Содержание
1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в кото-ром для передачи, обработки и хранения информации используются элек-трические и оптоэлектрические средства и методы.
К достоинствам оптоэлектронных устройств относится полная галь-ваническая развязка между входными и выходными цепями, отсутствие обратного влияния приемника сигнала на его источник, легко согласуются цепи с разными входными импедансами, широкополосность, большое быстродействие, высокая информативная емкость оптических каналов свя-зи, отсутствие взаимодействия с магнитными и электрическими полями.
Недостатки: плохая временная и температурная стабильность харак-теристик, сравнительно большая потребляемая электрическая мощность, сложность изготовления универсальных устройств.
Фотоприемники – это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию. Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фо-тодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и т. д. Для получения макси-мального преобразования оптического излучения в электрический сигнал необходимо согласовывать спектральные характеристики фотоизлучателей и фотоприемников.
Работа фотоприемников основана на одном их трех видов фотоэлек-трических явлений:
— внутреннем фотоэффекте – изменении электропроводности веще-ства при его освещении,
— внешнем фотоэффекте – испускании веществом электронов под действием света (используется в вакуумных и газонаполненных фотоэлементах).
— фотоэффекте в запирающем слое – возникновении ЭДС на границе двух материалов под действием света.
2. ФР-Г-310
ФР – фоторезистор, Г-310 – номер прибора.
Фоторезистор
Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, прово-димость которых меняется под действием света. Если фоторезистор вклю-чен последовательно с источником напряжения и не освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток:
где E – э. д. с. источника питания; RT – величина электрического со-противления фоторезистора в темноте, называемая темновым сопротивле-нием; RН – сопротивление нагрузки.
При освещении фоторезистора энергия фотонов расходуется на пе-ревод электронов в зону проводимости. Количество свободных электрон-но-дырочных пар возрастает, сопротивление фоторезистора падает и че-рез него течет световой ток:
Разность между световым и темновым током дает значение тока Iф, получившего название первичного фототока проводимости
Основными характеристиками фоторезисторов являются:
— вольтамперная;
— cветовая.
Основные параметры фоторезисторов:
— рабочее напряжение Uр;
— максимально допустимое напряжение фоторезистора Umax;
— темновое сопротивление Rс;
— световое сопротивление Rс;
— кратность изменения сопротивления KR;
— допустимая мощность рассеяния;
— общий ток фоторезистора;
— фототок;
— удельная чувствительность;
— интегральная чувствительность;
— постоянная времени.
3. АОТ115Б – предназначен для использования в качестве управляе-мого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры.
1 элемент – А – соединение галлия;
2 элемент – О – оптопара;
3 элемент – Т – транзистор;
115 – номер прибора;
Б – разновидность.
Предназначен для использования в качестве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая развязка между выходной цепью и цепями управления.
Список использованной литературы
—