Пример готового реферата по предмету: Электроника
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ПРИНЦИП РАБОТЫ 4
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 4
1.1. Основные определения 4
1.2. Принцип работы биполярного транзистора 7
1.3. Математические модели и вольтамперные характеристики БТ 10
1.4. Классификация и система обозначений биполярных транзисторов 16
2. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ 18
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 18
2.1. Малосигнальные параметры биполярного транзистора 18
2.2. Графическое определение параметров 21
2.3. Эквивалентные схемы биполярного транзистора для малого сигнала 24
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ 29
Содержание
Выдержка из текста
Срок службы полупроводниковых приборов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике
Биполярный транзистор — это прибор, у которого путём изменения тока во входной цепи управляют его сопротивлением в выходной цепи. Интегральные транзисторы снабжаются четвёртым выводом, который называется подложкой и играет второстепенную роль в функционировании транзистора.
Позже к названию «транзистор» начали добавлять термин «биполярный», поскольку все токи в нем обусловлены носителями заряда обоих знаков – как электронами, так и дырками. Это связано с тем, что в 1956 г. был разработан еще один тип транзистора с иным принципом работы, у которого ток формиро-вался носителями заряда только одного знака – или электронами, или дырками. Этот прибор сначала получил название «униполярный транзистор». Современ-ное название «полевой транзистор».
Основное требование к ШУ – обеспечение равномерного усиления сигнала в широком диапазоне частот с заданным коэффициентом усиления. Для создания ШУ необходимо применять высокочастотные усилительные приборы, принимая при этом специальные меры по расширению (коррекции) полосы пропускания. Значения напряжения и мощности на выходе усилителя также могут изменятся в очень широких пределах: напряжение от десяти до сотен вольт, а мощность — от нескольких милливатт до сотен ватт и киловатт. Для увеличения мощности и напряжения первичного источника низкочастотного сигнала до необходимого значения во многих случаях приходится применять ряд ступеней (каскадов) усиления.
Транзисторы с изолированным затвором делятся на две группы: транзисторы с индуцированным каналом р-типа проводимости и транзисторы со встроенным каналом n-типа проводимости. В основе управления носителями заряда у транзисторов с каналом р-типа лежит явление инверсии. Рассмотрим принцип работы этих приборов.
И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Появление транзисторов – результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках.
Транзисторные усилители имеют сравнительно небольшую верхнюю граничную частоту усиления, если в оконечном каскаде использован мощный транзистор. Вместе комплексными цепями связи это приводит к значительным частотным искажениям усиливаемого сигнала. Нелинейность вольтамперных характеристик транзистора является источником больших нелинейных искажений на выходе усилителя. Физические свойства транзистора как усилительного элемента определяют низкое входное и высокое (при работе транзистора в активной области) выходное сопротивление усилительного каскада.
Основными элементами схемы являются источник питания , тран-зистор и резистор . Эти элементы образуют главную цепь усили-тельного каскада, в которой за счет протекания коллекторного тока, управляемого по цепи базы, создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. С помощью трех сопротивлений (R1, R2, Rэ) осуществ-ляется температурная стабилизация рабочей точки. Делитель напряжения R1-R2 должен обеспечивать постоянство потенциала базы транзистора при колебаниях температуры. Конденсаторы C1 и C2 являются разделитель-ными. C1 исключает шунтирование входной цепи каскада цепью источника входного сигнала по постоянному току, что позволяет, во-первых исклю-чить протекание постоянного тока через источник входного сигнала по це-пи Eк-R1-Rc и, во-вторых, обеспечить независимость от сопротивления Rc напряжения на базе Uб 0 в режиме покоя. Функция конденсатора C2 сводит-ся к пропусканию в цепь нагрузки только переменной составляющей напряжения.
Применение ионного легирования позволяет изготовлять микросхемы, содержащие на одном кристалле высококачественные биполярные транзисторы и высококачественные полевые транзисторы с точно согласованными параметрами. Структура, содержащая такие транзисторы, представлена на рис.
Список источников информации
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ
1. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства: Учебник для вузов.- 2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь. 1981.-264 с.
2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. – 2-е изд., переработ. и доп. – М.: Высш. шк. 1991, 622 с.
3. Грифилд Дж. Транзисторы и и линейные ИС: Руководство по анализу и расчету: Пер. с англ. – М.: Мир, 1992.- 560 с.
4. Жеребцов И.П. Основы электроники:
- Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1898.- 352 с.
5. Петухов В.М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. — М.: КУбкК-а, 1996. — 672 с.
6. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд.4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977. 672 с.
7. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. Изд.
2. испр. и доп. Изд-во «Советское радио», 1970, 592 с.
8. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., Изд-во иностр.
лит., 1953. 714 с.
9. Ebers J.J., Moll J.L. Large-signal behavior of junction transistors. – «Proc. IRE», 1954, № 12, p. 1761-1772.
10. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. – «Bell System Technical Journal», 1949, vol.28, p.435-480.
11. http://cqmrk.topf.ru/viewtopic.php?id=106
12. https://ru.wikipedia.org/wiki/
13. http://izdat.psuti.ru/?page_id=1147
список литературы
