Содержание
Введение3
Разогрев носителей заряда4
Степень «разогрева»4
Отклонения от закона Ома6
Поведение носителей заряда8
при сильных электрических полях8
Пинч-эффект в твердых телах14
Литература19
Выдержка из текста
Введение
Разогрев носителей заряда происходит из-за воздействия света, электрического поля, электромагнитное излучение СВЧ, КВЧ и др. частотных диапазонов. Из этих воздействий наиболее естественным и распространенным, а также и наиболее практически значимым является воздействие на полупроводник сильного постоянного электрического поля или сильного электромагнитного СВЧ- или КВЧ –полей. В сильных электрических полях, приводящих к разогреву носителей заряда, в полупроводниках наблюдается целый ряд специфических явлений, которые часто называют также эффектами сильного поля. К ним относятся нарушение закона Ома, изменение подвижности носителей заряда, ударная ионизация, туннелирование (термополевая эмиссия), эффект отрицательной дифференциальной подвижности и эффект Ганна в многодолинных полупроводниках, анизотропия проводимости, изменение скорости звуковых и плазменных волн и др. Явления, возникающие в полупроводниках в сильных электрических полях, используются для создания генераторов, усилителей и преобразователей СВЧ- и КВЧ- диапазонов[1].
Список использованной литературы
1)Михайлов А.И., Сергеев С.А., Физические основы твердотельной электроники, СГУ, 2007.
2)Денис В., Пожела Ю., Горячие электроны, Вильнюс, 1971
3)Конуэлл Э., Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях, пер. с англ., M., 1970;
4)Зи С., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1984.
5)Владимиров В.В., Пинч-эффект в плазме твердого тела, УФН, т. 117, вып. 1, 1975.
6)Шотов А.П., Гришечкина С.П., Муминов Р.А., Письма ЖЭТФ, в.6, стр.895, 1967.
С этим материалом также изучают
Детальное исследование физических процессов распределения неосновных носителей заряда в диоде при прямом смещении. В статье рассматриваются диффузионные уравнения, модели для диодов с длинной и короткой базой и их практическое применение в курсовых работах.
... полупроводников 3 2 Конструкция и принцип работы диода 7 3 Влияние распределения неосновных носителей заряда ... или иного диода в электрическую схему. Следует отметить, что ... полупроводниковых диодов при одновременном воздействии на них постоянного и ...
... электроны и дырки в полупроводниках - носители заряда в полупроводниках, концентрации носителей заряда и ионизованных примесей и ... проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных ...
... накопления носителей зарядов? Список использованной литературы При пропускании тока через собственный полупроводник под ... поле не может воспрепятствовать одновременному поперечному смещению электронов и дырок. Объясните, каким образом в полупроводнике ...
... при облучении 23 1.2.3.1 Время жизни неосновных носителей заряда 24 1.2.3.2 Концентрация, удельное сопротивление и ... образование, 2009. 7. В.Н. Брудный Радиационные эффекты в полупроводниках/ Вестник Томского государственного университета № 285, ...
... при облучении 23 1.2.3.1 Время жизни неосновных носителей заряда 24 1.2.3.2 Концентрация, удельное сопротивление и ... образование, 2009. 7. В.Н. Брудный Радиационные эффекты в полупроводниках/ Вестник Томского государственного университета № 285, ...
... энергии электри-ческого заряда в электростатическом поле к величине этого заряда, называют потенциалом φ электрического поля: Потенциал является ... осуществляется не непосредственным их воздействием друг на друга, а через электрические поля, окружаю-щие ...
... ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ1.1. Распределение зарядов в проводниках1.2. Проводник во внешнем электрическом поле1.3. Электрическая емкость проводников1.4. Электрическая емкость конденсатора1.5. Энергия электрического ... воздействия, ... магнитном поле, индукция ...
... кг/м3. Найти заряд q шара, если в однородном электрическом поле шар оказался взвешенным в масле. Электрическое поле направлено вертикально ... ион создает электрическое поле с напряженностью Е: Е = |q|/4*π*ε*ε0*r2 (1). Заряд одновалентного иона ...
