арифметико–логическое устройство, оперативное запоминающие устройство и т.д.)
сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) – это интегральные схемы 5… 7 степени интеграции, представляющие собой законченные микроэлек-тронные изделия, способные выполнять функции аппаратуры (однокристальные ЭВМ, микропроцессоры).
В настоящее время промышленность выпускает множество серий интегральных устройств. Каждая из этих серий характеризуется следующими параметрами: быстродействие (задержка переключения); потребляемая мощность, произведение мощности на время задержки, запас помехоустойчивости, коэффициент разветвления по выходу, требования к напряжению питания, диапазон рабочих температур, плотность размещения элементов на кристалле, степень интеграции, стоимость и др.
Список использованной литературы
Библиографический список.
1. Угрюмов Е.П.«Цифровая схемотехника»-СПб.:БВХ–Петербург, 2004.
2. Красников Г.Я. «Конструктивно – технологические особенности субмикронных МОП – транзисторов». В 2-х частях. – М.: Техносфера, 2004.
3. Конструирование аппаратуры на БИС и СБИС / под редакцией Б.Ф. Высоцкого, В.Н. Сретенского. – М.: Радио и связь, 1989.
4. Цветов В.П. «Современные методы конструирования и технологии радиоэлектронных средств». Письменные лекции. – СПб.: СЗТУ, 2005. – 48 с.
5. Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1: учебно-методический комплекс / сост. В.П. Цветов. — СПб.: Изд-во СЗТУ, 2009. – 145 с.
