Содержание
1.1 Общие свойства и параметры силовых выпрямительных диодов 8
1.1.1 Непроводящее состояние силового диода 8
1.1.2 Вольт-амперная характеристика 10
1.1.3 Статические параметры 11
1.1.4 Динамические характеристики 12
1.1.4.1 Переходные процессы 13
1.1.5 Предельно допустимые значения 17
1.2 Радиационно-технологичекий процесс 18
1.2.1 Взаимодействие электронов с веществом 19
1.2.2 Механизмы образования и физическая природа радиационных центров 21
1.2.3 Изменение основных электрофизических параметров при облучении 23
1.2.3.1 Время жизни неосновных носителей заряда 24
1.2.3.2 Концентрация, удельное сопротивление и подвижность 25
1.3 Термостабильность и кинетика отжига радиационных центров 28
1.4 Влияние облучения на основные параметры диодов 32
Выдержка из текста
Силовой выпрямительный диод -это неуправляемый полупроводниковый электро-преобразовательный прибор, имеющий два металлических вывода (анод со стороны p-слоя и катод со стороны n-слоя), содержащий один p–n-переход и обладающий односторонней проводимостью тока.[1] Выпрямительные диоды используют для преобразования переменного тока в ток одной полярности. В зависимости от полярности приложенного к внешним выводам диода напряжения он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: непроводящем состоянии (p-n- переход смещён в обратном направлении) и проводящем (p-n- переход смещён в прямом направлении).
Список использованной литературы
Литература:
1. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках / М. И. Абрамович, В. М. Бабайлов, В. Е. Либер и др.— М.: Энергоатомиздат, 1992.
2. Лебедев А. И. «Физика полупроводниковых приборов» / М.: Физматлит, 2008.
3. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / под ред. А.А. Ровдо./ М.: Додэка-ХХI, 2001.
4. Гельман, М.М. Дудкин, К.А. Преображенский «Преобразовательная техника» Учебное пособие. Издательский центр ЮУрГУ, 2009.
5. О. Г. Чебовский, Л. Г. Моисеев, Р. П. Недошивин справочник «Силовые полупроводниковые приборы». –М.: Энергоатомиздат, 1985.
6. В. И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники» учебное пособие, М.: Юрайт высшее образование, 2009.
7. В.Н. Брудный Радиационные эффекты в полупроводниках/ Вестник Томского государственного университета № 285, 2005.
9. Н. Н. Горюнов, Ю. Р. Носов «Полупроводниковые диоды: параметры, методы измерений». –М.: Сов. Радио. –, 1968.
8. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др.; Под ред. Е.А. Ладыгин. –М.: Сов. Радио, 1980.
10. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. «Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах». – М.: Наука и техника, 1978.
11. К И Таперо «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: курс лекций». –М. МИСиС, 2011.
12. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения В. С. Вавиловa, А. Р. Челядинскийb // Успехи физических наук. —, том 165, № 3, 1995.
13. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Курс лекций. / Под ред. Е.А.
Ладыгина. — М.: Изд МИСиС, 1994.
14. Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — № 5, 2010.
15. Б.А. Комаров Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа / Физика и техника полупроводников, том 38, № 9, 2004.
16. Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко «Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов. Учебное пособие». – М.: МГИЭМ, 2001.