Пример готовой курсовой работы по предмету: Физика
Введение 3
1 Электрофизические свойства полупроводников 3
2 Конструкция и принцип работы диода 7
3 Влияние распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении на его характеристики 10
4 Расчет распределения неосновных носителей в базе диода 13
Заключение 16
Список литературы 17
Содержание
Выдержка из текста
Следует отметить, что диоды могут работать в двух режимах, при прямом и обратном смещении. В данной работе рассмотрены особенности распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении.
Разогрев носителей заряда происходит из-за воздействия света, электрического поля, электромагнитное излучение СВЧ, КВЧ и др. В сильных электрических полях, приводящих к разогреву носителей заряда, в полупроводниках наблюдается целый ряд специфических явлений, которые часто называют также эффектами сильного поля. К ним относятся нарушение закона Ома, изменение подвижности носителей заряда, ударная ионизация, туннелирование (термополевая эмиссия), эффект отрицательной дифференциальной подвижности и эффект Ганна в многодолинных полупроводниках, анизотропия проводимости, изменение скорости звуковых и плазменных волн и др.
Задача 3.4.2.Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН 400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала . Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала и , если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала а, м имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола Д = 2,5.№ варианта м 00,555Дано:Решение:Д = 2,5Магнитная проницаемость магнитодиэлектрика:м = 55 = 0,5 — ? — ?Диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрика: , где — диэлектрическая проницаемость наполнителя и диэлектрика.Ответ: ,
Входные и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с вольт-амперной характеристикой полупроводникового диода. Входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом напряжении. Поэтому они аналогичны характеристике обратного тока диода. Выходные характеристики подобны характеристике обратного тока диода, так как они отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
4. Определить ЭДС Холла, возникающую в пластине германия толщиной 0,5 ммс собственной электропроводимостью при температуре Т=300 К, если в доль пластины проходит электрический ток I=10 мА. Вектор магнитной индукции(В=0,6 Тл) перпендикулярен плоскости пластины. Собственная концентрация носителей заряда равна 2,2*1019м -3.
4.Все конденсаторы имеют такую емкость, что их сопротивлением на частоте сигнала можно пренебречь. Считать, что дифференциальные параметры транзисторов на частоте сигнала равны их низкочастотным значениям
В настоящее время используется два подхода для генерации сверхширокополосных сигналов, в частности сверхкоротких импульсов. Критерием для определения подхода является способ накопления энергии – накопление в емкостных накопителях или в магнитном поле индуктивного контура с током. Свойства индуктивных накопителей превосходят свойства емкостных, в результате чего в импульсной технике отдается предпочтение первому способу. Для быстрого обрыва больших токов используются полупроводниковые приборы, в частности диоды с резким восстановлением обратного сопротивления (диоды с накоплением заряда).
Работа таких прерывателей основана на эффекте «жесткого» восстановления блокирующей способности диодов, в качественном отношении, описанном еще в 60-х годах прошлого века [2].
Особенно ярко эффект проявляется при определенных условиях, которые были впервые реализованы авторами работы [3]
и затем неоднократно уточнялись. Работа генераторов СКИ основана на использовании нелинейных эффектов накопления и рассасывания заряда в полупроводниковой структуре ДНЗ.
1]
Выпрямительные диоды используют для преобразования переменного тока в ток одной полярности. В зависимости от полярности приложенного к внешним выводам диода напряжения он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: непроводящем состоянии (p-n- переход смещён в обратном направлении) и проводящем (p-n- переход смещён в прямом направлении).
3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L-L1 , удельной крутизне b 1=0,12мА/B^2 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
При последовательном соединении ванн сила тока, проходящего через них, одинакова, следовательно, масса выделившейся меди тоже одинакова. При параллельном соединении напряжение на ваннах одинаково и так как сопротивление ванны А меньше (выше концентрация носителей заряда), то протекающий ток будет больше. Поэтому в ванне А выделится больше меди. Ответ одинаково; в ванне А больше.
