Углеродные нанотрубки

Содержание

В настоящее время углеродные нанотрубки привлекают к себе много внимания благодаря возможности изготовления на их основе устройств нанометровых размеров. Несмотря на многочисленные исследования в этой области, вопрос о массовом производстве таких устройств остается открытым, что связано с невозможностью точного контроля получения НТ с заданными параметрами и свойствами. Однако в ближайшем будущем следует ожидать бурного развития в этой области из-за возможности производства микропроцессоров и чипов на основе нанотранзисторов и, как следствие, инвестирования в эту область корпорациями, специализирующимся на компьютерной технике

Выдержка из текста

Теоретические и экспериментальные исследования электрических и магнитных свойств нанотрубок обнаружили ряд эффектов, которые указывают на квантовую природу переноса заряда в этих молекулярных проводах и могут быть использованы в электронных устройствах.

Проводимость обычного провода обратно пропорциональна его длине и прямо пропорциональна поперечному сечению, а в случае нанотрубки она не зависит ни от ее длины, ни от ее толщины и равна кванту проводимости 2e2/h (12.9 кОм–1) — предельному значению проводимости, которое отвечает свободному переносу делокализованных электронов по всей длине проводника. При обычной температуре наблюдаемое значение плотности тока (107 Асм–2) на два порядка превосходит достигнутую сейчас плотность тока в сверхпроводниках .

Нанотрубка, которая находится при температурах около 1 К в контакте с двумя сверхпроводящими электродами, сама становится сверхпроводником. Этот эффект связан с тем, что куперовские электронные пары, образующиеся в сверхпроводящих электродах, не распадаются при прохождении через нанотрубку.

При низких температурах

Список использованной литературы

1. Углеродные нанотрубки. Материалы для компьютеров XXI века, П.Н. Дьячков // Природа № 11, 2000 г.

2. Carbon nanotube arrays on silicon substrates and their possible application, Shoushan Fan et al. // Physica E 8 (2000) 179-183

3. A carbon nanotube composite as an electron transport layer for M3EH-PPV based light-emitting diods, P. Fournet et al. // Synthetic Metals 121 (2001) 1683-1684

4. Manipulation of Carbon Nanotubes and Properties of Nanotube Field-Effect Transistors and Rings, H. R. Shea et al. // Microelectronic Engineering 46 (1999) 101-104

5. Single-wall carbon nanotube based devices, J. Lefebvre et al. // Carbon 38 (2000) 1745–1749

6. An under-gate triode structure field emission display with carbon nanotube emitters, Y.S. Choi et al. // Diamond and Related Materials 10 (2001) 1705-1708

7. Материалы Интернета.