Содержание
5. Расчёт подвижности
5.1. Определение аппроксимационной температурной зависимости подвижности электронов в полупроводнике Ge
Матрицы экспериментальных точек для температуры и подвижности
Аппроксимация:
Начальные условия
Блок решения системы уравнений
Численные значения неизвестных величин
Искомое аппроксимационное уравнение
Зависимость подвижности электронов от температуры в полупроводнике Ge
(база данных IOFFE)
5.2. Определение аппроксимационной температурной зависимости подвижности дырок в полупроводнике Ge
Матрицы экспериментальных точек для температуры и подвижности
Аппроксимация
Начальные условия
Блок решения системы уравнений
Численные значения неизвестных величин
Искомое аппроксимационное уравнение
Зависимость подвижности дырок от температуры в Ge (база данных IOFFE)
Выдержка из текста
Параметры для расчета.
1.3. Основные формулы.
1.4. Расчет параметров и построение графиков в рабочем пространстве MathCad.
1.5. Зонная диаграмма (E(x)) для идеального p-n перехода в состоянии термодинамического равновесия
1.6. Вывод.
Список использованной литературы
1. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.:Высшая шола, 1991
2. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие.-СПб.:Питер,2006
3. База данных "Новые полупроводниковые материалы. Наноструктуры. Биологические системы. Характеристики и свойства" физико-технического института им А.Ф.Иоффе, 2002
4. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие.- М.:Техносфера,2007