Пример готового реферата по предмету: Физика
Содержание
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА 4
1.1. Физические процессы при контакте полупроводников п- и р-типа 4
1.
2. Выпрямляющие свойства р-п перехода 6
1.3. Принцип работы полупроводникового транзистора 8
1.4. Эффект Холла 10
2. ТЕРМО-ЭДС 13
2.1. Внешняя и внутренняя разница потенциалов 13
2.2. Законы А. Вольты 15
2.3. Измерение внешней контактной разницы потенциалов 16
2.4. Термоэлектрические явления для металлов 17
3. ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ 18
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 22
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 24
Выдержка из текста
ВВЕДЕНИЕ
В современной электронике на основе полупроводников производят активные элементы. То есть те, которые способны менять свои электрические характеристики в зависимости от подаваемого на них напряжения. Скажем, тот же транзистор является активным элементом, поскольку его значение внутреннего сопротивления будет меняться в зависимости от разных условий в электронной цепи. А вот, например обычный резистор относиться к категориипассивных элементов, так как его сопротивление будет всегда одинаковым. К пассивным электронным компонентам относятся также конденсаторы и катушки. Их создают из других материалов.
Фундаментальными активными элементами являются транзисторы и диоды. Другие полупроводниковые приборы, такие как варикапы, тиристоры и симисторы — это модификации и тех же транзисторов и диодов. Приборы с одним элементом называются дискретными. Соединив множество полупроводниковых элементов на одном кристалле, получают интегральную схему. Например, процессор и память компьютера являются интегральными схемами, состоящими из сотен миллионов транзисторов.
Список использованной литературы
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. С.С.Горелик, М.Я Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков, Москва МИСИС 2003. С. 479.
2. Савельев И.В. Курс общей физики. – т.2. – М.: Наука, 1987-88 §§ 79.
3. Савельев И.В. Курс общей физики. – т.3. – М.: Наука, 1987-88 §§ 64, 65.
4. Бушманов Б.Н., Хромов Ю.А. Физика твердого тела. – М.: Наука, 1987-88, Гл. 5 §§ 5, 11.17.
