Пример готового реферата по предмету: Электроника
Введение
1. Химические и биологические сенсоры
Аналитические характеристики ИСЭ
Ионоселективные микроэлектроды
Полевые транзисторы
2. Новейшие датчики
Химические датчики
Датчики прямого действия
Составные датчики
Биосенсоры
Сенсорные нанопленки
Заключение
Литература
Содержание
Выдержка из текста
Срок службы полупроводниковых приборов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике
Применение ионного легирования позволяет изготовлять микросхемы, содержащие на одном кристалле высококачественные биполярные транзисторы и высококачественные полевые транзисторы с точно согласованными параметрами. Структура, содержащая такие транзисторы, представлена на рис.
При соединении полупроводника n-типа проводимости с диэлектриком для образования канала дырочной проводимости необходимо к затвору приложить отрицательное напряжение. Это напряжение, во-первых, компенсирует положительный заряд, сосредоточенный на границе раздела диэлектрик-полупроводник, во-вторых, оттесняет основные носители заряда (электроны) из приповерхностной зоны. Дальнейшее увеличение абсолютной величины отрицательного напряжения на затворе приводит к тому, что концентрации ионов примеси будет недостаточно для компенсации электрического поля в диэлектрике. В результате происходит инверсия типа проводимости поверхностного слоя и образование канала дырочной проводимости. Образовавшийся между стоком и истоком канал работает только в режиме обогащения, так как чем больше напряжение на затворе превышает напряжение инверсии, тем больше проводимость поверхностного слоя. Напряжение на затворе, при котором появляется проводимость канала, называется пороговым.
В линейном режиме биполярные транзисторы используются для усиления и генерации сигналов. В нелинейном (ключевом) режиме они используются в большинстве цифровых интегральных схем, применяемых в вычислительной технике.
Основное требование к ШУ – обеспечение равномерного усиления сигнала в широком диапазоне частот с заданным коэффициентом усиления. Для создания ШУ необходимо применять высокочастотные усилительные приборы, принимая при этом специальные меры по расширению (коррекции) полосы пропускания. Значения напряжения и мощности на выходе усилителя также могут изменятся в очень широких пределах: напряжение от десяти до сотен вольт, а мощность — от нескольких милливатт до сотен ватт и киловатт. Для увеличения мощности и напряжения первичного источника низкочастотного сигнала до необходимого значения во многих случаях приходится применять ряд ступеней (каскадов) усиления.
И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Появление транзисторов – результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках.
Типы транзисторов определены в задании (см.Вариант Структура Структура схемы Биполярный Транзистор Полевой Транзистор Епит (В) Rн, кОм Cн , пФ fн , Гц
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выбрать принципиальную схему логического элемента и привести исходные данные варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице.
Транзисторы в зависимости от принципа действия и конструктивных признаков подразделяются на два больших класса: биполярные и униполярные. Биполярный транзистор – это трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Термин «биполярный» подчеркивает использование носителей заряда обоих знаков в работе транзистора.
2.4. Полевой транзистор (ПТ) с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении (рисунок 2.2).
Подавая на затвор «+» от входного источника питания Ез, p-n-переход смещается в обратном направлении. Чтобы основные носители (в данном случае дырки (для канала р) двигались к стоку, к нему (к стоку) следует приложить отрицательный полюс источника Ес (рисунок 2.2).
арсенид галлий транзистор4.2 Полевые транзисторы 4.3 Биполярные транзисторы
Оформление Word.
Список источников информации
1. «Мир электроники» Современные датчики. Справочник. Москва: Техносфера, 2005.-592с. Дж. Фрайден
2. С. Н. Штыков, Т. Ю. Русанова «Наноматериалы и нанотехнологии в химических и биохимических сенсорах: возможности и области применения»
3. «Журнал радиоэлектроники» № 3,2009, А.А. Егоров. Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН.
4. И. А. Шевчук, Т.Н.Симонова «Ионоселективные электроды в анализе природных и промышленных объектов». Учебное пособие.- Донецк: «Норд — компьютер», 2007.-206с.
5. «Мир электроники» Вводный курс для инженеров и научных работников. Под ред. Эрика Удда.
список литературы
