Пример готового реферата по предмету: Физика
Содержание
Введение 3
1. Классификация квантовых точек 5
2. Излучатели на квантовых точках 10
3. Применение. Дисплеи (светодиоды), лазеры на квантовых точках 14
Вывод 17
Список использованных источников 19
Содержание
Выдержка из текста
Все перечисленные выше проблемы можно разрешить при использо-вании современных полупроводниковых технологий, которые позволяют интегрировать одиночную полупроводниковую квантовую точку (КТ) в полупроводниковый микрорезонатор. Неоспоримым преимуществом по-лупроводниковых ИОФ является возможность токовой накачки КТ, что позволяет разрабатывать полностью твердотельные излучатели в виде ми-ниатюрных светоизлучающих диодов.
Например, квантовая точка кремния диаметром
1 нм содержит всего около
80. атомов, треть из которых находится на ее поверхности. Также большой вклад в свойства полупроводниковых наноструктур вносит дискретный набор энергетических уровней, причем для квантовых точек расстояние между этими уровнями зависит непосредственно от радиусов точек.Целью измерения спектров поглощения полупроводниковых квантовых точек, рассматриваемых в данной рабте, является определение структуры энергетических уровней точек и, как следствие, определение их радиусов.
Задачи, приводящие к восстановлению функции по её производной (задача о вычислении пройденной пути по мгновенной скорости, задача о вычислении мгновенной скорости по ускорению, задача о вычислении переменной массы по известной плотности).
Понятие первообразной функции. Свойства первообразных функций. Понятие неопределенного интеграла и его свойства. Таблица интегралов основных элементарных функций. Методы интегрирования функций: непосредственного интегрирования, подстановки и по частям.
Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезенОсновные стандарты на полупроводниковые диодыГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые.
Дифракция света – в узком, но наиболее употребительном смысле – огибание лучами света границы непрозрачных тел (экранов); проникновение света в область геометрической тени. Наиболее рельефно дифракция света проявляется в областях резкого изменения плотности потока лучей: вблизи каустик, фокуса линзы, границ геометрической тени и др. дифракция волн тесно переплетается с явлениями распространения и рассеяния волн в неоднородных средах.Дифракцией называется совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с резкими неоднородностями, размеры которых сравнимы с длиной волны, и связанных с отклонениями от законов геометрической оптики.
Квантовая и ядерная физика
Квантовая механика и строение атома. Соотношение между классической механикой и теорией относительности, классической и квантовой механикой
2. Конвективно-радиационные приборы, передающие конвекцией от
5. до 75 % общего теплового потока. Вторая группа включает радиаторы секционные и панельные, гладкотрубные приборы, напольные отопительные панели.
ответы на вопросы
Зато если вы гоните по пустынной трассе, а тут "из кустов", откуда ни возьмись, гаишники с радаром, засекшие вас уже давно и верно (плюс у "дальнобойного" радара существенная погрешность), отвертеться будет очень трудно. Разве что попросить милиционера "на прощанье" полюбоваться на радар лично, поинтересоваться, как эта штука работает, и нечаянно… измерить скорость любого проезжающего автомобиля. Ваши данные будут стерты, и вам представится полная свобода выбора -как подсказывает совесть и разум. Хотя гаишники сейчас стали очень хитрые и на такие детские уловки попадаются редко
Список использованных источников
1. Адаскин, А.М. Материаловедение и технология полупроводнико-вых материалов: Учебное пособие / А.М. Адаскин, В.М. Зуев.. — М.: Фо-рум, НИЦ ИНФРА-М, 2013. — 336 c.
2. Батышев, А.И. Материаловедение и технология материалов: Учебное пособие / А.И. Батышев, А.А. Смолькин. — М.: ИНФРА-М, 2012. — 288 c.
3. Безпалько, В.И. Материаловедение и технология материалов: Учебное пособие / Под ред. А.И. Батышев, А.А. Смолькин. — М.: НИЦ ИНФРА-М, 2013. — 288 c.
4. Бондаренко, Г.Г. Основы физического материаловедения: Учеб-ник / Г.Г. Бондаренко. — М.: Бином, 2014. — 760 c.
5. Захаров, А.Ю. Теоретические основы физического материалове-дения. Статистическая термодинамика модельных систем: Учебное пособие / А.Ю. Захаров. — СПб.: Лань, 2016. — 256 c.
6. Зегря Г.Г., Перель В.И. Основы физики полупроводников. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. — 336 с.
7. Нанотехнологии в ближайшем десятилетии. Под редакцией М.К.Роко, Р.С.Уильямса, П.Аливисатоса. Москва, Мир, 2002.
8. Родионова Н.А., Шмидко И.Н., Родионов Е.В. / Оптические ха-рактеристики пленок оксида хрома, полученных по МОС технологии / Research Journal of International Studies, Екатеринбург, № 7 (38), 2015 г., С.40-43.
9. Родионова Н.А., Шмидко И.Н., Родионов Е.В. / Механические свойства пленок оксида хрома в зависимости от технологических факторов / Research Journal of International Studies, Екатеринбург, № 7 (38), 2015 г., С.44-46.
10. Сироткин, О.С. Основы инновационного материаловедения: Мо-нография / О.С. Сироткин. — М.: ИНФРА-М, 2011. — 158 c.
11. Фенелонов В.Б. Введение в физическую химию формирования супрамолекулярной структуры адсорбентов и катализаторов. Новоси-бирск: Издательство СО РАН, 2002. — с. 236-239.
12. Храмцов, Н.В. Основы полупроводникового материаловедения / Н.В. Храмцов. — М.: АСВ, 2011. — 240 c.
список литературы
