Ответы на билеты по предмету: Материаловедение (Пример)
Содержание
Контрольная работа по "Кристаллографии" вариант
4. из
1. задач.
1. Координационное число, Коэффициент укладки: определения и расчеты для ОЦК решетки.
2. Элементарная ячейка тетрагональной сингонии.
3. Базис решетки ванадия (ОЦК).
4. Индексы плоскостей.
5. Покажите плоскости с индексами (0-12) (31-1) (-1-12) координатные оси взяты для моноклинной сингонии.
6. Для кристалла кубической сингонии покажите направления с индексами [21-1]
[00-1]
[-2-23].
7. Определите межплоскостное расстояние d для плоскостей {1 1 2} в решетке кубической сингонии.
8. Определите равновесную концентрацию вакансий в никеле, в интервале температур (200-1000) К с шагом 200 К. Постройте график Сv – T. Энергию образования вакансий Eo определите из эмпирического соотношения между Eo и Eд – энергии активации самодиффузии.
9. Рассчитайте, как изменится упругая энергия искажений кристаллической решетки при увеличении плотности дислокаций от 3• 10^4 до 5• 10^7.
10. Определите модуль вектора Бюргерса краевой дислокации а/3 [112].
Покажите на схеме модель малоугловой границы наклона в виде стенки из дислокаций расположенных с шагом 4а, вычислите угол разориентировки соседних решеток и объясните, может ли данная граница быть границей субзерен.
11. Опишите и проиллюстрируйте физический механизм торможения дислокаций дисперсными частицами. Как связаны механические свойства кристаллического тела с работой этого механизма?
12. Как изменяются параметры ближнего порядка при изменении температуры жидкой фазы в процессе гомогенной кристаллизации? Опишите сущность процесса гетерогенного зарождения и роль структурного и размерного соответствия. Опишите механизм образования субграничных дислокаций в процессе кристаллизации
Выдержка из текста
Контрольная работа по "Кристаллографии" вариант
4. из
1. задач.
1. Координационное число, Коэффициент укладки: определения и расчеты для ОЦК решетки.
2. Элементарная ячейка тетрагональной сингонии.
3. Базис решетки ванадия (ОЦК).
4. Индексы плоскостей.
5. Покажите плоскости с индексами (0-12) (31-1) (-1-12) координатные оси взяты для моноклинной сингонии.
6. Для кристалла кубической сингонии покажите направления с индексами [21-1]
[00-1]
[-2-23].
7. Определите межплоскостное расстояние d для плоскостей {1 1 2} в решетке кубической сингонии.
8. Определите равновесную концентрацию вакансий в никеле, в интервале температур (200-1000) К с шагом 200 К. Постройте график Сv – T. Энергию образования вакансий Eo определите из эмпирического соотношения между Eo и Eд – энергии активации самодиффузии.
9. Рассчитайте, как изменится упругая энергия искажений кристаллической решетки при увеличении плотности дислокаций от 3• 10^4 до 5• 10^7.
10. Определите модуль вектора Бюргерса краевой дислокации а/3 [112].
Покажите на схеме модель малоугловой границы наклона в виде стенки из дислокаций расположенных с шагом 4а, вычислите угол разориентировки соседних решеток и объясните, может ли данная граница быть границей субзерен.
11. Опишите и проиллюстрируйте физический механизм торможения дислокаций дисперсными частицами. Как связаны механические свойства кристаллического тела с работой этого механизма?
12. Как изменяются параметры ближнего порядка при изменении температуры жидкой фазы в процессе гомогенной кристаллизации? Опишите сущность процесса гетерогенного зарождения и роль структурного и размерного соответствия. Опишите механизм образования субграничных дислокаций в процессе кристаллизации
Список использованной литературы
нет
