Пример готового реферата по предмету: Физика
Оглавление
Введение 3
1.Бинарные полупроводники АIIIВV 4
2. Свойства GaAs 5
3.Примеси в полупроводниках GaAs 11
4. Получение и маркировка 15
5.Применение 17
Заключение 18
Список использованной литературы 19
Содержание
Выдержка из текста
Уже созданы экспериментальные образцы лазерных излучателей на основе AIIIBV с фантастическими значениями генерации импульсной мощности до 1023 Вт/см 2 (за 10– 14 с, да ещё в придачу с миллионами атмосфер давления).
Здесь необходимо показать, зачем применяется, и как используется индекс-но-последовательный поиск. Так же будет рассмотренна его эффективность и приведена функция, реализующая этот вид поиска в массиве.
Настоящая работа продолжает исследование бинарной проблемы Гольдбаха.Цель работы заключается в решении следующей задачи: получить решение бинарной проблемы Гольдбаха в среднем с возможно меньшим осреднением.
Свойства бинарных отношений.
Сортировка — одна из наиболее распространённых операций обработки данных. Сортировкой называется распределение элементов множества по группам в соответствии с определёнными правилами. Например, в одномерном массиве X из N элементов требуется произвести перестановку значений так, чтобы они расположились по возрастанию, т.е. X1 ≤ X2 ≤ XN .Алгоритм сортировки — это алгоритм для упорядочения элементов в списке. В случае, когда элемент списка имеет несколько полей, поле, служащее критерием порядка, называется ключом сортировки. На практике в качестве ключа часто выступает число, а в остальных полях хранятся какие-либо данные, никак не влияющие на работу алгоритма.Алгоритмы сортировки оцениваются по скорости выполнения и эффективности использования памяти:
Производя многократное контактирование неравновесных потоков паровой и жидкой фаз, направляя после каждой ступени пары на смешение с жидкостью, более богатой НКК по сравнению с равновесной с этими парами жидкостью, а жидкость на контакт с парами, более бедными НКК, можно изменить составы фаз желаемым образом.
Данные должны быть представ-лены в следующих формах: бинарной, структурированной текстовой фор-ме (XML), текстовой (TXT) и гипертекстовой (HTML)
По длинному вертикальному проводнику сверху вниз идет ток I = 8 А.
11.18. Напряженность магнитного поля в центре кругового витка H0 = 0,8*Э. Радиус витка R = 11 см. Найти напряженность H магнитного поля на оси витка на расстоянии а = 10 см от его плоскости. Решение: Переведем значение напряженности в единицы СИ. Поскольку 1Э = (1/4*π)*103 А/м ~ 79,6 А/м, то Н 0 = 0,8*Э = 63,7 А/м. Напряженность магнитного поля на оси кругового витка: Н = (R2*I)/(2*(R2+a 2)3/2) (1).
Нам неизвестен ток I. Но напряженность в центре витка Н 0 = I/2*R, откуда I=2*Н 0*R (2).
Подставим выражение (2) в (1) и получим: Н = (R3*Н 0)/(R2+a 2)3/2 = 25,7 А/м. Ответ: Н = 25,7 А/м.
Вследствие изменения силы тока в проводнике магнитный поток, пронизывающий плоскость рамки, изменяется и в ней возникает индукционный ток. Рамка находится в неоднородном магнитном поле. Поэтому для расчета потока применим метод ДИ -дифференцирования и интегрирования. Разделим площадь рамки на столь узкие полоски шириной dx, чтобы в пределах каждой полоски магнитное поле можно было считать однородным.
Как будут вести себя два проводника с токами, расположенные перпендикулярно друг другу? Эта пара сил начнет вращать проводник АС вокруг точки О против часовой стрелки. Аналогично можно показать, что одновременно первый проводник начнет вращаться вокруг точки О по часовой стрелке.
Задача №
8. Определяя сопротивление лампочки карманного фонаря, учащийся ошибочно составил цепь, схема которой представлена на рисунке
81. Описать режим работы этой цепи и указать, какими приблизительно будут показания приборов, если напряжение на полюсах источника тока 2 В. Решение: Сопротивление вольтметра очень велико, а сопротивление амперметра очень мало. Общее сопротивление цепи таким образом равно сопротивлению вольтметра (десятки и сотни кОм).
Поэтому ток в цепи очень мал. К тому же амперметр полностью шунтирует лампочку и ток через нее не идет. Вольтметр показывает падение напряжения на батарее, т. е. 2 В, амперметр ток не показывает, лампочка не горит. Ответ: лампочка не горит, вольтметр показывает примерно 2 В, амперметр показывает нуль.
Электронный луч представляет собой поток электронов. В магнитном поле на движущийся заряд действует сила Лоренца, где величина заряда, его скорость, индукция магнитного поля, угол между векторами и, Для положительно заряженной частицы направление силы Лоренца определяется по правилу левой руки. Так как у нас заряд отрицательный (электроны), то либо определяем направление силы по правилу правой руки, либо по правилу левой руки, но изменяя направление силы на противоположное. Электроны движутся слева направо. Силовые линии направлены от наблюдателя за плоскость чертежа. По правилу правой руки луч сместится вниз.
Для написания выбран Turbo Assembler (TASM) — программный пакет компании Borland, предназначенный для разработки программ на языке ассемблера для архитектуры x 86.
В данной курсовой работе рассматривается процесс ректификации, осуществляющийся непрерывно при атмосферном давлении. Ректификация представляет собой процесс многократного частичного испарения жидкости и конденсации паров. Процесс осуществляется путем контакта потоков пара и жидкости, имеющих различную температуру кипения и проводится обычно в колонных аппаратах. При каждом контакте из жидкости испаряется преимущественно низко кипящий компонент, а из паров конденсируется высоко кипящий компонент, переходящий в жидкость.
247. Бесконечно длинный прямолинейный проводник с током 3 А расположен на расстоянии 20 см от центра витка радиусом 10 с током 1 А. Определить напряжённость и индукцию магнитного поля в центре витка для случаев, когда проводник:
Список использованной литературы
1. И. А. Случинская, Основы материаловедения и технологии полупроводников, Москва — 2002
2. Рябцев Н. Г. Материалы квантовой электроники. М. «Советское радио», 1972, 384 с.
3. “Материалы Электронной Техники» В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. 1986 г.
4. Материал из Мегаэнциклопедии Кирилла и Мефодия
5. Shao-Heng C., Ming-Long F., Pin S. Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach // Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. 2013. Vol. 60, № 4. P. 1485– 1489.
6. Obata T. et al. Photoluminescence of nearly stoichiometric LT-GaAs and LT-GaAs/AlAs MQW // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 228. P. 112– 116. 4. Mikulics M. et al. Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates // Ieee Photonics Technol. Lett. 2005. Vol. 17, № 8. P. 1725– 1727.
список литературы
