Содержание
Содержание
Введение 3
1 Понятие интегральной микросхемы и ее элементов 5
1.1 Анализ состояния микроэлектроники 5
1.2 Закон Мура 6
2 Получение интегральных микросхем и микрокатодов методами электронной литографии 7
2.1 Основные понятия и определения 7
2.2 Электронная литография 9
2.2.1 Сущность метода электронной литографии 9
2.2.2 Преимущества метода электронной литографии 12
Заключение 13
Список источников 15
Выдержка из текста
ВВЕДЕНИЕ
Миниатюризация элементов интегральных схем есть способ увеличения их производительности и эффективности. Поэтому существует потребность как в развитии наноструктурирования, так и создания специализированных структур на чипах с элементами, имеющими нанометровые размеры в таких областях как: оптоэлектроника, рентгеновская оптика, исследования в области физики низких температур и квантово-размерных эффектов, новых материалов, таких как двумерный графен и т.д.[1]
Структурирование с помощью электронной литографии является самым удобным методом создания объектов ввиду своей гибкости и оперативности. В связи с этим задача развития методик получения суб-100нм разрешения в электронной литографии является актуальной.
Электронная литография основана на взаимодействии электронного пучка с резистом. Электронный рсзист – это нечувствительный к видимому и ультрафиолетовому излучению полимерный материал, который изменяет свои свойства при взаимодействии с электронами.
Обладая запасом большой энергии, электроны разрывают химические связи в электронном рсзисте, в результате чего происходит его деструкция [2]. Электронные рсзисты подразделяются на негативные и позитивные. У позитивного резиста увеличивается растворимость областей проэкспонированных электронных пучком, а значит, при проявлении именно с облученной области резист будет удаляться легче.
Для негативного резиста – наоборот, растворимость экспонированной области негативного резиста понижается, а значит именно она остаётся на подложке после процесса проявления.
Автоэмиссионные кремниевые микрокатоды являются ключевым элементом в системах цифровой литографии. Для такой литографии эффективная скорость передачи топологической информации в цепи «САПР-канал-микрокатод» находится в терабитном диапазоне.
В настоящее время достичь такой скорости передачи информации технически сложно. Поэтому проведение комплексных исследований по разрабогке как структуры системы преобразования топологической информации в системах цифровой литографни, так и ее отдельных элементов, с возможностью их технической реализации, является перспективным направлением развития науки.
Список использованной литературы
СПИСОК ИСТОЧНИКОВ
1. Моделирование процессов внедрения и перераспределения примесей при ионной имплантации / В. В. Асессоров и др. — Воронеж: Воронежский гос. ун-т, 2004 г. — 202 с. — ISBN 5-9273-0506-7.
2. А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Е.А. Тишин, А.А. Чуприк. "Растровый электронный микроскоп: Лабораторная работа". МФТИ, 2009. – 52 с.
3. «Практическая растровая электронная микроскопия», под ред. Гоулдстейна Дж. и Яковца X. М.: Мир, 1978.
4. http://az-design.ru/index.shtml?Support&Archiv&Elc1979/.
5. http://www.ufn.ru.
6. http://journal.issep.rssi.ru/t_cat.phpid=5.
7. http://www.edu.ru/.
8. http://www.tokyo-boeki.ru.
9. http://www.nanometer.ru/2010/05/30/nanolithography_214087.html.