Содержание
Содержание
Введение 3
1. Классификация квантовых точек 5
2. Излучатели на квантовых точках 10
3. Применение. Дисплеи (светодиоды), лазеры на квантовых точках 14
Вывод 17
Список использованных источников 19
Выдержка из текста
Введение
Исследования в сфере мезоскопической квантовой оптики можно от-нести к самым актуальным задачам современной физики, поскольку они открывают новые грани в исследовании эффектов квантовой электродина-мики, в разработке неклассических сверхминиатюрных излучателей для квантовых информационных систем, а именно: излучателей пар ” запутан-ных“ фотонов (ИПЗФ) и излучателей одиночных фотонов (ИОФ).
Поэтому тема данной работы актуальна.
Приборную реализацию эффективных излучателей одиночных фото-нов следует отнести к самым сложным задачам нанотехнологий. Для ее выполнения нужно:
1) локализовать квантовую систему,
2) эффективно накачать ее,
3) эффективно собрать излучение.
Все перечисленные выше проблемы можно разрешить при использо-вании современных полупроводниковых технологий, которые позволяют интегрировать одиночную полупроводниковую квантовую точку (КТ) в полупроводниковый микрорезонатор. Неоспоримым преимуществом по-лупроводниковых ИОФ является возможность токовой накачки КТ, что позволяет разрабатывать полностью твердотельные излучатели в виде ми-ниатюрных светоизлучающих диодов.
В последнее время направления исследований в данной сфере сосре-доточены на поисках оптимальных технологий позиционирования и полу-чения квантовых точек, на разработке самых эффективных методов накач-ки полупроводниковых квантовых точек, на разработке конструкции мик-рорезонатора, который обеспечивает наибольшую внешнюю квантовую эффективность и наименьшую расходимость излучения.
Цель данной работы состоит в изучении полупроводниковых излу-чателей на квантовых точках.
В соответствии с поставленной целью необходимо решить следую-щие задачи:
рассмотреть классификацию квантовых точек;
охарактеризовать излучатели на квантовых точках;
проанализировать область применения квантовых точек.
Список использованной литературы
Список использованных источников
1. Адаскин, А.М. Материаловедение и технология полупроводнико-вых материалов: Учебное пособие / А.М. Адаскин, В.М. Зуев.. — М.: Фо-рум, НИЦ ИНФРА-М, 2013. — 336 c.
2. Батышев, А.И. Материаловедение и технология материалов: Учебное пособие / А.И. Батышев, А.А. Смолькин. — М.: ИНФРА-М, 2012. — 288 c.
3. Безпалько, В.И. Материаловедение и технология материалов: Учебное пособие / Под ред. А.И. Батышев, А.А. Смолькин. — М.: НИЦ ИНФРА-М, 2013. — 288 c.
4. Бондаренко, Г.Г. Основы физического материаловедения: Учеб-ник / Г.Г. Бондаренко. — М.: Бином, 2014. — 760 c.
5. Захаров, А.Ю. Теоретические основы физического материалове-дения. Статистическая термодинамика модельных систем: Учебное пособие / А.Ю. Захаров. — СПб.: Лань, 2016. — 256 c.
6. Зегря Г.Г., Перель В.И. Основы физики полупроводников. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. — 336 с.
7. Нанотехнологии в ближайшем десятилетии. Под редакцией М.К.Роко, Р.С.Уильямса, П.Аливисатоса. Москва, Мир, 2002.
8. Родионова Н.А., Шмидко И.Н., Родионов Е.В. / Оптические ха-рактеристики пленок оксида хрома, полученных по МОС технологии / Research Journal of International Studies, Екатеринбург, №7 (38), 2015 г., С.40-43.
9. Родионова Н.А., Шмидко И.Н., Родионов Е.В. / Механические свойства пленок оксида хрома в зависимости от технологических факторов / Research Journal of International Studies, Екатеринбург, №7 (38), 2015 г., С.44-46.
10. Сироткин, О.С. Основы инновационного материаловедения: Мо-нография / О.С. Сироткин. — М.: ИНФРА-М, 2011. — 158 c.
11. Фенелонов В.Б. Введение в физическую химию формирования супрамолекулярной структуры адсорбентов и катализаторов. Новоси-бирск: Издательство СО РАН, 2002. — с. 236-239.
12. Храмцов, Н.В. Основы полупроводникового материаловедения / Н.В. Храмцов. — М.: АСВ, 2011. — 240 c.