Пример готового реферата по предмету: Электроника
Введение 3
1 Развитие теоретических основ полупроводника 4
2 Полупроводниковые лазеры и их разновидности 11
3 Принцип действия и устройство инжекционного лазера 16
Заключение 28
Список использованных источников 29
Содержание
Выдержка из текста
Инжекционные лазеры, как и другие полупроводниковые лазеры, отличаются использованием полу, проводниковых активных сред, однако их принципиальное отличие от лазеров на других средах состоит в особенности физического механизма работы, а именно, в участии носителей тока — электронов и дырок в рабочих квантовых переходах. В наиболее распространенном варианте инжекционный лазер представляет собой полупроводниковый диод в корпусе с оптическим выводом.
Термин «лазер» появился сравнительно недавно, а кажется, что существует он давным-давно, — так широко он вошел в обиход. Появление лазеров — одно из самых замечательных и впечатляющих достижений квантовой электроники, принципиально нового направления в науке, возникшего в середине 50-х годов.
Импульсный режим работы лазера (по накачке) определяет и особенности управления электрооптическим или же другим типом модулятора добротности. Достаточный уровень усиления активной среды достигается через некоторое, вполне определённое время. Поэтому необходимо задержать первый импульс модуляции добротности на время задержки запуска первого импульса модуляции добротности, что осуществляет генератор строба задержки. Он может быть построен по схеме ждущего мультивибратора. По этой же схеме может быть построен и генератор строба работы.
Активный элемент этих лазеров обычно имеют форму кругового цилиндра или стержня прямоугольного сечения.
Предмет оптоволоконный лазер в медицине.- рассмотреть непрерывные волоконные лазеры;
- проанализировать лечение последствий демодекоза лазером.
Совместно с лазерной терапией допускается применение других физиотерапевтических факторов: лечебной физкультуры, массажа, но не более 2-х в один день. Как уже было отмечено ранее, применение лазерной терапии в комплексе с применением медикаментозных препаратов значительно более эффективно, особенно в острые периоды. Регулированием дозы и интенсивности лазерного излучения можно добиться как стимулирующего, так и угнетающего эффекта, что является важным фактором при применении в практической медицине, поскольку это обеспечивает возможность применения данной технологии у ослабленных больных, в педиатрии, при хронических заболеваниях [2,3].
Все перечисленные выше проблемы можно разрешить при использо-вании современных полупроводниковых технологий, которые позволяют интегрировать одиночную полупроводниковую квантовую точку (КТ) в полупроводниковый микрорезонатор. Неоспоримым преимуществом по-лупроводниковых ИОФ является возможность токовой накачки КТ, что позволяет разрабатывать полностью твердотельные излучатели в виде ми-ниатюрных светоизлучающих диодов.
- оценка технической и технологической целесобразности внедрения в технологию обработки жидкой стали инжекционной проволоки с металлическим кальцием взамен используемой проволоки с наполнителем силикокальций СК 30.
Во-первых, лазер представляет собой высокотехнологичной оптическое устройство, имеющее достаточно простое строение и принцип действия и очень широкое потенциальное применение в различных областях науки, техники и быта.Во-вторых, несмотря на простоту действия и общего принципа устройства лазера, в техническом плане создание лазерной техники требует применения высокоточных технологий, тщательного определения различных групп параметров лазера, подбора параметров компонентов лазера в зависимости от вида применения лазера.3) выявить различные группы характеристик и параметров лазера и методику их определения.
В короткое время были созданы разнообразные типы лазеров и лазерных устройств, предназначенных для решения конкретных научных и технических задач. Басов отвечает на этот вопрос так: “Лазер – это устройство, в котором энергия, например тепловая, химическая, электрическая, преобразуется в энергию электромагнитного поля – лазерный луч. В отличии от других источников света (например, ламп накаливания или ламп дневного света) лазер дает оптическое излучение, характеризующееся высокой степенью упорядоченности светового поля или, как говорят, высокой степенью когерентности.
