Пример готовой контрольной работы по предмету: Электроника
Содержание
Промышленная электроника
Тюменский государственный нефтегазовый университет
ТЕМА
1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
Задача 1
1) Объяснить различия и начертить условные графические обозначения резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, низкочастотных и высокочастотных трансформаторов, электромагнитных реле, применяемых в цепях электронной аппаратуры.
2) В каких единицах (СИ) выражается емкость, индукция, активное, емкостное и индуктивное сопротивления и проводимости.
3) С помощью каких электронных датчиков осуществляется преобразование неэлектрических сигналов (световых, тепловых, звуковых, механических колебаний, растяжения и сжатия, изгиба и давления и т.п.) в электричестве.
ТЕМА
4. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Задача 3
1) Пояснить устройство и физические принципы работы плоскостных биполярных транзисторов типа PNP–NPN
2) Определить статические коэффициенты усиления потоку биполярного транзистора, включенного по схемам с ОБ, ОЭ, ОК, если при изменении тока эмитерра на 1,6мА ток коллектора увеличивается на 1,57мА. Ответ: 0,98; 51,6; 52,6.
ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАЧ 2 И 4 ДАННЫЕ ВАРИАНТА 8.
Задача 2
Исходные данные:
- h11б =
2. Ом, h12б = 2 10-3 , h21б = 0.96, h22б = 2 10-6 См
Найти:
- rэ, rб, rк, , , rвх, rвых для схемы с ОЭ, пересчитать hб параметры в hэ параметры.
Задача 4
Исходные данные
Схема выпрямителя мостовая однофазная
Ud = 24 В, Id = 2 А, U1 = 127 В, f =
5. Гц.
Выдержка из текста
Задача 3
Плоская одномерная модель транзистора, представлена на рис.1. Эта модель предполагает, что p-n- переходы транзистора являются плоскими, и все физические величины в структуре, в частности, концентрации носителей заряда, зависят только от одной продольной координаты x , что соответствует бесконечным поперечным размерам структуры. С учетом того, что в реальной структуре транзистора ширина базы значительно меньше поперечных размеров переходов, плоская одномерная модель достаточно хорошо отражает процессы, протекающие в транзисторе. Рассмотрим вначале статическую ситуацию, при которой на переходы транзистора от внешних источников питания подаются постоянные напряжения uЭБ и uКБ — см. рис.
2. Заметим, что приведенный на рисунке транзистор включен по схеме с общей базой. Напряжения uЭБ 0 обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора.
