Расчет параметров полупроводника германия (Ge) Определение параметров идеального p-n перехода (диода) для полупроводника германия (Ge)

Содержание

5. Расчёт подвижности

5.1. Определение аппроксимационной температурной зависимости подвижности электронов в полупроводнике Ge

Матрицы экспериментальных точек для температуры и подвижности

Аппроксимация:

Начальные условия

Блок решения системы уравнений

Численные значения неизвестных величин

Искомое аппроксимационное уравнение

Зависимость подвижности электронов от температуры в полупроводнике Ge

(база данных IOFFE)

5.2. Определение аппроксимационной температурной зависимости подвижности дырок в полупроводнике Ge

Матрицы экспериментальных точек для температуры и подвижности

Аппроксимация

Начальные условия

Блок решения системы уравнений

Численные значения неизвестных величин

Искомое аппроксимационное уравнение

Зависимость подвижности дырок от температуры в Ge (база данных IOFFE)

Выдержка из текста

Параметры для расчета.

1.3. Основные формулы.

1.4. Расчет параметров и построение графиков в рабочем пространстве MathCad.

1.5. Зонная диаграмма (E(x)) для идеального p-n перехода в состоянии термодинамического равновесия

1.6. Вывод.

Список использованной литературы

1. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.:Высшая шола, 1991

2. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие.-СПб.:Питер,2006

3. База данных "Новые полупроводниковые материалы. Наноструктуры. Биологические системы. Характеристики и свойства" физико-технического института им А.Ф.Иоффе, 2002

4. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие.- М.:Техносфера,2007

Похожие записи