Пример готовой курсовой работы по предмету: Электроника
Содержание
Введение………………………………………………………………..
ГЛАВА
2. ПОНЯТИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
1.1.Полупроводниковые материалы ……………………………..
1.2.Виды проводимости ……………………………………………
1.3.Группы полупроводниковых материалов ……………………
1.4.Биполярные приборы ………………………………………….
ГЛАВА
2. ГРУППЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
2.1. Классификация полупроводниковых материалов ……………
2.2. Носители заряда в полупроводниках ………………………….
Заключение ……………………………………………………………
Список использованной литературы ……………………………….
Выдержка из текста
Введение
Техника полупроводниковых приборов стала самостоятельной областью электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена во многих радиотехнических устройствах.
На всем протяжении развития радиотехники широко применялись кристаллические детекторы, представляющие собой полупроводниковые выпрямители для токов высокой частоты. Для выпрямления постоянного тока электрической сети используют купроксные и селеновые полупроводниковые выпрямители. Однако они непригодны для высоких частот.
Ещё в 1922 г. сотрудник Нижегородской радио лаборатории О.В. Лосев получил генерирование электрических колебаний с помощью кристиллического детектора и сконструировал приёмник “Кристадин”, в котором за счет генерации собственных колебаний получалось усиление принимаемых сигналов. Он имел значительно большую чувствительность, нежели обычные приемники с кристаллическими детекторами. Открытие
Лосева, к сожалению, не получило должного развития в последующие годы. Полупроводниковые триоды, получившие названия транзисторов, предложили в 1948 г. американские ученые Бардин, Браттейн и Шокли.
По сравнению с электронными лампами у полупроводниковых приборов имеются существенные достоинства:
1. Малый вес и малые размеры.
2. Отсутствие затраты энергии на накал.
3. Большой срок службы (до десятков тысяч часов).
4. Большая механическая прочность (стойкость к тряске, ударам и другим видам механических перегрузок).
5. Различные устройства (выпрямители, усилители, генераторы) с полупроводниковыми приборами имеют высокий КПД, так как потери энергии в самих приборах незначительны.
6. Маломощные устройства с транзисторами могут работать при очень низких питающих напряжениях.
Вместе с тем полупроводниковые приборы в настоящее время обладают следующими недостатками:
1. Параметры и характеристики отдельных экземпляров приборов данного типа имеют значительный разброс.
2. Свойства приборов сильно зависят от температуры.
3. Работа полупроводниковых приборов резко ухудшается под действием радиоактивного излучения. и т.д.
Транзисторы могут работать почти во всех устройствах, в которых применяются вакуумные лампы. В настоящее время транзисторы успешно применяются в усилителях, приёмниках, передатчиках, генераторах, измерительных приборах, импульсных схемах и во многих других устройствах.
ГЛАВА
1. ПОНЯТИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
1.1.Полупроводниковые материалы
Полупроводниковые материалы, вещества с четко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость а при 300 К составляет 104 ~ 1010 Ом-1•см-1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т.п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
Полупроводниковые материалы по структуре делятся на кристаллические, твердые аморфные и жидкие. Наибольшее практическое применение находят неорганические кристаллические полупроводниковые материалы, которые по химическому составу разделяются на следующие основные группы. Элементарные полупроводники: Ge, Si, углерод (алмаз и графит), В, a-Sn (серое олово), Те, Se. Важнейшие представители этой группы — Ge и Si имеют кристаллическую решетку типа алмаза (алмазоподобны).
Являются непрямозонными полупроводниками; образуют между собой непрерывный ряд твердых растворов, также обладающих полупроводниковыми свойствами.
Список использованной литературы
1.Физико-химия полупроводникового материаловедения. — Воронеж: Изд-во Воронеж. ун-та, 1979.
2.Акимов О. Е. Зонные структуры полупроводниковых материалов. — Владивосток: Изд-во Дальневост. ун-та, 1994.
3.Свойства легированных полупроводниковых материалов. — М.: Наука, 1990.
4.И. П. Жеребцов “Основы электроники”
5.Ю.С. Забродин “Промышленная электроника”
6.И.М. Викулин “Физика полупроводниковых приборов”
