Содержание
Введение
1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ И КОНСТРУКЦИЯ
2 СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ
3 РЕЖИМЫ РАБОТЫ
4 УСИЛЕНИЕ ПО МОЩНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ ТРАНЗИСТОРОМ. ВКЛЮЧЕННЫМ ПО СХЕМЕ С ОБ
5 РАБОТА ТРАНЗИСТОРОВ В СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ (ОЭ)
6 СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА
Заключение
Литература
Содержание
Выдержка из текста
Биполярный транзистор — это прибор, у которого путём изменения тока во входной цепи управляют его сопротивлением в выходной цепи.Транзистор называют биполярным, так как в процессе протекания тока участвуют носители электричества двух знаков – электроны и дырки.Биполярный транзистор содержиn три полупроводника (p-n-p или n-p-n) и соответственно два p-n-перехода.
Позже к названию «транзистор» начали добавлять термин «биполярный», поскольку все токи в нем обусловлены носителями заряда обоих знаков – как электронами, так и дырками. Это связано с тем, что в 1956 г. был разработан еще один тип транзистора с иным принципом работы, у которого ток формиро-вался носителями заряда только одного знака – или электронами, или дырками. Этот прибор сначала получил название «униполярный транзистор». Современ-ное название «полевой транзистор».
Применение ионного легирования позволяет изготовлять микросхемы, содержащие на одном кристалле высококачественные биполярные транзисторы и высококачественные полевые транзисторы с точно согласованными параметрами. Структура, содержащая такие транзисторы, представлена на рис.
Основное требование к ШУ – обеспечение равномерного усиления сигнала в широком диапазоне частот с заданным коэффициентом усиления. Для создания ШУ необходимо применять высокочастотные усилительные приборы, принимая при этом специальные меры по расширению (коррекции) полосы пропускания. Значения напряжения и мощности на выходе усилителя также могут изменятся в очень широких пределах: напряжение от десяти до сотен вольт, а мощность — от нескольких милливатт до сотен ватт и киловатт. Для увеличения мощности и напряжения первичного источника низкочастотного сигнала до необходимого значения во многих случаях приходится применять ряд ступеней (каскадов) усиления.
И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Появление транзисторов – результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках.
Типы транзисторов определены в задании (см.Вариант Структура Структура схемы Биполярный Транзистор Полевой Транзистор Епит (В) Rн, кОм Cн , пФ fн , Гц
4.Все конденсаторы имеют такую емкость, что их сопротивлением на частоте сигнала можно пренебречь. Считать, что дифференциальные параметры транзисторов на частоте сигнала равны их низкочастотным значениям
Входные и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с вольт-амперной характеристикой полупроводникового диода. Входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом напряжении. Поэтому они аналогичны характеристике обратного тока диода. Выходные характеристики подобны характеристике обратного тока диода, так как они отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
Целью теоретической части является изложение следующих тем: усилительный каскад на биполярном транзисторе, графический расчет усилительного каскада, малосигнальные схемы замещения транзистора, определение h-параметров по характеристикам, Y-параметры транзистора, использование схем замещения транзистора для анализа усилительных каскадов в режиме малых сигналов, малосигнальные физические эквивалентные схемы биполярного транзистора, схема для включения транзистора ОБ, схемы для включения транзистора с ОЭ, сравнение усилительных свойств биполярного транзистора в различных схемах включения, особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах, динамические свойства транзистора при включении с общей базой, динамические свойства транзистора в схеме ОЭ.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выбрать принципиальную схему логического элемента и привести исходные данные варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице.
Задача 1. Выберете выпрямительный диод согласно условию вашего варианта. Приведите условнографическое обозначение и типовую вольтамперную характеристику выбранного диода, укажите область его применения.Выберете диод выполняющий заданную функцию. Приведите условнографическое обозначение и типовую характеристику выбранного диода, укажите область его применения. Таблица 1Вариант 6 Условия выбора выпрямительного диода6 Малая мощность Iобр.ср.= 0,1 мкА, Fмакс = 4 кГц
Литература
1.Лысенко А.П. Биполярные транзисторы. Учебное пособие – М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2006. – 78 с.
2.Тогатов В.В., Балобей Ф.П. Биполярные транзисторы. Учебное пособие по курсу «Электроника» – СПб.: ИТМО, 2004. – 43 с.
список литературы