Содержание

— Введение

— Микроминиатюризация МДП-приборов

— Эволюция размеров и параметров МДП-приборов

— Физические явления, ограничивающие

микроминиатюризацию

— Физические ограничения микроминиатюризации

— Транзисторная наноэлектроника

— КНИ

— Приборы наноэлектроники для квантовых

компьютеров

— Мезоскопические наноструктуры и приборы на их основе

— Новые приборы

Выдержка из текста

Для классических компьютеров исключительно важной является проблема уменьшения

рассеиваемой энергии в процессе вычислительных операций.

МДП-полевые транзисторы с изолированным затвором не расходуют входную мощ-

ность при управлении током во вторичной цепи. В этом их принципиальное отличие от

биполярных транзисторов и основное преимущество для повышения степени упаковки

и интеграции при конструировании сверхбольших интегральных схем (СБИС).

Кроме этого, оказывается, что, используя пару комплементарных (дополняющих)

p- и n-канальных МДП-транзисторов, можно практически свести к нулю и рассеивае-

мую выходную мощность. Действительно, для последовательно соединенных КМОП-

транзисторов при подаче напряжения в активном режиме один из них всегда открыт,

а другой — закрыт. Поэтому ток в выходной цепи в статическом режиме не протекает,

а мощность выделяется только при переключениях транзисторов из одного состояния

в другое.

Список использованной литературы

1. М. Г. Малорацкий. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ.

2. Асеев А. Л. (отв. ред.), Нанотехнологии в полупроводниковой электронике //

А. Л. Асеев. СО РАН, 2004. 368 с.

3. Берман Г. П. Введение в квантовые компьютеры // Г. П. Берман, Г. Д. Дулен,

Р. Майньери, В. И. Цифринович, РХД. 2004. 188 с.

4. Валиев К. А. Квантовые компьютеры: надежды и реальность (изд. 2-е, испр.)

// К. А. Валиев, А. А. Кокин, РХД, 2004, 320 с.

5. Ермаков О. Н. Прикладная оптоэлектроника, М.: Техносфера. 2004. 416 с.

6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов // С. Зи. М.: Мир, 1984. T. 1, 456 с;

T. 2, 456 с.

Похожие записи