Содержание
Решение.
1. ПТ с управляющим p-n переходом и p-каналом.
Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p-каналом.
Чтобы основные носители (в данном случае дырки) двигались к стоку, к нему (к стоку) следует приложить отрицательный полюс источника Ес. Затвор в данном транзисторе «n» типа. К затвору прикладывается прямое напряжение. Значит, к затвору следует приложить положительный полюс источника Ез.
2.
Стоковая (а) и стоко-затворная (б) характеристики транзистора.
3.
Стоковая характеристика транзистора.
(при UCИ=const) – крутизна.
Крутизна характеризует эффективность управляющего действия затвора. Определяется по стоковой характеристике следующим образом: при постоянном значении напряжения UCИ задается изменение напряжения UЗИ и при этом определяется изменение тока Iс.
Внутреннее сопротивление определяется следующим образом: при неизменном напряжении UЗИ изменяют значение UСИ и определяют изменение значения тока Iс.
, при UЗИ=const.
Помимо высокого входного сопротивления полевой транзистор обладает более высокой термостабильностью по сравнению с биполярным транзистором. Создает меньшие шумы, более стоек к радиационному и ионизирующему воздействию. Недостаток полевого транзистора – недостаточно высокая крутизна.
Список использованной литературы
—
С этим материалом также изучают
Изучите принципы работы, типы и ключевые характеристики полевых транзисторов (FET), включая MOSFET и JFET. Узнайте, как эти компоненты применяются для создания современных полупроводниковых сенсоров, таких как ISFET и фототранзисторы. Структурированный обзор для глубокого понимания темы.
... канала. Напряжение отсечки полевого транзистора с управляющим ... и затвора. На следующих этапах ... стоковым контактами, которые представляют собой стандартные диффузионные области р-типа, формируемые одновременно с диффузией базы в биполярных транзисторах. ...
Всесторонний разбор принципов работы, характеристик и схем для курсовой по операционным усилителям и МДП-транзисторам. Изучите их интеграцию в аналоговой схемотехнике для успешного выполнения вашего проекта.
... соединя¬ется с истоком. Однако иногда подложка используется в качестве затвора, управляющего то¬ком стока, аналогично затвору полевого транзистора с p-n-переходом.
... напряжения R1-R2 должен обеспечивать постоянство потенциала базы транзистора при ... вольтамперных характеристик транзистора ... транзистор». Современ-ное название «полевой транзистор». ... Транзисторы с изолированным затвором делятся на две группы: транзисторы ...
Изучите физические основы, типы (JFET, MOSFET) и применение полевых транзисторов. Статья содержит готовый пример структуры и содержания курсовой работы для студентов.
... Транзистор VT1 является полевым транзистором с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа. Его передаточная характеристика (зависимость тока стока от напряжения между истоком и затвором) ... действия генератора. При подключении напряжения питания ...
... В связи со снижением цен на мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и улучшением их параметров, а ... 6 1.Определение максимального и минимального значений выпрямленного сетевого напряжения: 6 2. Выбор выпрямительных диодов (VD1-VD4): ...
... на повышенной частоте. Современные силовые полевые транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором допускают частоту коммутации в десятки килогерц при напряжениях сотни вольт и токах сотни ...
... и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с вольт-амперной характеристикой полупроводникового диода. Входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом напряжении. Поэтому они ...
