Введение.
1.1.Полупроводники. Дефекты в полупроводниках.
2.2. Классификация полупроводников.
1.3. Полупроводниковые материалы.
Глава 1. Глубокие уровни в соединениях типа A3B5.
1.1. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность.
1.2. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов.
1.3. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN.
Глава 2. Глубокие уровни в соединениях типа A2B6.
2.1. Глубокие уровни, имеющие донорную природу. Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии.
2.2. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF2 с барьером Шоттки.
2.3. Глубокие акцепторные уровни. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe.
2.4. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb, vSnvTe под давлением.
Глава 3. Методы создания Глубоких уровней в пп.
3.1. Радиационное модифицирование и радиационное дефектообразование в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии.
Литература.
Содержание
Выдержка из текста
Структура реферата включает в себя несколько частей: введение, основную часть (две главы), заключение и библиографический список, состоящий из пяти источников литературы.
Со второй половины прошлого века теория потребительского поведения была взята на вооружение разработчиками теории и прак¬тики маркетинга, и ее развитие пошло преимущественно в направлении, определяемом заин-тересованностью производителя в изучении конкретных мотивов, реакций потребителя.
В качестве методологической основы исследования выступили концепции, теоретические положения и идеи как отечественных, так и зарубежных школ, направлений авторских подходов: идеи Б.Г. Ананьева, Л.С. Выготского, А.Н. Леонтьева о социальной природе человека; системный подход Б.Ф. Ломова, В.В. Новикова; междисциплинарный подход в исследовании конфликтов А.Я. Анцупова; подход к изучению ролевого конфликта СИ. Ериной и др.
Рассмотрение статуса личности, в том числе ее социально-политического статуса, требует особого методологического основания Таковым основанием выступает понимание социального статуса личности как ее места в системе социальных отношений, социальной структуре общества
деятельности государственных служащих регулируются Типовым кодексом этики и служебного поведения государственных служащих Российской Федерации и муниципальных служащих Российской Федерации, который устанавливает свод определенных этических норм и правил должного служебного поведения государственных служащих для достойного выполнения ими своей профессиональной деятельностиКодекс государственных служащих является основой для формирования должной морали в сфере государственной службы, уважительного отношения к ней в общественном сознании, а также выступает как институт общественного сознания и нравственности , что одним из критериев оценки качества профессиональной деятельности и служебного поведения является не только знание, но и соблюдение государственными служащими положений Типового
В связи с психологическими проблемами внедрения нововведений или адаптацией к организационным изменениям известны работы таких отечественных исследователей, как Н. И. Лапин, В. Ф. Галыгин, Е. Т. Гребнев, Ю. Вооглайд, А. И. Пригожин, Н. А. Ильина, О. С. Советова, зарубежных – К. Девис, Т. Питере, Р. Уотермен, Н. Тичи, М. Деванна, М. П. Сычева.
Цель: исследовать специфику конфликтного поведения младшего школьника в условиях сельской школы и разработать профилактические меры, направленные на улучшение условий и повышение эффективности развития личности ребенка за счет предотвращения конфликтных ситуаций.
Предмет исследования – принципы, подходы и методы регулирования служебного поведения государственных служащих на примере Инспекции пробирной палаты по г. Москве и московской области.
Предмет исследования: профилактика девиантного поведения подростков, воспитывающихся в условиях интерната.Гипотеза исследования: разработка и внедрение системы профилактических мероприятий способствует снижению риска девиантного поведения подростков, воспитывающихся в условиях интерната.
Учителя начальных классов отмечают тенденцию к увеличению такой формы девиантного поведения как уровня агрессивности детей: они более шумные, крикливые, неусидчивые, «моторные», быстрее и легче вступают в конфликты, неуступчивы, драчливы, часто бывают жестоки. Кроме того, проблема девиантного поведения в младшем школьном возрасте остается на сегодняшний день актуальной и недостаточно изученной.Исследованию проблемы возможностей социально-педагогической профилактики девиантного поведения младших школьников в деятельности социального педагога посвящены труды отечественных и зарубежных ученых: Ю.
Качественные изменения макросреды сопровождаются и деформацией семьи, которая не выполняет таких важнейших функций, как формирование у детей чувства психологического комфорта, защищенности. Здесь нередко имеет место жестокое обращение с подростками, связанное с различными видами наказаний, в том числе физическими. Часть родителей принуждают детей к послушанию; другая часть не интересуется потребностями ребенка; третья — переоценивает ребенка и недостаточно его контролирует.
• раскрыть содержание понятий политического поведения и участия с теоретико-методологической точки зрения;• выявить факторы, влияющие на развитие и состояние политического поведения и участия в российском политическом процессе;
Совершенствование системы управления организационным поведением государственных служащих в территориальном органе власти (на примере администрации Приморского района Санкт-Петербурга)
Однако монополия как часть рынка в чистом виде сохранилась лишь в немногих отраслях экономики. Это особенно актуально в послекризисное время, когда происходит перераспределение собственности, уменьшение числа фирм на рынке, различные поглощения и слияния фирм.Предметом исследования является поведение олигополистических фирм в России.
Список источников информации
Абдуллаев А.А., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7,796.
[2] Ashour H., F. El Akkad. Phys. Status Solidi A, 184 (1), 175 (2001).
[3] Брудный В.Н. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4, стр. 409.
[4] Гривулин В.И. др., Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 7, стр 806.
[5] Емцев К.В., XXXVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2006) Москва МГУ, http://danp.sinp.msu.ru/pci2006/1_utro2.pdf
[6] Карпович И.А. и др., Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3, стр. 319.
[7] Кузнецов В.П. и др. , Физика и техника полупроводников, 19, 735 (1985).
[8] Martin G.M., D. Bois. In: Semiconductor Characterization Techniques, ed. by P.A. Barnes, GA. Rozgonyi, PV 78-3, p. 32 (The Electrochemical Society, Inc., Princeton, NJ, 1978).
[9] Мир-Гасан Ю. Сеидов и др., Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7, стр. 1270.
[10] Мынбаев К.Д., В.И. Иванов-Омский, Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1,стр. 3.
[11] Одринский А. П. ,Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6, стр. 660.
[12] Савицкий А.В. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7, стр. 788.
[13] Сизов Д.С. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2, стр. 264.
[14] Скипетров Е.П. и др.,Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2, стр. 149.
[15] Туринов В.И., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9, стр. 1129.
[16] Тырышкин И. С. Основы полупроводниковой электроники, учебное пособие, 2004, Новосибирск.
[17] Hurter Ch., M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys.Lett, 32, 821 (1978).
[18] Шалимова К.В., Физика полупроводников, М.: Энергоатомиздат, 1985.
[19] Шейнкман М.К. и др., Н, Физика и техника полупроводников, 14, 438 (1980).
[20] Щеулин А.С. и др., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1, стр. 72.
список литературы