Пример готовой курсовой работы по предмету: Электроника, электротехника, радиотехника
Содержание
2. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Рис.2.1. Схема усилительного каскада с общим эмиттером.
Усилительный каскад должен содержать нелинейный управляющий элемент (транзистор или лампу), источник электрической энергии и вспомогательные элементы. Во входную цепь включается источник сигнала, а в выходную — нагрузка. В дальнейшем будем описывать источник сигнала в виде генератора с напряжением eГ и внутренним сопротивлением RГ, а нагрузку — резистором RН ( во многих случаях нагрузка может стоять на месте резистора RК).
На рис. 2.1 приведена схема усилительного каскада с ОЭ. Полярность источника питания EК обеспечивает работу транзистора в активном режиме. Резисторы RБ и RК задают требуемые постоянные составляющие токов в цепях транзистора и постоянные напряжения на его электродах — рабочую точку транзистора. От выбора рабочей точки зависит усиление каскада, КПД, искажения сигнала. Для того, чтобы источник сигнала и нагрузка не влияли на режим работы транзистора по постоянному току, включены разделительные конденсаторы CР 1 и CР
2. имеющие в рабочем диапазоне частот малые сопротивления. В рассматриваемой схеме постоянные составляющие токов и напряжений определяются:
Выдержка из текста
1. Введение
Целью данной работы является описание транзисторных схем. Работа должна состоять из теоретической и практической частей. Целью теоретической части является изложение следующих тем: усилительный каскад на биполярном транзисторе, графический расчет усилительного каскада, малосигнальные схемы замещения транзистора, определение h-параметров по характеристикам, Y-параметры транзистора, использование схем замещения транзистора для анализа усилительных каскадов в режиме малых сигналов, малосигнальные физические эквивалентные схемы биполярного транзистора, схема для включения транзистора ОБ, схемы для включения транзистора с ОЭ, сравнение усилительных свойств биполярного транзистора в различных схемах включения, особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах, динамические свойства транзистора при включении с общей базой, динамические свойства транзистора в схеме ОЭ. Целью практической части является расчет схемы Дарлингтона.
Список использованной литературы
17.
Список литературы
1. Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники. – М.: Энергия,
1974.
2. Бергельсон И. Г., Минц В. И. Транзисторы биполярные. – М.: Сов. Радио, 1976.
3. Васильев В. А. Радиолюбителю о транзисторах. – М.: Досааф,1973.
4. Диоды и транзисторы/ Под редакцией Чернышёва. – М.: Энергия, 1976.
5. Каяцкас А.А. Основы радиоэлектроники. М.: Высш. шк., 1998. С.175– 185.
6. Пасынков В.В., Чиркин Д.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы М. :Высш. шк., 1981. С.166-248.
7. Пляц О. М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. – Минск: Вышэйшая школа, 1979.
8. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под редакцией Н. И. Горюнова. – М.: Энергия, 1979.
9. Терещук Р. М., Терещук И. М., Седов С. А. Полупроводниковые приёмно усилительные устройство. Справочник радиолюбителю. Издание второе, стереотипное. – Киев: Наукова думка, 1982.
10. Транзисторы/ Под редакцией А. А. Чернышёва. – М.: Энергия, 1979.