Переходя к существу дела, следует прежде всего отметить, что лазеры, работающие на переходах между возбужденными уровнями ионов благородных газов, характеризуются весьма высокими плотностями тока, требуемыми для достижения порога генерации, что связано с необходимостью поддерживать достаточно высокой степень ионизации газа. Дело в том, что в ионном газовом лазере верхний лазерный уровень заселяется в результате двух последовательных столкновений атома с электронами разряда. Первое столкновение ионизует атом, второе — возбуждает ион. Следовательно, создание инверсии является двухступенчатым процессом, эффективность каждого из которых пропорциональна току разряда. Значит, в целом эффективность возбуждения по крайней мере пропорциональна квадрату тока разряда, что требует высокой плотности тока для достижения сколько-нибудь заметной инверсии. Для аргоновых лазеров характерны плотности тока в сотни, для больших интенсивностей в тысячи ампер на квадратный сантиметр.
Исследованиявсе больше убеждают нас в том, что широкий класс химических реакций является источником низкоэнтропийной энергии — энергии высокого качества. Этот вывод должен стимулировать дальнейшие поиски новых, более рациональных путей использования химической энергии.
1.1 Способы создания активной среды электроразрядных эксимерных лазеров 1.3Основные реакции в лазерах на галогенидах инертных газов 2 Исследование характеристик лазера и возможности получения нанопорошков
Действительно, основной физический процесс, определяющий действие лазера, — это вынужденное испускание излучения. Оно происходит при взаимодействии фотона с возбужденным атомом при точном совпадении энергии фотона с энергией возбуждения атома (или молекулы)
Лазер отличается от обычных источников света (например, лампы с вольфрамовой нитью) двумя важными свойствами излучения: одноцветность, это значит, что от конкретного лазера исходят волны одной и той же длины.
Список источников информации
1. Басов Н.Г., Вул Б М., Попов Ю.М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний. — ЖЭТФ, 1959, т. 37, с. 587.
2. Басов ИХ., Крохиy О.Н., Попов Ю.М. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучения с помощью квантовых систем. — УФН, 1961, т. 72, с. 161-205.
3. Басов Н.Г? Крохин О.Н., Попов Ю.М. Получение состояний с отрицательной температурой в p-n переходах вырожденных полупроводников. — ЖЭТФ, 1961, т. 40, с. 1879-1880.
4. Bernard M., Durrafourg G. Laser condition in semiconductors. 1961, V. 1, N 2, р. 699-703.
5. На 11 R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D. Coherent light emission from GaAs junctions 1962, V. 9, N 9. p. 366— 378.
6. Багаев В.С., Басов Н.Г., Вул Б.М. и др. Полупроводниковый квантовый генератор на p-n переходе в GаАs. — ДАН СССР, 1963, т. 150, Ч 2, с. 275-278.
7. Велъхер Г., Вейсс Г. В сб. Новые полупроводниковые материалы. — М.: ИЛ 1958, с.
8. Горюнова И.А. Химия алмазоподобных полупроводников. — Л.-: Изд-во ЛГУ, 1963, с. 92.
9 Наследов Д.И., Рогачев А.А., Рывнин СМ., Царенков Б.В. Рекомбинационное излучение арсенида галлия. — ФТТ, 1962, т. 4, с. 1062-1065.
12. Елисеев П.Г., Страхов В.П. Полупроводниковый квантовый генератор непрерывного действия с выходной мощностью в несколько ватт. — ЖТФ, 1970, т. 40, с. 1564-1565.
13. Дрожбин Ю.А., Захаров Ю.П., Никитин ВЗ. и др. Генерация ультракоротких световых импульсов на ПКГ на GаАs. — Письма в ЖЭТФ, 1967, т. 5, с. 180.
14. Курносов В.Д., Плешиов А.А., Ривлин Л.А. а др. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов. Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. — Л.: Наука, 1969, т. I, с. 582-585.
15. Багаев В.С.? Церозашвили Ю.Н., Вул Б.Я. и др. О механизме рекомбинационного излучения арсенида галлия, — ФТТ, 1964, т.
6. ДО 5, с. 1399-1401.
16. Алферов Ж Л., Андреев В.М., Гарбузов ДЗ. и др. Исследование влияния параметров гетероструктуры на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре. — ФТП, 1970, т. 4, с. 1826-1830.
17. Долгинов Л.М’., Дружинина Л .В., Елисеев П .Г. и др. Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5-1,8 мкм. — Квантовая электроника, 1976, т. 3, М 2, с. 465-466.
список литературы