Структура реферата включает в себя несколько частей: введение, основную часть (две главы), заключение и библиографический список, состоящий из пяти источников литературы.
Транзисторы могут работать почти во всех устройствах, в которых применяются вакуумные лампы. В настоящее время транзисторы успешно применяются в усилителях, приёмниках, передатчиках, генераторах, измерительных приборах, импульсных схемах и во многих других устройствах.
Список источников информации
1. Афанасьева Н.А., Булат Л.П. Электротехника и электроника: учеб. пособие. – СПб.: СПбГУНиПТ, 2010. – 181 с.
2. Величко Д.В. Полупроводниковые приборы и устройства: Учеб. пособие / Д.В. Величко, В.Г. Рубанов. – Белгород: Изд-во БГТУ им. В.Г. Шухова, 2006. – 184 с.
3. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – К.: Вища шк., 1987. – 422 с.
4. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. – Москва, 2005. – 492 с.
5. Игумнов Д.В. Полупроводниковые устройства непрерывного действия / Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина. – М.: Радио и связь, 1990. – 256 с.
6. Легостаев Н.С., Четвергов К.В. Твердотельная электроника: учеб. пособие. – Томск, 2011. – 244 с.
7. Нестеренко Б.А., Ляпин В.Г. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках. – К.: Наук. думка, 1990. – 152 с.
8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – СПб.: Изд-во «Лань», 2002. – 480 с.
9. Самедов М.Н., Шибанов В.М., Шурыгин В.Ю. Общая электротехника и электроника / Учеб. пособие. – Елабуга: изд-во ЕИ КФУ, 2015. – 112 с.
10. Харланов А.В. Физика. Электродинамика, оптика, атомная и ядерная физика: учеб. пособие. – Волгоград, 2015. – 160 с.
11. Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. Проводимость полупроводниковых диодов при одновременном воздействии на них постоянного и переменного напряжений // Вестник Дагестанского научного центра РАН. – 2010. — № 39. – С. 5-8.
12. Васильев В.А., Пиганов М.Н., Зайцев В.Ю. Контроль качества полупроводниковых диодов по напряжению шума // В сборнике: Актуальные проблемы радиоэлектроники. Сер. «Вестник СГАУ» Самара. – 1999. – С. 63-65.
13. Гаман В.И. Электронные процессы в полупроводниковых диодах и структурах металл-диэлектрик-полупроводник // Вестник Томского государственного университета. – 2005. — № 285. – С. 112-120.
14. Иванов А.М.. Строкан Н.Б., Шуман В.Б. Перенос носителей заряда в базе диода с локальной неоднородностью рекомбинационных свойств // Письма в Журнал технической физики. – 1997. – Т. 23. — № 9. – С. 79-86.
15. Козлова И.Н., Тюлевин С.В., Токарева А.В. Методика прогнозирования показателей качества полупроводниковых диодов // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета им. С.П. Королева. – 2011. — № 7 (31).
– С. 87-91.
16. Кутузова Е.В., Бондина В.П. Исследование основных характеристика фоточувствительных полупроводниковых элементов // В сборнике: Университетское образование: культура и наука. Материалы Международного молодежного научного форума. – 2012. – С. 161-167.
17. Пилипец И.В. Конструктивно-технологические методы увеличения пробивного напряжения диодов // Электронные средства и системы управления. – 2015. — № 1-1. – С. 112-115.
18. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / Учеб. пособие. – М.: ДМК Пресс, 2006. – 288 с.
19. Селяков А.Ю. К теории флуктуационных явлений в p-n-переходах с короткой базой на основе узкозонных полупроводников // Прикладная физика. – 2010. — № 2. – С. 55-66.
20. Таубкин И.И. О фотоиндуцированных и тепловых шумах в полупроводниковых диодах // Прикладная физика. – 2007. № 4. – С. 85-90.
список литературы
