Содержание

Оглавление

арсенид галлий транзистор

Введение. История развития арсенида галлия

1. Строение GaAs и его свойства

1.1 Строение GaAs. Кристаллическая структура

1.2 Сравнительная характеристика свойств GaAs и Si

2. Получение GaAs

2.1 Выращивание кристаллов методом Бриджмена

2.2 Метод Чохральского

2.3 Направленная кристаллизация. Зонная плавка

2.4 Ионная имплантация

3. Структура границ раздела

3.1 Формирование границ раздела

3.2 Формирование гетеропереходов

3.3 Воспроизводимость и стабильность:

4. Приборы на основе GaAs

4.1 Диоды

4.2 Полевые транзисторы

4.3 Биполярные транзисторы

4.4 Оптоэлектронные приборы

4.5 Новые приборы на GaAs

Заключение

Литература

Выдержка из текста

Оглавление

арсенид галлий транзистор

Введение. История развития арсенида галлия

1. Строение GaAs и его свойства

1.1 Строение GaAs. Кристаллическая структура

1.2 Сравнительная характеристика свойств GaAs и Si

2. Получение GaAs

2.1 Выращивание кристаллов методом Бриджмена

2.2 Метод Чохральского

2.3 Направленная кристаллизация. Зонная плавка

2.4 Ионная имплантация

3. Структура границ раздела

3.1 Формирование границ раздела

3.2 Формирование гетеропереходов

3.3 Воспроизводимость и стабильность:

4. Приборы на основе GaAs

4.1 Диоды

4.2 Полевые транзисторы

4.3 Биполярные транзисторы

4.4 Оптоэлектронные приборы

4.5 Новые приборы на GaAs

Заключение

Литература

Список использованной литературы

Оглавление

арсенид галлий транзистор

Введение. История развития арсенида галлия

1. Строение GaAs и его свойства

1.1 Строение GaAs. Кристаллическая структура

1.2 Сравнительная характеристика свойств GaAs и Si

2. Получение GaAs

2.1 Выращивание кристаллов методом Бриджмена

2.2 Метод Чохральского

2.3 Направленная кристаллизация. Зонная плавка

2.4 Ионная имплантация

3. Структура границ раздела

3.1 Формирование границ раздела

3.2 Формирование гетеропереходов

3.3 Воспроизводимость и стабильность:

4. Приборы на основе GaAs

4.1 Диоды

4.2 Полевые транзисторы

4.3 Биполярные транзисторы

4.4 Оптоэлектронные приборы

4.5 Новые приборы на GaAs

Заключение

Литература

Похожие записи